從模擬及電源出發(fā),系統(tǒng)系列地講解了電路設(shè)計上的基礎(chǔ)知識,從多方面多角度給學(xué)員提供了全面學(xué)習(xí)的機會,也是工程師快速查找相關(guān)基礎(chǔ)知識的便捷手段。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電路
+關(guān)注
關(guān)注
173文章
6026瀏覽量
175030 -
ti
+關(guān)注
關(guān)注
113文章
8029瀏覽量
214914 -
MOSEFT
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
35瀏覽量
4680
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點,適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景,能夠有效提高系統(tǒng)

從開關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)
一、MOSFET開關(guān)速度的定義與影響因素開關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通(開)和關(guān)斷(關(guān))狀態(tài)之間的切換速度,通常以上升時間(tr)、下降時間(tf)和

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo),直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢及在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。 傾佳電子楊茜致力于推

SiC MOSFET的動態(tài)特性
本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測試波形的準確性。

MOSFET與IGBT的區(qū)別
(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗,并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外,還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定
發(fā)表于 03-25 13:43
MOSFET開關(guān)損耗計算
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外,新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色,亦不容忽視。其中,Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
發(fā)表于 03-24 15:03
SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強,在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。

國產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對超結(jié)MOSFET的替代浪潮
碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超結(jié)(SJ)MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET

MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
本文詳細分析計算開關(guān)損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
發(fā)表于 02-26 14:41
SiC MOSFET的參數(shù)特性
碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討SiC MOSFET的主要參數(shù)
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
發(fā)表于 01-04 12:37
Diode的反向恢復(fù)特性的機理和模型原理
MOSFET、同步 Buck 變換器的續(xù)流開關(guān)管、以及次級同步整流開關(guān)管,其體內(nèi)寄生的二極管都會經(jīng)歷反向電流恢復(fù)的過程。功率 MOSFET 的體二極管的反向恢復(fù)的

新型驅(qū)動器IC優(yōu)化高速功率MOSFET的開關(guān)特性
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《新型驅(qū)動器IC優(yōu)化高速功率MOSFET的開關(guān)特性.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-24 10:00
?0次下載

影響MOSFET開關(guān)損耗的因素
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的開關(guān)損耗是電子工程中一個關(guān)鍵的性能參數(shù),它直接影響到電路的效率、熱設(shè)計和可靠性。下面將詳細闡述
碳化硅MOSFET的開關(guān)尖峰問題與TVS保護方案
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而,即使性能卓越,SiC MOSFET在開關(guān)過程中也可能面臨電壓尖峰的問題。本文將從專業(yè)硬件工程師的角度,探討

評論