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簡介擴散爐中PLCFA-M3的應用方法

電子設(shè)計 ? 作者:工程師之余 ? 2018-11-12 14:30 ? 次閱讀
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PLC = Programmable Logic Controller,可編程邏輯控制器,一種數(shù)字運算操作的電子系統(tǒng),專為在工業(yè)環(huán)境應用而設(shè)計的。它采用一類可編程的存儲器,用于其內(nèi)部存儲程序,執(zhí)行邏輯運算,順序控制,定時,計數(shù)與算術(shù)操作等面向用戶的指令,并通過數(shù)字或模擬式輸入/輸出控制各種類型的機械或生產(chǎn)過程。是工業(yè)控制的核心部分。

橫河PLC FA-M3在擴散爐上的應用。擴散爐工作區(qū)間內(nèi)(800到1000mm)一般需要±01℃(個別要求±0.5℃)。擴散爐是集成電路生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一,它的主要用途是對半導體進行摻雜,即在高溫條件下將摻雜材料擴散入硅片,從而改變和控制半導體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布,以便建立起不同的電特性區(qū)域。雖然某些工藝可以使用離子注入的方法進行摻雜,但是熱擴散仍是最主要、最普遍的摻雜方法。硅的熱氧化作用是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應,生長一層二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化(含氫氧合成)兩種,擴散爐是用這兩種氧化方法制備氧化層的必備設(shè)備。擴散爐是半導體集成電路工藝的基礎(chǔ)設(shè)備,它與半導體工藝互相依存、互相促進、共同發(fā)展。

擴散爐工作區(qū)間內(nèi)(800到1000mm)一般需要±01℃(個別要求±0.5℃)。多數(shù)情況下只使用外溫控制,內(nèi)溫只在數(shù)據(jù)測試(Profiling)和2-3周一次的矯正時使用。不同晶片及數(shù)量的要求內(nèi)溫相對外溫設(shè)定值由profiling給出。使用內(nèi)溫時,使用串級控制,內(nèi)溫輸出作為外溫設(shè)定值使用。

控制難點:

1:溫度精度的保持。+0.1度需要相當?shù)目刂乒に嚕?a href="http://www.socialnewsupdate.com/tags/pi/" target="_blank">PID參數(shù))積累。

2:程序的自由度。多組目標值數(shù)據(jù)要存儲并自由切換。避免干涉。

3:電熱絲斷線預警;通常使用CT監(jiān)測電流,配以電壓監(jiān)視。也有使用監(jiān)視同等條件下的輸出變化(比如從60%升高到70%)來判斷老化程度給出預警。

FA-M3適用模塊:

各電熱絲溫度控制-----F3CU04-1S:

☆提供200ms周期,0.1度的高精度控制,溫度控制曲線條數(shù)不受限制。

☆單系統(tǒng)最多144loop溫控控制,節(jié)省了大量的安裝空間,控制更靈活,方便聯(lián)網(wǎng)擴展。

☆各點獨立,不必加裝隔離柵,減少電熱絲間干擾。

☆由于是模塊式,不再需要PLC與溫度調(diào)節(jié)器間繁瑣的通信編程和布線。

☆使用專用軟件設(shè)定PID/測試/監(jiān)視。不必使用記錄儀輔助。多路圖彩監(jiān)視為調(diào)試提供了方便。

其他-----斷線檢測和e-RT3智能CPU

☆檢測加熱器電流的下限,斷線報警。

☆補償電源電壓變動,以防止誤報警。

☆e-RT實時系統(tǒng)CPU完成主控部和溫度控制部處理,代替?zhèn)鹘y(tǒng)PC,系統(tǒng)更穩(wěn)定。

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