4406雙橋原理圖如下：

4435雙橋原理圖如下：

場(chǎng)效應(yīng)管到達(dá)雪崩電流會(huì)怎么樣？

漏極電壓持續(xù)升高，則漏極體二極管由于雪崩倍增產(chǎn)生載流子，而進(jìn)入持續(xù)導(dǎo)通模式,此時(shí)，全部的漏極電流（此時(shí)即雪崩電流）流過(guò)體二極管，而溝道電流為零。

在開(kāi)關(guān)管雪崩擊穿過(guò)程中，能量集中在功率器件各耗散層和溝道中，在寄生三極管激活導(dǎo)通發(fā)生二次擊穿時(shí)，MOSFET會(huì)伴隨急劇的發(fā)熱現(xiàn)象，這是能量釋放的表現(xiàn)。

雪崩電流在功率MOS管的數(shù)據(jù)表中表示為IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗過(guò)壓沖擊的能力。在測(cè)試過(guò)程中，選取一定的電感值，然后將電流增大，也就是功率MOS管開(kāi)通的時(shí)間增加，然后關(guān)斷，直到功率MOSFET損壞，對(duì)應(yīng)的最大電流值就是最大的雪崩電流。

標(biāo)稱的IAV通常要將前面的測(cè)試值做70%或80%降額處理，因此它是一個(gè)可以保證的參數(shù)。一些功率MOS管供應(yīng)商會(huì)對(duì)這個(gè)參數(shù)在生產(chǎn)線上做100%全部檢測(cè)，由于有降額，因此不會(huì)損壞器件。

留意：測(cè)量雪崩能量時(shí)，功率MOS管工作在UIS非鉗位開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，因此功率MOSFET不是工作在放大區(qū)，而是工作在可變電阻區(qū)和截止區(qū)。因此最大的雪崩電流IAV通常小于最大的連續(xù)的漏極電流值ID。

采用的電感值越大，雪崩電流值越小，但雪崩能量越大，生產(chǎn)線上需要測(cè)試時(shí)間越長(zhǎng)，生產(chǎn)率越低。電感值太小，雪崩能量越小。目前低壓的功率MOS管通常取0.1mH，此時(shí)，雪崩電流相對(duì)于最大的連續(xù)的漏極電流值ID有明顯的改變，而且測(cè)試時(shí)間比較合適范圍。