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低壓差穩(wěn)壓器關(guān)鍵參數(shù)的了解

電子設(shè)計 ? 來源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2019-03-07 08:20 ? 次閱讀
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低壓差穩(wěn)壓器(也稱為LDO)的使用在許多應(yīng)用中很常見,因為它們提供了一種簡單而廉價的方法來調(diào)節(jié)必須從較高輸入電壓降壓的輸出電壓。此外,與開關(guān)穩(wěn)壓器相比,線性LDO易于實現(xiàn)并且噪聲非常低。

雖然LDO規(guī)格簡單易懂,但某些應(yīng)用可能需要更深入地了解關(guān)鍵參數(shù),以確保穩(wěn)壓器適合預(yù)期的應(yīng)用并滿足整體電路要求。遺憾的是,數(shù)據(jù)表并未在所有可能的操作條件下提供所有規(guī)格。在這種情況下,設(shè)計者必須解釋和推斷可用信息,以確定在非指定條件下的性能。

此功能要求設(shè)計人員對LDO規(guī)格和功能有很好的理解。除了這里提供的信息之外,我還建議閱讀德州儀器公司Michael Day的“理解低壓降(LDO)穩(wěn)壓器”,它提供了對線性LDO穩(wěn)壓器的壓差性能的基本了解。它還向您展示了LDO和系統(tǒng)參數(shù)如何影響LDO的壓差性能及其操作。

解釋從基本規(guī)格壓差開始,這是穩(wěn)壓器所需的最小電壓。保持監(jiān)管。例如,具有1 V壓降的3.3 V LDO穩(wěn)壓器將需要4.3 V的最小輸入。為了理解LDO上的壓降含義,讓我們看一下帶有傳遞元件的基本LDO架構(gòu)。如圖1所示,傳輸元件可以是N或P溝道FET,它提供的電壓降是FET導(dǎo)通電阻RDS(on)的函數(shù)。

低壓差穩(wěn)壓器關(guān)鍵參數(shù)的了解

圖1:LDO的傳輸元件可以是N或P溝道FET(由TI提供)。

本質(zhì)上,LDO的行為類似于可變電阻,其電阻值由圖2所示的誤差放大器控制。通常,如果輸入是恒定電源,LDO可以簡單地用電阻代替。但是,實際上,輸入源永遠(yuǎn)不會是恒定的,因此需要反饋來改變LDO的有效電阻以維持所需的穩(wěn)壓輸出電壓。根據(jù)輸入電壓或負(fù)載電流,誤差放大器驅(qū)動通路元件的柵極以保持恒定的輸出電壓。

低壓差穩(wěn)壓器關(guān)鍵參數(shù)的了解

圖2:基本LDO模塊圖(由TI提供)。

但是,存在基于FET的V-I曲線的限制和邊界條件,超過該曲線,LDO將無法按預(yù)期執(zhí)行。如圖3所示,x軸是FET的漏源電壓VDSM,對于LDO是VIN - VOUT,而y軸表示以安培(A)為單位的傳輸FET晶體管的漏極電流。使用此曲線,工程師可以確定任何工作電流下的壓差。實際上,必須通過輸入電壓或負(fù)載電流的變化來控制傳輸元件的柵極 - 源極電壓,以保持所需的輸出調(diào)節(jié),如圖3所示。

低壓差穩(wěn)壓器關(guān)鍵參數(shù)的了解

圖3:LDO的N溝道傳輸元件的工作區(qū)域(由TI提供)。

輟學(xué)通常由制造商指定。例如,采用TI的TPS79330。對于3.0V輸出和200mA電流,此LDO規(guī)定的最大壓差為200 mV。該LDO的最小RDS(on)為RDS(on)= 200 mV/200 mA =1Ω。該穩(wěn)壓器的最小輸入電壓為3.15 V,在200 mA負(fù)載電流下,該器件所需的有效壓差必須小于150 mV。

通過將最小RDS(on)乘以實際負(fù)載電流來計算任何其他電流的壓差。因此,如果負(fù)載電流為170 mA,則此電流下的壓差電壓將為VDO =1Ωx170 mA = 170 mV。

這仍然不足以確保監(jiān)管。設(shè)計人員必須找到具有170 mA低壓差的LDO,以滿足所需要求。 TI提供大量LDO供您選擇。除了TI之外,其他一些LDO供應(yīng)商還包括ADI公司,飛兆半導(dǎo)體公司,凌力爾特公司,安森美半導(dǎo)體公司,Microchip技術(shù)公司和Maxim Integrated公司等。

同樣,影響LDO性能的其他一些參數(shù)包括電源抑制比(PSRR)和輸出噪聲。 PSRR影響LDO防止輸入電壓變化引起的輸出電壓波動的能力。它通常以特定頻率的分貝表示。圖4顯示了LDO輸入到輸出電壓差VDS的典型曲線圖,其中VOUT為2.5 V.顯示低于0.4 V VDS時,LDO的PSRR開始迅速下降。為了獲得良好的輸出性能,PSRR必須很高。

低壓差穩(wěn)壓器關(guān)鍵參數(shù)的了解

圖4:LDO電源抑制比(PSRR)與輸入到輸出的典型曲線圖電壓差(由TI提供)。

LDO的內(nèi)部參考電壓是潛在的噪聲源。該噪聲直接饋入前面圖2所示的誤差放大器。該放大器輸出端的噪聲調(diào)制FET的柵極電壓,進(jìn)一步增加LDO的輸出噪聲。根據(jù)參考文獻(xiàn)1中的討論,設(shè)計者必須確定高PSRR和低噪聲性能之間的權(quán)衡。 TI的TPS799xx系列具有高PSRR和低噪聲性能。

正如我們所看到的,設(shè)計人員必須了解LDO的各種規(guī)格,而不是那些突出顯示在數(shù)據(jù)表上的規(guī)格;他或她還必須知道這些規(guī)范如何影響整個系統(tǒng)設(shè)計。本文討論了關(guān)鍵參數(shù)并展示了樣本部分。

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