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ASML加快極紫光外光刻研發(fā)步伐,為什么說(shuō)光刻機(jī)對(duì)晶圓廠至關(guān)重要?

5qYo_ameya360 ? 來(lái)源:lq ? 2018-12-06 15:59 ? 次閱讀
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11月30日晚上,荷蘭費(fèi)爾德霍芬的一個(gè)科技園區(qū)發(fā)生火災(zāi),ASML的一家供應(yīng)商Prodrive遭受了重創(chuàng),部分廠房與倉(cāng)庫(kù)遭受波及。12月3日,ASML發(fā)表聲明稱:“Prodrive供應(yīng)ASML的部分電子元件和模組,ASML初步評(píng)估至2018年底的出貨計(jì)劃不變,但預(yù)期部分2019年初的出貨將受影響?!盇SML還表示需要幾周的時(shí)間詳細(xì)評(píng)估該事件對(duì)公司的影響。

ASML目前已開始協(xié)助Prodrive重啟生產(chǎn),同時(shí)ASML也已與其他供應(yīng)商接洽,以確保相關(guān)組件和材料的替代來(lái)源供應(yīng)無(wú)虞。

12月作為2018年最后一個(gè)月,2018的訂單備貨出貨基本肯定不會(huì)受影響,那么對(duì)于2019年,具體會(huì)影響哪些企業(yè)呢?

ASML加快極紫光外光刻研發(fā)步伐

早在2013年,ASML就披露說(shuō),他們將按計(jì)劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型,Intel三星電子、臺(tái)積電等預(yù)計(jì)將在2018年實(shí)現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn),與此同時(shí),極紫外(EUV)光刻設(shè)備也進(jìn)展順利,將在今年交付兩套新的系統(tǒng)。并且ASML在一份聲明中稱:“在客戶合作投資項(xiàng)目的支持下,我們已經(jīng)完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構(gòu)的概念設(shè)計(jì),將在2015年交貨原型,并兼容2018年的量產(chǎn),當(dāng)然如果整個(gè)產(chǎn)業(yè)來(lái)得及的話?!?/p>

歷史上每次擴(kuò)大晶圓尺寸都會(huì)將可用面積增加30-40%,芯片成本也有相應(yīng)的降低,300毫米過渡到450毫米同樣如此,所以為了使用更先進(jìn)的制造工藝和極紫外光刻技術(shù),450毫米晶圓勢(shì)在必行,但隨著尺寸的增大,晶圓制造的難度也是指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),因此450毫米晶圓提了很多年了,但至今仍然沒能投入實(shí)用。

ASML為推進(jìn)、加速研發(fā)450毫米晶圓和極紫外光刻技術(shù),受到刺激的ASML還耗資25億美元收購(gòu)了關(guān)鍵的光學(xué)技術(shù)提供商Cymer,加快極紫外光刻進(jìn)展。

為什么說(shuō)光刻機(jī)對(duì)晶圓廠至關(guān)重要

光刻設(shè)備是一種投影曝光系統(tǒng)。在半導(dǎo)體制作過程中,光刻設(shè)備會(huì)投射光束,穿過印著圖案的掩模及光學(xué)鏡片,將線路圖曝光在帶有光刻膠的硅晶圓上;通過光刻膠與光的反應(yīng)來(lái)形成溝槽,然后再進(jìn)行沉積、蝕刻、摻雜,架構(gòu)出不同材質(zhì)的線路。

其中掩膜版上面會(huì)有很多的布線,形成溝槽以后在里面會(huì)布很多的二極管、三極管等,來(lái)形成不同的功能。單位面積上布的線越多,能夠?qū)崿F(xiàn)的功能就越多,效能也越高,耗能越少。

當(dāng)然,并不是每個(gè)晶圓廠都必須配置光刻機(jī),當(dāng)自身產(chǎn)能不是很大或者生產(chǎn)中耗能太高、產(chǎn)生環(huán)境污染的時(shí)候,這部分的需求可以轉(zhuǎn)移到晶圓代工廠去。美國(guó)現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)是,由于高耗能、有污染所以自己不生產(chǎn),把先前很多工廠轉(zhuǎn)移到了***。***由于地域限制,工廠主要集中在新竹,污染、能耗都很大,所以也想把設(shè)備轉(zhuǎn)移到大陸廠商,如中芯國(guó)際、臺(tái)積電南京等。

一個(gè)12寸廠每月的產(chǎn)能大約是8-9萬(wàn)片,這已經(jīng)是很高的水平了,換算到光刻機(jī)的產(chǎn)能大約是每天3000片,實(shí)際中效率可能每小時(shí)110-120片。涂膠的速度是制約光刻機(jī)生產(chǎn)效率的核心因素,涂膠機(jī)目前主要被日本的DNS和TEL壟斷。

除了生產(chǎn)線以外,晶圓廠的研發(fā)部門也需要光刻機(jī)。

半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化,工藝制程設(shè)備有待突破

隨著AI芯片、5G芯片、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等下游的興起,全球半導(dǎo)體行業(yè)重回景氣周期。行業(yè)預(yù)計(jì)全球?qū)⒂?020年前投產(chǎn)62座半導(dǎo)體晶圓廠,其中26座設(shè)于中國(guó)大陸(其中10座是12寸廠),中國(guó)大陸預(yù)計(jì)于2019年成為全球設(shè)備支出最高地區(qū),為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的崛起提供了發(fā)展機(jī)會(huì)。

從設(shè)備需求端測(cè)算,2018-2020年國(guó)產(chǎn)晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)空間增速分別為54%,78%和97%,2018-2020年累計(jì)市場(chǎng)空間達(dá)250億元,CAGR 為87%。

從興建晶圓廠投資端測(cè)算,2018-2020年國(guó)產(chǎn)晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)空間增速分別為157%, 94%和31%, 2018-2020年累計(jì)市場(chǎng)空間387億元,CAGR 為59%。平均每年超百億的市場(chǎng)空間在機(jī)械行業(yè)中難得一見。

2016年全球半導(dǎo)體專用設(shè)備前十名制造商(美國(guó)應(yīng)用材料,荷蘭ASML等)的銷售規(guī)模達(dá)到了379億美元,市占率高達(dá)92%。而中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備前十名制造商的銷售額約7.3億美元,在收入規(guī)模上差距大,其根本原因還是來(lái)自技術(shù)上的差距。

目前我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備自制率不足15%,且集中于晶圓制造的后道封測(cè),前道工藝制程環(huán)節(jié)的關(guān)鍵設(shè)備如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積等仍有待突破,且晶圓制造等設(shè)備在采購(gòu)中面臨國(guó)外企業(yè)的技術(shù)封鎖,全面國(guó)產(chǎn)化是必然選擇。

隨著這兩年,中國(guó)晶圓廠進(jìn)入了投資擴(kuò)產(chǎn)熱潮。中國(guó)大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在繼續(xù)以驚人的速度擴(kuò)張。據(jù)統(tǒng)計(jì),2019年在中國(guó)就有將近20個(gè)新開工的晶圓制造廠建設(shè)項(xiàng)目。

在晶圓廠制造中,光刻決定了半導(dǎo)體線路的精度,以及芯片功耗與性能,相關(guān)設(shè)備需要集成材料、光學(xué)、機(jī)電等領(lǐng)域最尖端的技術(shù),被譽(yù)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。單臺(tái)設(shè)備價(jià)格在2000萬(wàn)美金以上,是中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備最需突破的環(huán)節(jié)之一。

結(jié)語(yǔ)

目前,除了ASML,其他廠商在EUV方面,尼康和佳能在一開始有先發(fā)優(yōu)勢(shì),但只能達(dá)到42nm,尼康在日本本土能達(dá)到28nm。而上海微電子,在技術(shù)上來(lái)說(shuō)只能做到8寸廠的工藝,并且在工藝的重復(fù)性以及光源上還相差甚遠(yuǎn),暫時(shí)無(wú)法達(dá)標(biāo)。

8寸晶圓一般是65nm級(jí)別的技術(shù),主要應(yīng)用于較為低端的芯片裝置,比如物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、部分顯卡等。對(duì)顯卡消耗較大的區(qū)塊鏈也一定程度上拉動(dòng)了對(duì)8寸晶圓的需求。12寸晶圓一般用于高端的邏輯芯片(CPUGPU等)和存儲(chǔ)芯片(DRAM\NAND等),終端下游為個(gè)人電腦、智能手機(jī)等。

因此從整體上看,中國(guó)在8寸設(shè)備上取得了一些進(jìn)步,正在向12寸發(fā)展,但這條路還很長(zhǎng)。而在光刻環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)還無(wú)法做到。就目前來(lái)說(shuō),中國(guó)新建晶圓廠,到時(shí)候沒有光刻機(jī)供應(yīng)的話,是有很大影響的。

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原文標(biāo)題:ASML供應(yīng)商火災(zāi),直接影響中國(guó)晶圓廠

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