多層片狀陶介電容器由陶瓷介質(zhì)、外部端電極、內(nèi)部金屬電極三種材料構(gòu)成，失效形式為金屬電極和陶介之間層錯(cuò)，電氣表現(xiàn)為受外力（如輕輕彎曲板子或用烙鐵頭碰一下）和溫度沖擊（如烙鐵焊接）時(shí)電容時(shí)好時(shí)壞。

多層片狀陶介電容器具體不良可分為:

1、熱擊失效

2、曲破裂失效

3、原材失效三個(gè)大類(lèi)

（１）熱擊失效模式

熱擊失效的原理是：在制造多層陶瓷電容時(shí)，使用各種兼容材料會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部出現(xiàn)張力的不同熱膨脹系數(shù)及導(dǎo)熱率。當(dāng)溫度轉(zhuǎn)變率過(guò)大時(shí)就容易出現(xiàn)因熱擊而破裂的現(xiàn)象，這種破裂往往從結(jié)構(gòu)最弱及機(jī)械結(jié)構(gòu)最集中時(shí)發(fā)生，一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面處、產(chǎn)生最大機(jī)械張力的地方（一般在晶體最堅(jiān)硬的四角），而熱擊則可能造成多種現(xiàn)象：

第一種是顯而易見(jiàn)的形如指甲狀或U-形的裂縫：

第二種是隱藏在內(nèi)的微小裂縫：

第二種裂縫也會(huì)由裸露在外的中央部份，或陶瓷/端接界面的下部。第一種形如指甲狀或U-形的裂縫和第二種隱藏在內(nèi)的微小裂縫，兩者的區(qū)別只是后者所受的張力較小，而引致的裂縫也較輕微。第一種引起的破裂明顯，一般可以在金相中測(cè)出，第二種只有在發(fā)展到一定程度后金相才可測(cè)。

（２）扭曲破裂失效

此種不良的可能性很多：按大類(lèi)及表現(xiàn)可以分為兩種：

第一種情況、SMT階段導(dǎo)致的破裂失效

當(dāng)進(jìn)行零件的取放尤其是SMT階段零件取放時(shí)，取放的定中爪因?yàn)槟p、對(duì)位不準(zhǔn)確，傾斜等造成的。由定中爪集中起來(lái)的壓力，會(huì)造成很大的壓力或切斷率，繼而形成破裂點(diǎn)。這些破裂現(xiàn)象一般為可見(jiàn)的表面裂縫，或2至3個(gè)電極間的內(nèi)部破裂；表面破裂一般會(huì)沿著最強(qiáng)的壓力線(xiàn)及陶瓷位移的方向。

真空檢拾頭導(dǎo)致的損壞或破裂﹐一般會(huì)在芯片的表面形成一個(gè)圓形或半月形的壓痕面積﹐并帶有不圓滑的邊緣。此外﹐這個(gè)半月形或圓形的裂縫直經(jīng)也和吸頭相吻合。