開(kāi)關(guān)電源之--磁學(xué)基礎(chǔ)

磁學(xué)基本定律

（1）：均勻恒定磁場(chǎng)中，與磁場(chǎng)同方向的兩點(diǎn)之間的磁動(dòng)勢(shì)為：

F = Hl

其中，H ：為磁場(chǎng)強(qiáng)度；

l ：為兩點(diǎn)間的距離。

（2）：均勻恒定磁場(chǎng)中，垂直穿過(guò)某一面積的總磁通為：

其中，B ：為磁通強(qiáng)度；

Ac：包圍所穿過(guò)磁通的面積。

（3）：鐵芯中的磁通密度與磁場(chǎng)強(qiáng)度之間的關(guān)系：

B = μH

其中，μ=μrμo：為鐵芯材料的導(dǎo)磁率，μo為真空的導(dǎo)磁率，μr為鐵芯材料的相對(duì)導(dǎo)磁率， μo= 4Π ×10-7H /m，μr= 103~ 106

（4）：法拉第電磁感應(yīng)定律：

變化的磁通會(huì)在線圈中感應(yīng)電壓，大小滿足上述公式，其中n 為線圈的匝數(shù)，方向由棱次定律判斷。

（5）：棱次定律：

由磁通感應(yīng)的電壓，企圖產(chǎn)生一個(gè)電流，此電流產(chǎn)生的磁通將使穿過(guò)線圈的總磁通減小。具體是伸出左手，用拇指對(duì)準(zhǔn)磁通的方向，則四指所指的方向即為感應(yīng)電流的方向。

（6）：安培定律：

鐵芯內(nèi)的磁場(chǎng)是由外加線圈中的電流所產(chǎn)生的，其大小滿足上述公式。

磁學(xué)與電學(xué)的相似性

磁學(xué)與電學(xué)的相似性總結(jié)成下表：

磁學(xué)的基本單位

磁學(xué)的基本單位總結(jié)成下表：

磁芯材料的BH 曲線

典型磁芯材料的 BH 曲線為：

磁路的基本元件—磁阻

（1）：物理結(jié)構(gòu)：

（2）：數(shù)學(xué)關(guān)系：

F = ΦR 或磁路歐姆定律：Φ=F/R

其中：R=l/μAc為上述磁路的磁阻。

（3）：磁路模型：

磁路的KCL定律

磁路的 KCL 定律：

進(jìn)入節(jié)點(diǎn)的磁通和離開(kāi)節(jié)點(diǎn)的磁通相等。

磁路的KVL定律

磁路的 KVL 定律：

封閉磁路的磁動(dòng)勢(shì)之和為零

復(fù)雜磁路的分析步驟

第一步：將實(shí)際的磁路畫(huà)成等效的集中磁路；

第二步：計(jì)算各磁路元件的磁阻；

第三步：用磁路 KCL，KVL 定律計(jì)算磁通，磁密和磁場(chǎng)強(qiáng)度；

第四步：計(jì)算其它的變量。

鐵芯的磁滯損耗

(1): 鐵芯結(jié)構(gòu)：

(2): 鐵芯的磁滯損耗：

當(dāng)磁芯材料一定時(shí)：

-- 鐵芯的磁滯損耗與鐵芯的體積成正比；

-- 鐵芯的磁滯損耗與激勵(lì)的頻率成正比；

-- 在不同拓?fù)渲?，B-H 面積不同，由上式可知：一周期中，因激磁，去磁包圍的面積愈大，則磁滯損耗也愈大，故各拓?fù)洌ㄈ珉p正激和半橋）都有最佳工作頻率。

鐵芯的渦流損耗

(1): 鐵芯結(jié)構(gòu)：

(2): 鐵芯的渦流損耗：

原因：鐵芯截面的感應(yīng)電壓，如鐵芯是電導(dǎo)體，則此感應(yīng)電壓將產(chǎn)生圖中所示方向的感應(yīng)電流。進(jìn)而在鐵芯中產(chǎn)生功耗。

鐵芯的渦流，與激勵(lì)頻率成正比，與鐵芯的電阻成反比。

-- 與激勵(lì)頻率的平方成正比，與鐵芯的電阻成反比；

-- 高飽和磁密的鐵芯，如硅鋼片，因渦流損耗，一般只能用作 DC 濾波電感和低頻變壓器；

-- 高頻變壓器需要用高電阻率的鐵芯，如鐵氧體。

實(shí)際鐵芯損耗的經(jīng)驗(yàn)公式

經(jīng)驗(yàn)公式：

其中：公式中的系數(shù)可從鐵芯制造商的手冊(cè)中查得。對(duì)于鐵氧體：β 在2.6~2.8 之間。

單繞組鐵芯元件-電感

(1)：物理結(jié)構(gòu)：

(2)：電感量計(jì)算公式：

(3)：作為直流濾波電感不飽和的條件：

繞組的低頻損耗

(1)：繞組的低頻等效電路：

(2)：繞組的低頻損耗：

其中：Irms為流過(guò)電流的有效值； R 為繞組的低頻電阻。

繞組的高頻集膚效應(yīng)

(1)：集膚效應(yīng)示意圖：

(2)：繞組的穿透深度（集膚深度）

其中： ρ為繞組的電阻率，μo為真空的導(dǎo)磁率。

(3)：100°的銅導(dǎo)體，集膚深度為：

-- 頻率愈高，集膚深度愈?。?/p>

-- 當(dāng)導(dǎo)體載有高頻電流時(shí)，其真正導(dǎo)電的僅僅是表面，故單根導(dǎo)線的線經(jīng)應(yīng)小于或等于集膚深

度，否則將浪費(fèi)材料；

-- 高頻時(shí)，導(dǎo)體的損耗更大。因電流集中在表面，內(nèi)部的導(dǎo)體沒(méi)有導(dǎo)電。

繞組的高頻鄰近效應(yīng)

(1)：鄰近效應(yīng)示意圖：

(2)：多層繞組總的銅耗

(3)：多層繞組的低頻損耗：

(4)：多層繞組的總損耗/低頻損耗：