今年就業(yè)形勢：今年形勢依舊不景氣，英特爾硬件部門基本不招人，思科硬件部門和信號完整性方面也不招人，EMC，IBM，AMD硬件開發(fā)也沒有名額，可能會(huì)有校招，但一般是噱頭做廣告。英偉達(dá)倒是搞的轟轟烈烈，最后也沒招人。后面的同學(xué)不要對這些公司抱太多希望。

從8月份開始起到現(xiàn)在找工作花了3個(gè)多月，慢慢的也接近尾聲了，因此我考慮著花點(diǎn)時(shí)間把這段時(shí)間的筆試面試好好總結(jié)一下，也供正在找工作或者以后即將找工作的小伙伴們作為參考。

下面主要說一下我筆試面試公司的過程，本篇主要側(cè)重筆試（面試稍后補(bǔ)上），按時(shí)間先后順序：

1 、華為：

硬件沒有筆試，首先是一面，技術(shù)面，大概只有15分鐘，然后性格測試（會(huì)刷人），但一般性格測試可以做兩遍。最后綜合面試了，一般大概也只有一刻鐘。

2、中興：

有筆試，然后技術(shù)面，2對1，兩個(gè)面試官會(huì)輪流問問題，大概20分鐘，緊接著綜合面，有英語，大概也要20分鐘。的并且筆試一般會(huì)和射頻，天線，微波，通信的一起考，所以卷子一般只用做自己熟悉的部分就好了。CMOS不用輸入管腳該怎么處理（不能懸空）。串聯(lián)負(fù)反饋和并聯(lián)負(fù)反饋的作用。PCB走線特性阻抗的影響因素（線寬，介電常數(shù)，銅箔厚度，PCB板材等）。差分信號線阻抗匹配一般是（100歐姆~120歐姆）。4G LTE基礎(chǔ)知識的考察。達(dá)林頓管連接判斷和計(jì)算。軌到軌運(yùn)放的基礎(chǔ)知識。對光接入網(wǎng)知識的理解（大題）。OFDM系統(tǒng)中峰均比的解釋以及解決辦法（大題）。用兩個(gè)MOS管搭一個(gè)開關(guān)電路（大題）。整體而言都是基礎(chǔ)題目。

3、 英偉達(dá)：

英偉達(dá)是發(fā)一份word的筆試題到郵箱，然后限定兩個(gè)小時(shí)做好再發(fā)過去，大概10個(gè)大題，主要是數(shù)字電路方面的。但今年英偉達(dá)基本不招人。題目有解釋什么是非穩(wěn)態(tài)，以及怎么消除。信號的串?dāng)_有什么危害，怎么解決。用2:1MUX構(gòu)成與門和或門（連一根線就可以了）。給一個(gè)數(shù)字電路的框圖化簡。其余的題目我貼幾個(gè)在下文，大家可以試著做做。應(yīng)該說好好看看數(shù)電，可以做出一大半出來。

3）。 Given a list （5， 1， 17， 8）， write aprocedure to return a sorted list in ascending order （1，5，8，17）。

5）。 Please use Binary Gray Code to designa 4 bits 10 states code （0 1 2 3 4 5 6 7 8 9， total 10 states）

7）。 Please implement following functionswith a 2:1 MUX.

Y=A&B; Y=A||B;

4 、百度：

硬件就一個(gè)崗位，筆試主要是FPGA方向的，但筆試過后基本都沒通知了。百度硬件目前主要也只在北京招人。百度這兩年的筆試題有很大的相似處，具體的筆試題可以看我上一篇博客。

5 、CVTE：

（18w）這家公司比較奇特，首先不讓投簡歷，他有一系列測評，包括邏輯，數(shù)字，硬件基礎(chǔ)知識的題目，只有通過了才有資格投簡歷。網(wǎng)上測試的題目很基礎(chǔ)。然后，一面是一對三，面試官會(huì)問一些問題，讓大家依次回答，不涉及技術(shù)，一面一般刷掉三分之二的人。筆試題有對采樣定理的描述。給一個(gè)線性電源計(jì)算效率。還有兩個(gè)穩(wěn)壓管并聯(lián)，問輸出。三極管放大狀態(tài)特點(diǎn)，和計(jì)算。單片機(jī)工作的幾個(gè)要素。給三個(gè)電壓問是什么三極管。幾種功放性能的比較。LC諧振電路。恒流源和恒壓源的比較。三端集成穩(wěn)壓器的計(jì)算。

6 、思科：

今年沒有硬件崗位，投了一個(gè)硬件支持的崗位，筆試時(shí)發(fā)現(xiàn)都是軟件的題目，一共六部分，選擇作兩部分，C/C++，數(shù)據(jù)庫，操作系統(tǒng)，Python， 網(wǎng)絡(luò)，JAVA。并且答題要求挺坑的，答對一題得1分，答錯(cuò)一題扣0.5分。招人很少，題目大部分都不會(huì)，做了炮灰。

7、 阿爾卡特朗訊：

筆試，主要是高速電路設(shè)計(jì)，信號完整性方面的題目，然后技術(shù)面，2對1，大概25分鐘，有英語。最后HR面，英語聊天十分鐘，但也有做自我介紹，項(xiàng)目之類的，因人而異。

解決串?dāng)_問題（3W規(guī)則）。電磁干擾EMC。OC門要加上拉電阻原因。振鈴的考察。Watchdog的原理。LVDS電平的特點(diǎn)以及優(yōu)勢（大題）。IIC總線的verilog實(shí)現(xiàn)并畫出時(shí)鐘的對應(yīng)波形（告訴從設(shè)備地址，寄存器地址，寫入數(shù)據(jù)）那么順序是：起始位—從設(shè)備地址—ACK位—寄存器地址—ACK位—寫入數(shù)據(jù)—ACK位—停止位。

給一個(gè)CPU和幾片存儲器讓畫出連接圖（大題）。

DC/DC噪聲產(chǎn)生的原因，MOS管反接肖特基二極管的作用（大題）。

8 、斐訊：

（8k*13， 包吃?。?a target="_blank">模電和數(shù)電的基礎(chǔ)題，很簡單。筆試過了就面試，由于和其他公司沖突，邀請了兩次我都沒去面試。

串聯(lián)兩個(gè)穩(wěn)壓管問輸出電壓。鎖存器的作用。ADC每提高1bit， 抗干擾能力可以提高6db。三極管放大電路三種組態(tài)的優(yōu)缺點(diǎn)。給一個(gè)電容的容值和ESL問濾波范圍。三極管給出電壓，讓判斷每一極。與或非門的考察。什么是電感飽和。存儲電路的設(shè)計(jì)。復(fù)位電路并聯(lián)二極管的作用（為電容提供泄放電壓的通道）。積分運(yùn)放電路輸入輸出的計(jì)算。

9 、聯(lián)影：

國家扶持的，感覺前途還不錯(cuò)，首先筆試，題目很基礎(chǔ)。但因?yàn)樯虾Ｊ亲詈笠徽?，一般崗位也只要一兩個(gè)人，所以上海這邊也是走走過場，沒怎么要人面試。串行通信協(xié)議種類。陶瓷電容，鉭電容，鋁電解電容容值對比。CMOS輸入輸出邏輯電平。共模抑制比作用。鎖相環(huán)的組成。TTL和CMOS電平的對比。然后給出一個(gè)情景讓畫出卡羅圖化簡，并且畫出邏輯電路。畫出一個(gè)單片機(jī)的外圍結(jié)構(gòu)電路，有開門狗，存儲電路，復(fù)位電源等等。最后一個(gè)三極管放大電路計(jì)算。

10、 環(huán)旭電子：

（據(jù)說10k*13， 包住，有中餐）兩面，先筆試，在面試。筆試也主要考基礎(chǔ)。但對公司做的東西沒什么興趣。

筆試主要是：溫度升高，二極管導(dǎo)通電壓將（減小）。三極管放大截止電路的判斷。存儲電路的考察。二極管單向?qū)娐返目疾?。眼圖的作用，怎么觀察。解釋建立時(shí)間和保持時(shí)間。

11 、菲尼薩：

沒有筆試，就兩輪面試，技術(shù)面和HR面大概各50分鐘。

12 、兆芯：

部分職位有筆試，我投的崗位沒有筆試，四輪面試。總共用了3個(gè)小時(shí)?；旌想娐吩O(shè)計(jì)有筆試題。

SRAM最小電路的分析和改進(jìn)。

解釋建立時(shí)間保持時(shí)間。用最少資源寫16為加法器（FPGA）。

用靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的mos管畫或非門和非門。密勒效應(yīng)和應(yīng)用。

MOS管電流源噪聲的分析。還有幾個(gè)IC電路設(shè)計(jì)的不太會(huì)。

13 、中電集團(tuán)36所：

一輪面試。很簡單的問題。

14 、國家核電：

先面試，在體檢，在筆試，筆試大概3小時(shí)。

15、中國銀行：

筆試，4小時(shí)。然后面試。

16 、中國農(nóng)業(yè)銀行：

筆試3小時(shí)，然后面試。

17 、上海銀行：

筆試1小時(shí)，少量邏輯題目，然后就是性格測試，然后面試。

大概就寫到這里吧。想到其他的再補(bǔ)充?？偨Y(jié)的話，要通過筆試，模電數(shù)電一定要好好看看，二極管，三極管，運(yùn)放的計(jì)算一般是必考。數(shù)電里面畫與非門，或非門，化簡，觸發(fā)器也經(jīng)?？肌＿€有就是DC/DC，LDO也會(huì)有所涉及。另外存儲器一般也作為大題出現(xiàn)，應(yīng)該注意。最后PCB布板，高速電路中阻抗匹配，串?dāng)_，反射振鈴有時(shí)也會(huì)出現(xiàn)。