隨著全球新能源汽車市場(chǎng)的廣泛鋪開(kāi)，功率如今也成為各大整車OEM及用戶所關(guān)注的熱點(diǎn)之一，如何有效地管理和使用電源功率已成為當(dāng)下新能源類產(chǎn)品在全球汽車市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；占暗年P(guān)鍵挑戰(zhàn)。作為第三代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要成員，GaN憑借其高速開(kāi)關(guān)能力、精簡(jiǎn)的外圍電路以及更低功率損耗等多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，在12V甚至未來(lái)48V的汽車電池DC-DC轉(zhuǎn)換器以及OBC等應(yīng)用上將大有用武之地。而目前，一些主要的生產(chǎn)商如Transphorm已經(jīng)獲得了汽車的相關(guān)資質(zhì)，同時(shí)也有越來(lái)越多的國(guó)際半導(dǎo)體大廠如英飛凌、TI等也都開(kāi)始跟進(jìn)，GaN功率半導(dǎo)體在車載市場(chǎng)正快速起步。

GaN應(yīng)用優(yōu)勢(shì)突出 漸成車載DC-DC轉(zhuǎn)換器等首選方案

作為目前市場(chǎng)熱度最高的兩大功率半導(dǎo)體材料，SiC和GaN受益于自身所具備的高速開(kāi)關(guān)、寬禁帶以及高功率密度等優(yōu)異特性，在工業(yè)、移動(dòng)、家電以及汽車等諸多應(yīng)用場(chǎng)景都備受熱捧。尤其是新能源汽車領(lǐng)域，據(jù)主流機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2018年以后兩大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的CAGR（年復(fù)合增長(zhǎng)率）會(huì)達(dá)到甚至超過(guò)35%，2027年整個(gè)市場(chǎng)有望突破100億美元。雖然就目前來(lái)看，新能源汽車功率器件領(lǐng)域仍然以傳統(tǒng)Si器件和SiC應(yīng)用居多，但業(yè)內(nèi)預(yù)估未來(lái)幾年硅基GaN（GaN-on-Si）成本會(huì)快速下降，量產(chǎn)制備門檻也會(huì)逐步降低，GaN器件有望在2020年之后成為車載逆變器及DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的首選方案。

ROHM半導(dǎo)體（北京）有限公司設(shè)計(jì)中心所長(zhǎng)水原德健在接受本刊采訪時(shí)表示：“GaN是用于新一代功率元器件的半導(dǎo)體材料，其物理性能優(yōu)異，尤其是高頻特性使其在低耐壓領(lǐng)域的應(yīng)用也日益廣泛。例如，將GaN功率器件搭載于車載DC-DC轉(zhuǎn)換器或逆變器等電源裝置時(shí)，能夠大幅提高車載DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率轉(zhuǎn)換效率且能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的小型化等，未來(lái)有望得到進(jìn)一步普及?！?/p>

據(jù)編者了解，相比硅器件而言，氮化鎵的電荷比硅低10倍（Qoss, Qg, Qrr)，且具備更高的工作頻率和效率，同等功率輸出下設(shè)計(jì)可以更小巧且精簡(jiǎn)，而同等體積下也能做到更大、更高的功率密度以及更低的系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本等諸多優(yōu)勢(shì)，這些都能夠在汽車48V的DC-DC轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域創(chuàng)造很多的實(shí)用價(jià)值。

不過(guò)，英飛凌科技奧地利股份有限公司電源管理與多元化事業(yè)部資深市場(chǎng)營(yíng)銷經(jīng)理鄧巍博士卻認(rèn)為：“由于汽車領(lǐng)域不管是從可靠性還是其他方面的要求都是比較高的，甚至比工業(yè)領(lǐng)域的級(jí)別要求還要更高。因此，GaN器件還需要等到整體系統(tǒng)成本能夠有所縮減以及可靠性真正達(dá)到一定證明的時(shí)候，才能在汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域充分發(fā)揮作用。作為汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌目前市場(chǎng)占有率排在第二位，我們也已經(jīng)在該領(lǐng)域投入GaN技術(shù)，2019年我們會(huì)慢慢發(fā)布GaN在汽車領(lǐng)域的路線圖，相信能為48V車載DC-DC轉(zhuǎn)換器及更多應(yīng)用帶來(lái)更強(qiáng)大的解決方案。”

由此可見(jiàn)，成本和可靠性是當(dāng)前GaN功率器件向車載DC-DC轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)滲透的兩大主要障礙。業(yè)內(nèi)某資深IC設(shè)計(jì)工程師也告訴記者：“一方面是由于GaN和Si之間晶格的不匹配，使得二者之間存在熱膨脹系數(shù)和晶格系數(shù)相差較大的問(wèn)題，在結(jié)構(gòu)上需要做緩沖層（例如AIN/AIGaN），這些緩沖層非常重要，因?yàn)樾枰M(jìn)行調(diào)諧以幫助最小化電荷阱。而且，受當(dāng)前的架構(gòu)限制，GaN設(shè)備大多為常開(kāi)型設(shè)計(jì)，這些結(jié)構(gòu)和架構(gòu)上的問(wèn)題也使得GaN目前在可靠性方面做的還不夠好，從而影響汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器這類高安全、高可靠要求市場(chǎng)的整體接受度?！绷硪环矫?，雖然GaN這類寬禁帶器件的性能優(yōu)勢(shì)毋庸置疑，但這種功率半導(dǎo)體器件目前如何能解決成本問(wèn)題，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)普及導(dǎo)入汽車市場(chǎng)還是一個(gè)待解的難題。

從結(jié)構(gòu)到架構(gòu)：GaN器件可靠性仍待挖掘

誠(chéng)如上述，對(duì)于汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器這類應(yīng)用來(lái)說(shuō)，GaN器件的可靠性關(guān)系到整個(gè)轉(zhuǎn)換器設(shè)備最終的轉(zhuǎn)換效率、穩(wěn)定性、安全性、功耗和散熱等一系列參數(shù)。體現(xiàn)在GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和架構(gòu)上要求也會(huì)十分嚴(yán)苛，需要從結(jié)構(gòu)和架構(gòu)層去進(jìn)一步挖掘器件的可靠性設(shè)計(jì)潛力和價(jià)值，目前比較主流的還是在結(jié)構(gòu)方面提升2DEG的面密度、架構(gòu)上進(jìn)行“常開(kāi)向常閉”設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換。

業(yè)內(nèi)某資深I(lǐng)C設(shè)計(jì)工程師表示，“從GaN HEMT的結(jié)構(gòu)上來(lái)看，其主要包括襯底、緩沖層、溝道層、隔離層以及施主層幾部分。其中，器件核心部分為溝道、隔離和施主三層，由它們最終形成AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，決定器件電荷流動(dòng)和開(kāi)關(guān)速度等各類參數(shù)。當(dāng)器件通電時(shí)，電子從n型AIGaN層擴(kuò)散到非摻雜的GaN層，形成2DEG（即二維電子氣），GaN HEMT就是通過(guò)柵極下的肖特基勢(shì)壘來(lái)控制AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的電子氣濃度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制的。”

通過(guò)改變GaN HEMT的柵極電壓，可以相應(yīng)的改變?cè)贏IGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面處所形成的三角形勢(shì)阱的深度和寬度，進(jìn)而達(dá)到改變2DEG的濃度，控制HEMT電流的目的，該資深I(lǐng)C設(shè)計(jì)工程師強(qiáng)調(diào)：“HEMT的工作區(qū)為非摻雜的GaN層，在低溫下由于晶格的振動(dòng)會(huì)相應(yīng)的減弱，n型AIGaN層中的電離雜質(zhì)中心對(duì)緊鄰的2DEG散射顯得很重要。所以，一般業(yè)內(nèi)為了完全將雜質(zhì)中心與2DEG隔離開(kāi)來(lái)，往往會(huì)在n型AIGaN層和GaN層中間加一層非摻雜的AIGaN隔離層，通過(guò)該隔離層的作用來(lái)提高2DEG的遷移率，尤其是低溫遷移率。而目前，高2DEG的面密度設(shè)計(jì)仍然是業(yè)內(nèi)GaN HEMT結(jié)構(gòu)可靠性設(shè)計(jì)方面的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，因?yàn)槿绻綦x層設(shè)計(jì)的厚度過(guò)大，就會(huì)使得2DEG的面密度直線下降，導(dǎo)致源極和漏極的串聯(lián)電阻增加，從而直接影響GaN HEMT的可靠性。在這方面，業(yè)內(nèi)比較多的是通過(guò)改變AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)處的導(dǎo)帶差以及提升器件的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)的影響等多重手段來(lái)提升AIGaN/GaN界面的2DEG密度，從根本結(jié)構(gòu)上來(lái)充分挖掘和提升GaN器件的可靠性，但具體能夠改變多少還決定于各廠商采用的自主方案，見(jiàn)仁見(jiàn)智。”

除結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以外，由于傳統(tǒng)的耗盡型GaN芯片在操作中一般都處于“常開(kāi)”的狀態(tài)，因此必須先施加負(fù)偏壓計(jì)，否則系統(tǒng)將很容易發(fā)生短路，這就迫使常開(kāi)型的GaN設(shè)計(jì)難以適應(yīng)各不同場(chǎng)景的應(yīng)用要求，尤其是對(duì)可靠性要求極高的汽車領(lǐng)域。因此，如今供應(yīng)商也都從耗盡型器件轉(zhuǎn)移到增強(qiáng)型器件，因?yàn)檫@些器件通常是關(guān)斷狀態(tài)，直到電壓施加到柵極后才會(huì)打開(kāi)，這對(duì)于OEM們來(lái)說(shuō)也會(huì)更為理想。

對(duì)此，鄧巍博士表示：“GaN作為一個(gè)常開(kāi)型器件，很難被客戶所應(yīng)用和接受。因?yàn)榇蠹覠o(wú)論是在硅，還是其他器件上已經(jīng)熟悉了常關(guān)型的理念。所以，英飛凌非常了解這個(gè)狀況，并在技術(shù)細(xì)節(jié)和工藝上做了一些改動(dòng)，比如我們?cè)跂艠O加了‘P-’，做出了一個(gè)市場(chǎng)比較容易理解的常關(guān)型器件?！?/p>

具體來(lái)講，"首先，我們采用了P型氮化鎵電阻柵，柵極電壓超出正向電壓時(shí)進(jìn)行空穴注入。氮化鎵我們采用的是一個(gè)常關(guān)的理念，作為第三代半導(dǎo)體器件，氮化鎵如果不在柵極做任何的電壓動(dòng)作的話，它中間有一個(gè)二維電子氣的層，中間會(huì)有電子在中間流動(dòng)。因此，我們也做了P型氮化鎵漏極接觸設(shè)計(jì)，來(lái)避免電流崩潰，實(shí)際上氮化鎵有一個(gè)業(yè)界比較棘手的問(wèn)題叫做動(dòng)態(tài)RDS(ON)，英飛凌解決這個(gè)問(wèn)題的關(guān)鍵就在于引入了‘P-’，因?yàn)閯?dòng)態(tài)RDS(ON)有很多電子在開(kāi)關(guān)的時(shí)候被漏級(jí)的電子陷在里面不流通，這樣會(huì)造成影響。把‘P-’放在這里之后，表面的電子就可以被中和掉，這樣能夠從技術(shù)的根本來(lái)解決問(wèn)題，這也是為什么英飛凌可以在工藝領(lǐng)域領(lǐng)先的原因?？傮w來(lái)講，英飛凌CoolGaN氮化鎵產(chǎn)品的等效電路的柵極是一個(gè)阻性的柵極，有一個(gè)二極管進(jìn)行自鉗斷式阻性柵極，即阻性柵極內(nèi)部將VGS鉗位到安全范圍。高柵極電流可實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通；穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)拓?fù)洹＿@個(gè)等效電路提供這些優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，能夠保證非常高的可靠性。目前，這個(gè)結(jié)構(gòu)只有英飛凌和松下可以用，這種獨(dú)一無(wú)二的常閉式概念解決方案是目前業(yè)內(nèi)獲得最長(zhǎng)使用壽命，達(dá)到器件高可靠性的理想之選?！编囄〔┦窟M(jìn)一步補(bǔ)充到。

硅基GaN降成本潛力大導(dǎo)入車載市場(chǎng)時(shí)機(jī)已成熟

可靠性之后，作為考量GaN能否在汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)對(duì)傳統(tǒng)MOSFET規(guī)模替代的另一大關(guān)鍵因素，成本也是目前上到器件供應(yīng)商下到整車OEM們合力攻堅(jiān)的難點(diǎn)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年GaN器件市場(chǎng)整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元，屆時(shí)一塊6英寸晶圓可加工出大約58萬(wàn)個(gè)GaN，而且目前也有越來(lái)越多的廠商開(kāi)始踏足8英寸甚至12英寸晶圓以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。從應(yīng)用的角度來(lái)看，考慮到EV和HEV市場(chǎng)（尤其是12V/48V的DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載OBC設(shè)備）計(jì)劃將從2019年開(kāi)始批量采用GaN，因此在可靠性逐步達(dá)到應(yīng)用要求的背景下，如果成本也能夠如EV/HEV生產(chǎn)商的預(yù)期，未來(lái)幾年GaN功率器件無(wú)疑能夠在EV/HEV領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模放量。

關(guān)乎應(yīng)用成本方面的問(wèn)題，鄧巍博士認(rèn)為：“雖然從目前來(lái)看，氮化鎵器件的價(jià)格大約是硅器件的6倍。但如果考慮到系統(tǒng)成本，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)在于能夠使拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加緊湊，這是單個(gè)器件成本所體現(xiàn)不出來(lái)的，因此在考慮成本時(shí)還必須得把整個(gè)系統(tǒng)的成本考慮進(jìn)去。”

業(yè)內(nèi)某資深I(lǐng)C設(shè)計(jì)工程師也對(duì)此表示贊同，實(shí)際上，像Transphorm等少數(shù)幾家廠商現(xiàn)在已經(jīng)能夠?qū)aN器件成本做到同等SiC器件的二分之一到三分之一，雖然現(xiàn)階段單比拼成本的話，可能單個(gè)GaN器件成本會(huì)比Si MOSFET要高上許多。但是按照應(yīng)用來(lái)說(shuō)，用GaN器件做IC設(shè)計(jì)其實(shí)可以省掉很多的周邊回路，比如車載DC-DC轉(zhuǎn)換器上，外部的很多穩(wěn)壓、隔離和濾波等模塊都能夠被極大的精簡(jiǎn)，同時(shí)GaN開(kāi)關(guān)也能夠?qū)⑿酒g的連接線減小到盡可能短的長(zhǎng)度，從而能夠最大限度縮短延遲時(shí)間，減少多芯片設(shè)計(jì)的寄生阻抗。最終，精簡(jiǎn)之后的系統(tǒng)集成成本其實(shí)跟傳統(tǒng)Si MOSFET器件差不了多少，而且整個(gè)BOM的成本都會(huì)有所下降。

此外，氮化鎵作為一個(gè)新產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，隨著未來(lái)應(yīng)用及普及數(shù)量的不斷增長(zhǎng)，GaN在汽車領(lǐng)域的成本和價(jià)格也會(huì)快速降低，鄧巍博士告訴記者：“現(xiàn)在很多廠家都在往更大的晶圓上發(fā)展，晶圓更大的話成本又會(huì)縮減。再者，不同時(shí)代的產(chǎn)品設(shè)計(jì)尺寸也會(huì)不同，它的尺寸會(huì)縮減，這意味著單個(gè)晶圓產(chǎn)生的GaN數(shù)量也會(huì)更多。這樣各方面的因素相加起來(lái)的話，氮化鎵成本的縮減未來(lái)幾年會(huì)是比較大幅度的，跟硅相比差距變得越來(lái)越小。這些變化也會(huì)讓越來(lái)越多的客戶往這個(gè)方向來(lái)看，因?yàn)橛羞@個(gè)優(yōu)勢(shì)會(huì)慢慢體現(xiàn)出來(lái)。”

另外值得一提的是，如今有越來(lái)越多的主流大廠都開(kāi)始發(fā)力硅基GaN（GaN-on-Si）的量產(chǎn)制備，接下來(lái)隨著產(chǎn)能的擴(kuò)增降成本潛力巨大，硅基GaN有望由此成為業(yè)內(nèi)廠商未來(lái)幾年在GaN產(chǎn)品線上主打的方案。業(yè)內(nèi)某資深I(lǐng)C設(shè)計(jì)工程師認(rèn)為：“就量產(chǎn)方面來(lái)講，碳化硅基襯底因其材料特性不能夠支持更大的晶圓，且由于SiC先天的量產(chǎn)制備高門檻特性，未來(lái)幾年內(nèi)其成本和產(chǎn)能問(wèn)題并不見(jiàn)得能改觀多少。而在供貨、價(jià)格以及產(chǎn)能上，個(gè)人更看好硅基氮化鎵功率產(chǎn)品，因?yàn)槠涑杀竞土慨a(chǎn)制備難度都相對(duì)更低，在無(wú)論是汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器還是更多應(yīng)用上也會(huì)有非常高的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)?！?/p>

總之，GaN批量導(dǎo)入車載市場(chǎng)之日已近在咫尺，2019年以后無(wú)論是在汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器、OBC車載充電抑或是車載逆變器等應(yīng)用上都將能看到越來(lái)越多GaN HEMT的身影。值得注意的是，盡管目前已經(jīng)有不少器件供應(yīng)商開(kāi)始向汽車市場(chǎng)進(jìn)軍，但編者認(rèn)為可靠性在GaN器件普及應(yīng)用的初級(jí)階段仍然將面臨很多的場(chǎng)景化問(wèn)題，這不僅需要英飛凌、Transphorm這類專業(yè)GaN技術(shù)提供商從工藝和器件自身的角度發(fā)力，更需要整個(gè)汽車供應(yīng)鏈各節(jié)點(diǎn)的企業(yè)從應(yīng)用的角度來(lái)不斷發(fā)現(xiàn)和解決問(wèn)題，共同推動(dòng)GaN功率器件在車載應(yīng)用領(lǐng)域走向成熟。而關(guān)于成本方面，從量產(chǎn)制備難度和成本下降空間等多個(gè)角度綜合考慮，硅基GaN（GaN-on-Si）會(huì)是眼下各主流GaN器件供應(yīng)商們?cè)谄嚰案鄳?yīng)用場(chǎng)景創(chuàng)造價(jià)值的最優(yōu)方案，雖然SiC基產(chǎn)品在熱傳導(dǎo)以及封裝等方面會(huì)更勝一籌，但綜合性價(jià)比未來(lái)相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)仍難以與硅基GaN媲美，還有待經(jīng)過(guò)一段相當(dāng)長(zhǎng)的從技術(shù)、工藝到應(yīng)用端的多方磨礪才能成大器。