“中國集成電路產(chǎn)業(yè)目前還非常脆弱，預(yù)計再過5年才能站穩(wěn)腳跟，屆時將在全球有一席之地，屆時三分天下或四分天下能有其一?！弊瞎饧瘓F董事長趙偉國稱。為了在全球集成電路產(chǎn)業(yè)中占據(jù)一席之地，紫光集團頻頻動作，持續(xù)加碼存儲業(yè)務(wù)，近日在南京與成都的項目新基地紛紛動工，全部建成月產(chǎn)能各達30萬片，與武漢長江存儲已形成“三箭齊發(fā)”態(tài)勢。

紫光存儲新調(diào)整 國微轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)務(wù)

基于紫光集團在存儲領(lǐng)域的整體戰(zhàn)略布局考量，紫光國微開始資產(chǎn)調(diào)整。紫光國微 10 月 11 日晚間公告，擬將從事 DRAM 芯片設(shè)計的全資子公司西安紫光國芯 100% 股權(quán)以 2.20 億元轉(zhuǎn)讓給同集團、從事存儲模組業(yè)務(wù)的北京紫光存儲，這象征著紫光集團旗下資產(chǎn)持續(xù)進行整合，試圖集中存儲事業(yè)戰(zhàn)力。

剝離紫光國芯后的紫光國微，主要產(chǎn)品將集中在智能安全芯片的研發(fā)領(lǐng)域上。

成立于 2017 年 8 月的北京紫光存儲，角色偏向于存儲模組廠產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)和自有品牌銷售，2018年8月攜旗下8個系列的存儲產(chǎn)品首次亮相位于美國的2018年閃存峰會。未來加入西安紫光國芯的 DRAM 設(shè)計業(yè)務(wù)，可能會朝 DRAM 產(chǎn)品領(lǐng)域著力，讓整個存儲產(chǎn)品線的布局更為完整。

而紫光國微剝離DRAM，也能夠更加專注于安全芯片領(lǐng)域。這樣對雙方都比較有利，能夠避免未來可能存在的競爭，戰(zhàn)略上能統(tǒng)一到一起。

國內(nèi)存儲芯片才起步 萬事起頭難

然而，和NAND Flash一樣，國內(nèi)的DRAM之前也近乎一片空白。據(jù)集邦科技旗下的DRAMeXchange公布的2018年第二季度全球DRAM內(nèi)存芯片市場的報告顯示，三星以43.6%的市占率奪得第一；海力士排名第二，市占率達29.9%；美光則以21.6%的市占率排為第三。

由此可看出，三星、美光和海力士已經(jīng)占據(jù)了全球95%的DRAM市場份額，國內(nèi)的DRAM發(fā)展前景嚴峻。

日前美光科技CEO Sanjay Mehrotra接受媒體訪問時直言，想晉身全球主要內(nèi)存芯片供貨商的門坎很高，中國內(nèi)存芯片制造商日前仍對美光、 三星及SK海力士等主要廠商不構(gòu)成威脅。他指出，中國廠商在開發(fā)NAND及DRAM上，仍處在“非常早期”階段。

隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國芯的DRAM設(shè)計實力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進行大整合，以發(fā)揮集團的存儲戰(zhàn)力，還待時間觀察。

紫光國產(chǎn)芯又一步 南京、成都存儲器基地開工

2018年9月30日，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目項目開工，總投資300億美元。項目一期投資約105億美元，月產(chǎn)芯片10萬片，主要產(chǎn)品為國內(nèi)長期依賴進口的3D NAND FLASH(閃存)、DRAM(動態(tài)隨機存儲器)存儲芯片等。預(yù)估項目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片30萬片。

緊接著，2018年10月12日，紫光成都存儲器制造基地在成都開工。據(jù)官方介紹，紫光成都存儲器制造基地項目占地面積約1200畝，總投資達240億美元，將建設(shè)12吋3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。據(jù)悉，項目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片30萬片。

而此前，紫光集團董事長趙偉國曾表示，紫光計劃在10年內(nèi)在芯片制造領(lǐng)域投資超過1000億美元，目前已籌集1800億元人民幣，其中800億人民幣投資武漢的存儲工廠，并計劃用另外1000億人民幣在成都、南京再建兩個存儲工廠。力爭讓中國企業(yè)進入世界內(nèi)存企業(yè)的第一梯隊，到2020年，計劃把中國芯片制造自產(chǎn)率從 8%提升到40%。

隨著南京、成都項目的相繼開工，預(yù)示著紫光集團在芯片制造產(chǎn)業(yè)十年1000億美元的投資布局計劃又邁進了一步。

至此，加上2016年12月30日在武漢開工的長江存儲，紫光3D存儲計劃三地“三箭齊發(fā)”，其存儲器國產(chǎn)夢又進了一步。

縱觀紫光集團在存儲領(lǐng)域上的布局，紫光在存儲領(lǐng)域正在研發(fā)128層堆棧256Gb的3D NAND，今年年底可以量產(chǎn)32層堆棧64Gb的3D NAND，明年將會量產(chǎn)64層堆棧128Gb的3D NAND，同時導(dǎo)入創(chuàng)新的 Xtacking 技術(shù)。此外，官方表示，DDR4芯片正在研發(fā)中，預(yù)計2018年底將會推向市場。