晶體管是在硅晶片的表面附近形成晶。

為保證每個晶體管的獨立運行，需要阻止與之相鄰的晶體管的干擾。因此，晶體管的形成區(qū)域是相互隔離的。實現(xiàn)這樣的元件隔離的方法有好幾種。

在這里我們介紹的是一種叫做 STI（Shallow Trench Isolation）的技術(shù)，三重富士通用6張圖為大家解釋了該技術(shù)。

6 個步驟解密 STI 技術(shù)！

氧化+氮化膜生長

首先通過氧化硅晶片形成氧化硅膜，接著利用CVD法形成氮化硅膜。

抗蝕劑圖案形成

形成了一個抗蝕劑圖案。

淺溝槽形成

將抗蝕劑圖案作為掩模，通過蝕刻氮化硅膜、氧化硅膜、硅晶片以切割淺溝槽。當(dāng)淺溝槽被切割之后，去除抗蝕劑圖案。

埋氧膜生長

使用CVD法形成厚氧化硅膜以填充溝槽。

埋氧膜拋光

拋光表面去除多余氧化硅膜，使氧化硅膜僅留在溝槽內(nèi)部。

除氮化膜

通過化學(xué)處理去除氮化硅膜。

關(guān)于三重富士通半導(dǎo)體

三重富士通半導(dǎo)體是于2014年12月，承接富士通半導(dǎo)體的三重工廠300mm生產(chǎn)線及相關(guān)設(shè)施而新誕生的代工專業(yè)公司，是一家擁有汽車制造質(zhì)量等級的晶圓廠。如今，是日本最大規(guī)模的90nm到40nm的邏輯晶圓代工工廠，同時也是日本為數(shù)不多的 300mm晶圓代工工廠之一。

三重富士通半導(dǎo)體致力于依靠 DDC 晶體管實現(xiàn)最高級“超低功耗制程”及“內(nèi)存嵌入系統(tǒng)”的平臺構(gòu)建，并不斷推進RF 以及毫米波技術(shù)的研發(fā)，以滿足車載及 IoT 的市場需求。