rom存儲(chǔ)器

只讀存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：Read-Only Memory，簡(jiǎn)稱：ROM）。ROM所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機(jī)前事先寫好的，整機(jī)工作過(guò)程中只能讀出，而不像隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定 ，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)改變；其結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，讀出較方便，因而常用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)據(jù)。

rom存儲(chǔ)器類型

1、ROM

只讀內(nèi)存（Read-OnlyMemory）是一種只能讀取資料的內(nèi)存。在制造過(guò)程中，將資料以一特制光罩（mask）燒錄于線路中，其資料內(nèi)容在寫入后就不能更改，所以有時(shí)又稱為“光罩式只讀內(nèi)存”（maskROM）。此內(nèi)存的制造成本較低，常用于電腦中的開機(jī)啟動(dòng)。

2、可編程只讀存儲(chǔ)器

可編程只讀存儲(chǔ)器（英文：ProgrammableROM，簡(jiǎn)稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲(chǔ)器出廠時(shí)各個(gè)存儲(chǔ)單元皆為1，或皆為0。用戶使用時(shí)，再使用編程的方法使PROM存儲(chǔ)所需要的數(shù)據(jù)。

PROM需要用電和光照的方法來(lái)編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來(lái)。例如，雙極性PROM有兩種結(jié)構(gòu)：一種是熔絲燒斷型，一種是PN結(jié)擊穿型。它們只能進(jìn)行一次性改寫，一旦編程完畢，其內(nèi)容便是永久性的。由于可靠性差，又是一次性編程，目前較少使用。

3、可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器

可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器（英文：ErasableProgrammableReadOnlyMemory，簡(jiǎn)稱：EPROM）可多次編程。這是一種便于用戶根據(jù)需要來(lái)寫入，并能把已寫入的內(nèi)容擦去后再改寫，即是一種多次改寫的ROM。由于能夠改寫，因此能對(duì)寫入的信息進(jìn)行校正，在修改錯(cuò)誤后再重新寫入。

擦除遠(yuǎn)存儲(chǔ)內(nèi)容的方法可以采用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時(shí)將線路曝光于紫外線下，則資料可被清空，并且可重復(fù)使用。通常在封裝外殼上會(huì)預(yù)留一個(gè)石英透明窗以方便曝光。

4、一次編程只讀內(nèi)存

一次編程只讀內(nèi)存（OneTimeProgrammableReadOnlyMemory，OPTROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節(jié)省成本，編程寫入之后就不再抹除，因此不設(shè)置透明窗。

5、電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器

電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（英文：ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，簡(jiǎn)稱：EPROM）之運(yùn)作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場(chǎng)來(lái)完成，因此不需要透明窗。

6、閃速存儲(chǔ)器

閃速存儲(chǔ)器（英文：Flashmemory）是英特爾公司90年代中期發(fā)明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器它既有EEPROM的特點(diǎn)，又有RAM的特點(diǎn)，因而是一種全新的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。