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LED壽命怎么衡量,光衰減百分比來規(guī)定

廣明源 ? 來源:未知 ? 作者:工程師曾玲 ? 2018-10-02 17:39 ? 次閱讀
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LED的長時間工作會光衰引起老化,尤其對大功率LED來說,光衰問題更加嚴(yán)重。在衡量LED的壽命時,僅僅以燈的損壞來作為 LED顯示屏壽命的終點是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,應(yīng)該以LED的光衰減百分比來規(guī)定LED的壽命,比如5%或10%,這樣更有意義。

光衰:在對感光鼓表面充電時,隨著電荷在感光鼓表面的積累,電位也不斷升高,最后達(dá)到 "飽和"電位,就是最高電位。

表面電位會隨著時間的推移而下降,一般工作時的電位都低于這個電位,這個電位隨時間自然降低的過程,稱之為"暗衰"過程。

感光鼓經(jīng)掃描曝光時,暗區(qū)(指未受光照射部分的光導(dǎo)體表面)電位仍處在暗衰過程;亮區(qū)(指受光照射部分的光導(dǎo)體表面)光導(dǎo)層內(nèi)載流子密度迅速增加,電導(dǎo)率急速上升,形成光導(dǎo)電壓,電荷迅速消失,光導(dǎo)體表面電位也迅速下降,稱之為"光衰",最后趨緩。

致衰退效應(yīng):也稱S-W效應(yīng)。

a-Si∶H薄膜經(jīng)較長時間的強光照射或電流通過,在其內(nèi)部將產(chǎn)生缺陷而使薄膜的使用性能下降,稱為Steabler-Wronski效應(yīng)。

對S-W效應(yīng)的起因,至今仍有不少爭議,造成衰退的微觀機制也尚無定論,成為迄今國內(nèi)外非晶硅材料研究的熱門課題。

總的看法認(rèn)為,S-W效應(yīng)起因于光照導(dǎo)致在帶隙中產(chǎn)生了新的懸掛鍵缺陷態(tài),這種缺陷態(tài)會影響a-Si:H薄膜材料的費米能級EF的位置,從而使電子的分布情況發(fā)生變化,進而一方面引起光學(xué)性能的變化,另一方面對電子的復(fù)合過程產(chǎn)生影響。這些缺陷態(tài)成為電子和空穴的額外復(fù)合中心,使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。

在a-Si:H薄膜材料中,能夠穩(wěn)定存在的是Si-H鍵和與晶體硅類似的Si-Si鍵,這些鍵的鍵能較大,不容易被打斷。

由于a-Si:H材料結(jié)構(gòu)上的無序,使得一些Si-Si鍵的鍵長和鍵角發(fā)生變化而使Si-Si鍵處于應(yīng)變狀態(tài)。

高應(yīng)變Si-Si鍵的化學(xué)勢與H相當(dāng),可以被外界能量打斷,形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如果斷裂的應(yīng)變Si-Si鍵沒有重構(gòu),則a-Si∶H薄膜的懸掛鍵密度增加。

為了更好地理解S-W效應(yīng)產(chǎn)生的機理并控制a-Si∶H薄膜中的懸掛鍵,以期尋找穩(wěn)定化處理方法和工藝,20多年來,國內(nèi)外科學(xué)工作者進行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍沒有形成統(tǒng)一的觀點。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:衡量LED壽命 探討LED光衰的原因!

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