作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術——XtackingTM。據(jù)知情人士透露，這之前存儲一直都是三星的強項。

長江存儲稱，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，及更短的產(chǎn)品上市周期。

采用XtackingTM，可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。

當兩片晶圓各自完工后，XtackingTM技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

閃存和固態(tài)硬盤領域的知名市場研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認為：“隨著3D NAND更新?lián)Q代，在單顆NAND芯片存儲容量大幅提升后，要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難。若要推動SSD性能繼續(xù)提升，更快的NAND I/O速度及多plane并行操作功能將是必須的?！?/p>

長江存儲CEO楊士寧博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業(yè)來講將是顛覆性的?！?/p>

傳統(tǒng)3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。XtackingTM技術將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。

XtackingTM技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優(yōu)勢，實現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設計及制造，產(chǎn)品開發(fā)時間可縮短三個月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。

長江存儲已將Xtacking TM技術應用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。該產(chǎn)品預計于2019年進入量產(chǎn)階段。

長江存儲稱，通過與客戶、行業(yè)合作伙伴和行業(yè)標準機構合作，Xtacking TM技術將應用于智能手機、個人計算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應用等領域，將開啟高性能、定制化NAND解決方案新篇章。

資料顯示，長江存儲成立于2016年7月，是一家集芯片設計、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售服務于一體的存儲器解決方案企業(yè)，總部位于湖北武漢。

長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產(chǎn)品和解決方案，廣泛應用在移動通信、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子等領域。

長江存儲借助全資子公司武漢新芯超過10年的12英寸先進集成電路技術研發(fā)與生產(chǎn)制造經(jīng)驗基礎，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅動模式，于2017年研制了中國的第一顆3D NAND閃存芯片。