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格芯退出7nm軍備競賽,臺積電獨霸市場大獲全勝

ICExpo ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-08-31 17:32 ? 次閱讀
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全球第二大晶圓代工廠格芯昨(28)日意外宣布,將無限期擱置7納米計劃。業(yè)界解讀,格芯此舉等于退出7納米及更先進制程軍備競賽,7納米之后更先進制程晶圓代工市場將只剩下臺積電及三星,以臺積電在7納米的領先程度、以及幾乎囊括所有訂單來看,可說是獨霸市場大獲全勝。

就在格芯宣布將擱置7納米計劃的同時,過去一直依賴格芯提供晶圓代工產(chǎn)能的處理器大廠美商超微(AMD),由技術長Mark Papermaster出面宣布,超微已經(jīng)將7納米Vega繪圖芯片、7納米Rome服務器處理器都交由臺積電代工,超微未來所有7納米產(chǎn)品線將全數(shù)交由臺積電生產(chǎn),包括未來將推出的7納米Zen 2處理器及Navi繪圖芯片等。

未來在7納米及更先進制程的賽局中,將只剩下臺積電及三星。但臺積電7納米已進入量產(chǎn),進度上超前三星,因此包括蘋果、高通、超微、賽靈思(Xilinx)、輝達(NVIDIA)等訂單全都到手,在7納米市場可說大獲全勝,且明年支援極紫外光(EUV)的7+納米,及后年將量產(chǎn)的5納米,所有訂單也可望手到擒來。

格芯昨日宣布重要的轉(zhuǎn)型計劃,格芯依據(jù)新任執(zhí)行長Tom Caulfield年初所訂定的發(fā)展方向重整技術組合,以高度成長市場客戶為目標,聚焦在供應真正的差異化方案。其中主要的重點,在于格芯重新調(diào)整先進鰭式場效電晶體(FinFET)發(fā)展藍圖,將轉(zhuǎn)移開發(fā)資源提升14/12納米FinFET平臺對客戶的相關性,并提供一系列的創(chuàng)新矽智財(IP)與功能,包括射頻、內(nèi)嵌記憶體、低功耗及其他功能。格芯為了投入此項轉(zhuǎn)型,將無限期暫緩7納米FinFET計劃。

此外格芯2015年并購了IBM微電子部門,承接龐大IP專利及特殊應用芯片(ASIC)業(yè)務,為將相關資產(chǎn)效益最佳化,將成立獨立于晶圓代工業(yè)務之外的獨資子公司專責ASIC業(yè)務,類似臺積電轉(zhuǎn)投資創(chuàng)意或聯(lián)電轉(zhuǎn)投資智原的情況,以延續(xù)利用格芯在ASIC設計與IP領域的研發(fā)成果,同時也能協(xié)助客戶尋求格芯以外的7納米制程晶圓代工產(chǎn)能。

格芯表示,ASIC業(yè)務需要持續(xù)取得頂尖技術,這個獨立的ASIC子公司可提供客戶7納米及之后的替代晶圓代工選項,同時讓ASIC業(yè)務與更廣泛的客戶互動,特別是需要ASIC功能和格芯無法單獨因應制造規(guī)模及日益增多的系統(tǒng)公司。

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原文標題:格芯退出7nm 臺積電大獲全勝

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