近兩年以來，全球內(nèi)存芯片市場價格持續(xù)飆升，多次刷新了行業(yè)認(rèn)知。其中，DRAM內(nèi)存漲價現(xiàn)象尤為明顯。除了上游產(chǎn)能不足之外，下游市場的旺盛需求也是最大的推動因素。在此帶動下，全球內(nèi)存芯片市場規(guī)模自然水漲船高。市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insight也預(yù)測，2018年全球DRAM內(nèi)存芯片總價值將首次突破1000億美元大關(guān)。

▲來源：IC Insight

韓國企業(yè)獲利最多

我們都知道，全球存儲芯片市場主要被幾家企業(yè)把控。

其中，DRAM領(lǐng)域全球主要生產(chǎn)廠商只有三星、海力士和鎂光三家爭霸，而三星一家獨(dú)占了全球市場的45%。而在NAND閃存方面，三星、東芝、鎂光和海力士四家占據(jù)了全球超過90%的市場，而僅三星一家就占據(jù)了37%市場份額。另外，海力士在DRAM內(nèi)存和NAND閃存方面也分別占據(jù)了28%及10%市場份額。

由此可見，自2016年開始的存儲芯片漲價潮，韓國企業(yè)獲利最多，對于企業(yè)營收貢獻(xiàn)也非常明顯，三星電子就是一個很好的案例。

▲圖 | 三星電子DS部門銷售額（芯師爺制圖）

據(jù)了解，2018年上半年三星電子DS部門銷售額為56.05萬億韓元，在三星集團(tuán)整體銷售額中占比47.1%。而生產(chǎn)智能手機(jī)的IT&移動通信銷售額為52.42萬億韓元，在三星集團(tuán)整體銷售額中占比44.1%。這也是三星集團(tuán)DS部門銷售額首次超過IT&移動通信事業(yè)部，其中存儲芯片起到了巨大推動作用。

對于三星電子DS部門而言，數(shù)據(jù)中心使用的DRAM芯片和大容量存儲的NAND閃存需求持續(xù)旺盛，推動半導(dǎo)體業(yè)務(wù)繼續(xù)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁盈利。除此之外，三星電子其他業(yè)務(wù)表現(xiàn)低迷，特別是智能手機(jī)方面。由此可見，存儲業(yè)務(wù)已經(jīng)成為三星電子業(yè)績最主要推動力，對于其后續(xù)表現(xiàn)非常重要。

市場迎來新的玩家

對于全球存儲市場而言，在經(jīng)過多年調(diào)整之后，已經(jīng)只剩下幾個巨頭，但是國內(nèi)存儲芯片領(lǐng)域的快速崛起，將打破這一格局。其中，主要以長江存儲、福建晉華集成電路公司、安徽合肥Innotro存儲公司為主。

在DRAM芯片方面，晉華已經(jīng)開始了8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片的試生產(chǎn)。預(yù)計(jì)在2018年年底之前，晉華和聯(lián)華電子共同開發(fā)的第一代DRAM內(nèi)存生產(chǎn)工藝將投入使用。而Innotron公司已經(jīng)對外展示了使用19nm技術(shù)生產(chǎn)的8Gb DDR4內(nèi)存芯片工程樣片，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)于 2018 年底上市，計(jì)劃于 2019 年上半年正式量產(chǎn)。

另外，在NAND閃存方面，長江存儲已經(jīng)獲得了一萬套32層3D NAND閃存芯片的訂單。而其正在研發(fā)的64層3D NAND閃存，計(jì)劃在2018年年底前推出樣品。

而就在本月7號，長江存儲也首次公布了其新開發(fā)的3D NAND架構(gòu)Xtacking的技術(shù)細(xì)節(jié)。并成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段，將應(yīng)用于智能手機(jī)、個人計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域。

長江存儲預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。

由此可見，經(jīng)過幾年的前期投入，國內(nèi)儲存領(lǐng)域即將進(jìn)入產(chǎn)能釋放期。對于全球市場而言，也是一股無法忽視的力量。

2019年價格拐點(diǎn)將至？

面對存儲市場的旺盛需求，不僅僅是國內(nèi)廠商在加緊投資布局，全球巨頭三星和海力士也沒有閑下來，進(jìn)一步投資爭搶市場。

2017年8月30日，三星電子與陜西省政府簽署了投資合作協(xié)議，追加投資70億美元，在西安高新綜合保稅區(qū)內(nèi)建設(shè)三星（中國）半導(dǎo)體有限公司存儲芯片二期項(xiàng)目，以應(yīng)對全球IT市場對高端V-NAND產(chǎn)品需求的增加。2018年初，該項(xiàng)目已經(jīng)正式啟動。

另外，海力士也宣布將投資134億美元（約合人民幣916億元）在韓國建設(shè)新的內(nèi)存工廠，并計(jì)劃于2020年建成投產(chǎn)，目前還不確定產(chǎn)品類型和產(chǎn)能。

通過以往存儲市場走勢來看，產(chǎn)能的釋放勢必將帶來存儲價格的下調(diào)，NAND閃存就是一個很好的案例。目前，NAND閃存芯片價格已經(jīng)大幅回落，然而DRAM內(nèi)存芯片依舊居高不下。

從上面進(jìn)程我們也不難發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)三大存儲廠商將集中在2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。但據(jù)芯師爺觀察，這三家企業(yè)2019年月產(chǎn)能還還比較低，真正的產(chǎn)能釋放還要到2020年。其中，長江存儲預(yù)計(jì)2020年月產(chǎn)能為30萬片，福建晉華則預(yù)計(jì)為24萬片。

目前，海力士在無錫的DRAM芯片晶圓廠，是全球重要的DRAM芯片基地之一。目前，一期工程產(chǎn)能在10-12萬片晶圓/月，預(yù)計(jì)二期建成后產(chǎn)能將達(dá)到20萬片晶圓/月。

由此可見，國內(nèi)廠商產(chǎn)能最快將在2020年才會對全球市場帶來重要影響，2019年僅僅是一個開端。但對于國內(nèi)存儲市場而言，2019年被稱為拐點(diǎn)也合情合理，至少是打破了國外巨頭長期壟斷局面。