近年來，俄羅斯下諾夫哥羅德洛巴切夫斯基國立大學（UNN）、印度理工學院焦特布爾校區(qū)和印度理工學院羅巴爾校區(qū)的科學家們一直致力于開發(fā)在紫外波段工作的日盲光探測器。這是電子技術領域的一項重要任務，因為它能切斷波長高于280nm的輻射，有助于避免日光的干擾，并記錄白天的紫外輻射。

UNN大學物理與技術研究所實驗室主任Alexey Mikhaylov說:“由于日盲光探測器對深紫外光高度敏感但對日光不敏感，所以能夠廣泛用于各種重要應用中，包括臭氧損傷檢測、噴氣發(fā)動機的監(jiān)測及火焰檢測。”

制造日盲光電探測器的主要材料是寬帶隙半導體。下諾夫哥羅德的科學家和印度的同事認為，氧化鎵()是一種很有前景的半導體，帶隙為4.4-4.9 eV，可以切斷波長超過260-280nm的輻射，探測到深紫外波段的輻射。

合成氧化鎵的現(xiàn)有方法非常復雜，與傳統(tǒng)的硅技術兼容性差。此外，通過這些方法獲得的膜層通常會有許多缺陷。利用離子注入（現(xiàn)代電子技術的基本技術）合成氧化鎵納米晶體，為開發(fā)日盲光探測器開辟了新的可能性。

該光探測器的光譜響應在250-270nm波段顯示出優(yōu)異的日盲紫外特性，探測器在250 nm波長處的響應度也高達50 mA/μW。光探測器的暗電流非常低，只有0.168 mA。

制造這種探測器的過程包括通過離子注入在硅層上的氧化鋁薄膜中合成氧化鎵納米晶體。UNN大學的科學家在世界上首次實現(xiàn)了以這種方式制造探測器。

Mikhaylov說:“通過在離子注入的輔助下制造這種光探測器，將有可能適用現(xiàn)有的硅技術制造新一代設備。”