安森美推出新的基于碳化硅的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器
安森美半導(dǎo)體，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì)推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器。
AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，用于多方面的電源應(yīng)用，包括那些將得益于更低反向恢復(fù)損耗的應(yīng)用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。
該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘二極管共同封裝，從而在硅基方案的較低性能和完全基于SiC方案的較高成本之間提供出色的權(quán)衡。該高性能器件額定工作電壓650 V，能夠處理高達(dá)100 A@25 °C (50 A@100 °C)的連續(xù)電流，以及高達(dá)200 A的脈沖電流。對(duì)于需要更大電流能力的系統(tǒng)，正溫度系數(shù)令并行工作更簡便。
AFGHL50T65SQDC可在高達(dá)175 °C的結(jié)溫下工作，適用于包括汽車在內(nèi)的最嚴(yán)苛的電源應(yīng)用。它完全符合AEC-Q 101認(rèn)證，進(jìn)一步證明其適用于電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV) 車載充電機(jī)。
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原文標(biāo)題：安森美推出全新基于碳化硅(SiC)的混合IGBT
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