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盤點(diǎn)2018存儲(chǔ)器行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r

iotmag ? 來源:cc ? 2019-01-16 14:20 ? 次閱讀
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存儲(chǔ)器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表,它的表現(xiàn)也影響著整個(gè)市場(chǎng)的枯榮變換。2018年的存儲(chǔ)器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行,伴隨著技術(shù)上的幾許亮色,邁向了2019年。

從熱火朝天到凜冬將至

2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來形容,三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人,SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成,西部數(shù)據(jù)的營(yíng)收更是增長(zhǎng)了120.2%,就是以NANDFlash為主要產(chǎn)品的東芝,也成長(zhǎng)了29.2%;而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。

整體來說,2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%,達(dá)4197.2億美元。根據(jù)Gartner的分析,存儲(chǔ)器的短缺是市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的最主要原因。整整2017年全年,DRAM價(jià)格成長(zhǎng)高達(dá)44%,NANDFlash價(jià)格也上漲了17%。尤其是,NANDFlash價(jià)格是有統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)以來首次呈現(xiàn)上漲的局面。

2018開年以后更是延續(xù)了這種良好的態(tài)勢(shì),數(shù)據(jù)中心、人工智能汽車電子等應(yīng)用的成長(zhǎng),使得整個(gè)市場(chǎng)持續(xù)增溫。以NANDFlash為代表的閃存市場(chǎng)更是快步前進(jìn)。美光公司CEO就表示,存儲(chǔ)器市場(chǎng)已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型,以智能手機(jī)為中心的移動(dòng)時(shí)代,逐步轉(zhuǎn)入人工智能等驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代。數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)需要搭載大量DRAM及NANDFlash協(xié)助運(yùn)算,存儲(chǔ)器市場(chǎng)可望一路好到2021年。

各大存儲(chǔ)器廠商亦紛紛開足馬力,據(jù)福布斯報(bào)道,廠商們都在2017年擴(kuò)大了64層3DNAND存儲(chǔ)器的出貨量,而128層的3DNAND預(yù)計(jì)在2020年就可問世,2018年3DNAND將恢復(fù)供應(yīng)量成為市場(chǎng)主流。

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)在2018年初的預(yù)測(cè)報(bào)告中,將2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(銷售額)自2017年11月預(yù)估的4372.65億美元(年增7.0%)修訂至4634.12億美元(年增12.4%)。其中,存儲(chǔ)器的銷售額預(yù)估將暴增26.5%至1567.86億美元。

就在一片看好的聲音中,一些令人不安的預(yù)兆也出現(xiàn)了。部分存儲(chǔ)器價(jià)格在2018年初出現(xiàn)下滑,導(dǎo)致三星電子當(dāng)期的財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)低于預(yù)期。不過,業(yè)界仍認(rèn)為“這種價(jià)格變化在預(yù)期之內(nèi),并且對(duì)整體市場(chǎng)發(fā)展有益”。

轉(zhuǎn)折卻在無聲中到來了。DRAMeXchange于6月27日發(fā)布了閃存市場(chǎng)分析報(bào)告,稱2018下半年,NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)潛力疲軟。報(bào)告指出,由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期,所以在上半年,閃存市場(chǎng)已經(jīng)有連續(xù)兩個(gè)季度的價(jià)格走弱。在這樣的態(tài)勢(shì)下,一些供應(yīng)商甚至?xí)壕徚嗣嫦蚋呙芏却鎯?chǔ)芯片的產(chǎn)能擴(kuò)張,以避免價(jià)格走到崩盤的局面。

但到了下半年,市場(chǎng)并沒有好轉(zhuǎn)。在9月6號(hào),摩根斯坦利分析師ShawnKim就指出,內(nèi)存市況近幾周來有惡化跡象,DRAM需求逐漸趨疲,庫(kù)存、定價(jià)壓力與日俱增,而NAND型閃存的供給則確實(shí)太多。另一位分析師也指出,智能手機(jī)的購(gòu)買需求難以提升,NAND型閃存的供給過剩情況最近日益惡化。他估計(jì)下半年智能手機(jī)的出貨表現(xiàn)將相對(duì)疲弱,蘋果與中國(guó)智能手機(jī)的供應(yīng)鏈前景都不太妙。后來的市場(chǎng)表現(xiàn)果然應(yīng)驗(yàn)了這種預(yù)測(cè)。目前,對(duì)于2019年的市場(chǎng),各方都認(rèn)為首季價(jià)格跌幅恐持續(xù)擴(kuò)大,直至第2季中旬才會(huì)趨緩。

從年初的蓬勃發(fā)展到下半年的寒冬,造成市場(chǎng)反轉(zhuǎn)的元兇是什么?從目前的分析來看,智能手機(jī)銷量的增長(zhǎng)乏力,中美貿(mào)易戰(zhàn)的陰影,還有產(chǎn)能的盲目擴(kuò)張都是重要因素。在新的驅(qū)動(dòng)力沒有充分發(fā)展起來之前,市場(chǎng)恐還會(huì)在低位繼續(xù)運(yùn)行。

技術(shù)發(fā)展上仍有亮色

雖然市場(chǎng)起伏過大,但存儲(chǔ)器的技術(shù)發(fā)展仍未停步,特別是閃存技術(shù)。

今年,閃存開始步入QLC時(shí)代。這種變化在手機(jī)上體現(xiàn)最為明顯,上半年,NAND原廠的技術(shù)主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特)為主,下半年部分原廠已經(jīng)轉(zhuǎn)為96層TLC或者64層QLC。

QLC閃存每單元可以保存4比特?cái)?shù)據(jù),相比TLC又多了三分之一,這樣既有利于做大容量,也有利于降低成本,必然是閃存廠商們未來的重點(diǎn)。

而在容量上,TB時(shí)代也逐步逼近。NAND2D極限容量已從128GB上升到64層512GB,96層會(huì)向512GB過渡,技術(shù)成熟以后量產(chǎn)到1TB技術(shù)。隨著QLC的量產(chǎn),即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量。

值得一提的是,國(guó)內(nèi)企業(yè)在閃存技術(shù)上也有突破。存儲(chǔ)器新勢(shì)力長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司就在2018年發(fā)布了自主創(chuàng)新的Xtacking架構(gòu)。該架構(gòu)可用于消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)SSD還有UFS閃存,且實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3DNAND的上市時(shí)間,并使NAND產(chǎn)品定制化成為可能。并且,在一向薄弱的SSD主控芯片領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)企業(yè)今年也有新品問世。相信在2019年,這種趨勢(shì)會(huì)延續(xù)下去。

2019年,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域最大的突破將是自主研發(fā)的閃存量產(chǎn),這將為整個(gè)行業(yè)帶來什么變化,現(xiàn)在仍未可知,但這一定會(huì)提升國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的士氣,為今后的發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的一步。

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原文標(biāo)題:存儲(chǔ)器行業(yè)的2018:冰與火之歌

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