2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌，由于市場(chǎng)需求增長(zhǎng)平緩，業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢(shì)，隨著國(guó)際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時(shí)代技術(shù)堆疊，2019年QLC(Quad-Level Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代，帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí)，加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車(chē)追趕國(guó)際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。

美光(Micron)與英特爾(Intel)于5月發(fā)布全球首款QLC 3D NAND技術(shù)SSD，宣告2018年進(jìn)入QLC量產(chǎn)元年，目標(biāo)市場(chǎng)鎖定數(shù)據(jù)中心應(yīng)用領(lǐng)域。近期三星電子(Samsung Electronics)宣布將針對(duì)消費(fèi)性市場(chǎng)推出QLC SSD產(chǎn)品，采用64層3D NAND堆疊生產(chǎn)，最大容量將達(dá)到4TB，后續(xù)將再推出企業(yè)用QLC SSD。

存儲(chǔ)器業(yè)者指出，2018年以來(lái)NAND Flash價(jià)格走勢(shì)疲弱，消費(fèi)性市場(chǎng)搭載大容量SSD產(chǎn)品需求與滲透率持續(xù)成長(zhǎng)，盡管QLC具有更高容量和成本優(yōu)勢(shì)，然因單位體積容量增加與存儲(chǔ)密度增大，廠商要確保產(chǎn)品速度和性能水平并不容易，三星聲稱(chēng)已可實(shí)現(xiàn)QLC SSD與TLC同等級(jí)的性能，未來(lái)高容量SSD擁有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，可望提升ODM廠商搭載意愿，包括筆記本電腦(NB)搭載SSD主流規(guī)格將朝向1TB邁進(jìn)。

由于SSD容量發(fā)展速度已明顯快于HDD，意味著SSD將加快取代HDD的腳步，尤其三星推出消費(fèi)性QLC SSD搶市后，業(yè)界預(yù)期東芝(Toshiba)96層QLC 3D NAND亦可望跟進(jìn)推出，2019年全球存儲(chǔ)器原廠QLC SSD產(chǎn)品相繼問(wèn)世，存儲(chǔ)器模塊廠亦將推出新品上市，帶動(dòng)SSD容量升級(jí)及價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)白熱化。

SK海力士則推出全球首款4D NAND TLC產(chǎn)品，芯片面積更小、處理工時(shí)縮短且成本降低，其采用96層堆疊技術(shù)，I/O接口速度為1.2Gbps，預(yù)計(jì)2018年第4季推出樣品，同時(shí)投入4D QLC研發(fā)，可望于2019年下半推出樣品。

值得注意的是，在國(guó)內(nèi)發(fā)展存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化的聲浪下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)日前亦推出全新3D NAND架構(gòu)Xtacking，首要特點(diǎn)在于大幅提升I/O接口速度，具備3D NAND多層堆疊的更高存儲(chǔ)密度，并可減少上市周期。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)指出，Xtacking可將I/O接口速度提升到3Gbps，相當(dāng)于DRAM DDR4的速度，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間可縮短3個(gè)月，生產(chǎn)周期縮短20%，可加速3D NAND產(chǎn)品上市，Xtacking技術(shù)將應(yīng)用于第二代3D NAND產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2019年進(jìn)入量產(chǎn)。

業(yè)界認(rèn)為長(zhǎng)江存儲(chǔ)積極超車(chē)趕上的態(tài)勢(shì)，加上第4季32層NAND將進(jìn)入量產(chǎn)，2019年能否快速擴(kuò)大量產(chǎn)及鋪貨將是觀察重點(diǎn)，即使目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND技術(shù)仍落后國(guó)際大廠，但市場(chǎng)價(jià)格制約力量將逐漸形成，并為NAND Flash市場(chǎng)波動(dòng)帶來(lái)新變量。