99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價位

電子工程師 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-10-09 10:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

三星前幾天發(fā)布了Q3季度財報預告,指出Q3季度運營利潤可達154.7億美元,同比大漲20%以上,將創(chuàng)造歷史新高。由于智能手機業(yè)務下滑,三星盈利大漲主要是靠內(nèi)存及閃存芯片,這部分貢獻的利潤占了80%以上。

現(xiàn)在形勢不同了,今年Q4季度預期內(nèi)存價格會下滑,而三星為了阻止內(nèi)存價格下滑將采取措施,日媒報道稱三星明年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對DRAM產(chǎn)品不會考慮拼占有率而降價,砍投資的目標是維持內(nèi)存高價位。

日經(jīng)新聞日前報道稱三星預估2019年DRAM內(nèi)存價格會下滑,因此為了延緩內(nèi)存降價的時間,三星將采取更為保守的政策,市場預估三星2019年在半導體設備上的投資額會比2018年下降。

從他們采訪的5位韓國分析師的表態(tài)來看,其中4位都認為三星明年會砍半導體設備投資,另外1位認為三星會增加投資,但增加的投資主要是面向晶圓代工業(yè)務的,針對存儲芯片業(yè)務的投資還是減少的。

雖然針對存儲芯片的投資總體會減少,但在DRAM內(nèi)存及NAND閃存上還是有區(qū)別的。SK證券分析師認為三星明年的半導體投資將減少8%,但NAND閃存投資是增加的,DRAM內(nèi)存則是大減20%,因為三星在這兩個產(chǎn)品上的策略是不同的。

在NAND閃存上,三星要拼市場占有率,增加投資擴大產(chǎn)能以便跟其他廠商搶市場,但在DRAM內(nèi)存上,三星不擔心市場占有率的問題(三星在DRAM市場上已經(jīng)是45%占有率,三家廠商中最高的了),他們的目標是盡可能減緩內(nèi)存降價的趨勢,維持高價位,畢竟三星DRAM內(nèi)存的毛利率超過70%,降價會影響盈利,因此減少20%的投資有利于減緩內(nèi)存降價的速度,維持高價位。

三星在DRAM內(nèi)存上的的態(tài)度及減少投資的做法也不讓人意外,早前就有報道稱三星一直在努力減緩內(nèi)存降價的趨勢,該公司高管在采訪中也不斷否認內(nèi)存需求下降的消息,力圖維持供應緊張之態(tài)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2349

    瀏覽量

    185655
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15888

    瀏覽量

    182363

原文標題:三星明年DRAM內(nèi)存投資大砍20%:想降價,沒門!

文章出處:【微信號:IC-008,微信公眾號:半導體那些事兒】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收
    發(fā)表于 05-19 10:05

    看點:三星DDR4內(nèi)存漲價20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能

    給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊: 三星DDR4內(nèi)存漲價20%? 存儲器價格跌勢結(jié)束,在2025年一季度和第二季度,價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報道稱,三星公司DDR4
    的頭像 發(fā)表于 05-13 15:20 ?693次閱讀

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HB
    發(fā)表于 04-18 10:52

    三星調(diào)整1cnm DRAM設計,力保HBM4量產(chǎn)

    據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設計進行重大調(diào)整。
    的頭像 發(fā)表于 02-13 16:42 ?726次閱讀

    三星電子否認1b DRAM重新設計報道

    據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關(guān)其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?581次閱讀

    三星2025年晶圓代工投資減半

    近日,據(jù)最新報道,三星計劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模,設備投資預算將從2024年的10萬億韓元銳減至5萬億韓元,削減幅度高達50%。 此次投資削減主要集中在韓國的兩大
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:32 ?625次閱讀

    三星否認重新設計1b DRAM

    據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?974次閱讀

    三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

    據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?597次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?635次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

    近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?864次閱讀

    三星或受內(nèi)存芯片價格下跌影響

    價格有望回升,但這一趨勢可能會受到其他地區(qū)芯片制造商供應增加的影響。這意味著,三星電子在內(nèi)存芯片市場的競爭壓力可能會進一步加劇。 基于上述分析,Park將三星的市凈率預期下調(diào)了18%。他認為,該股近期缺乏上漲動力,
    的頭像 發(fā)表于 11-27 11:22 ?783次閱讀

    英偉達加速認證三星AI內(nèi)存芯片

    近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認證工作的焦點在于
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:34 ?596次閱讀

    三星推出業(yè)界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片

    三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,其超高速度可達42.5Gbps,專為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據(jù)三星介紹,得益于多項改進與更新,該芯片相比前
    的頭像 發(fā)表于 10-22 15:13 ?2075次閱讀

    三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

    據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預計該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著
    的頭像 發(fā)表于 08-13 14:29 ?880次閱讀

    三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應用

    深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM內(nèi)存)開始量產(chǎn),支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固
    的頭像 發(fā)表于 08-06 08:32 ?662次閱讀