本文介紹了2.7V法拉電容的充電方法和注意事項(xiàng)。充電前需確認(rèn)電容參數(shù)和選擇限流方式,充電過(guò)程中需監(jiān)控并控制電壓,多電容并聯(lián)充電需
發(fā)表于 07-04 09:28
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一、方案說(shuō)明 通過(guò)MCU檢測(cè)充電樁的狀態(tài)(電池電量,工作狀態(tài)等),以及通過(guò)藍(lán)牙去控制充電樁和電車,比如(充電,斷電,報(bào)警等等) 提供便捷的充電
發(fā)表于 06-18 15:49
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隨著新能源汽車充電功率需求的持續(xù)攀升,交流充電樁的測(cè)試精度直接影響著設(shè)備認(rèn)證與電網(wǎng)交互質(zhì)量。高精度負(fù)載系統(tǒng)需在寬電壓范圍(85-264V AC)、全功率段(3.3-22kW)內(nèi)實(shí)現(xiàn)±0.1%級(jí)別
發(fā)表于 04-15 11:07
大佬們,我現(xiàn)在需要同時(shí)對(duì)六個(gè)電容并聯(lián)充電,充電完成之后通過(guò)電路結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換成串聯(lián),當(dāng)然充電事件是通過(guò)單片機(jī)控制的,但是現(xiàn)在我不知道怎么設(shè)計(jì)電路結(jié)構(gòu)能從并
發(fā)表于 04-14 19:47
一、方案說(shuō)明
通過(guò)MCU檢測(cè)充電樁的狀態(tài)(電池電量,工作狀態(tài)等),以及通過(guò)藍(lán)牙去控制充電樁和電車,比如(充電,斷電,報(bào)警等等)
提供便捷的充電
發(fā)表于 04-07 13:54
專業(yè)化的安全測(cè)試負(fù)載方案進(jìn)行系統(tǒng)性驗(yàn)證。本文針對(duì)直流充電安全測(cè)試需求,深入解析關(guān)鍵技術(shù)及實(shí)施方案。
一、安全測(cè)試的核心挑戰(zhàn)
故障場(chǎng)景多樣性
需模擬充電過(guò)程中的12類典型故障(如絕緣失效
發(fā)表于 03-13 14:38
基于20年變頻技術(shù)積累,創(chuàng)新推出 高精度并聯(lián)相位同步方案 ,實(shí)現(xiàn)多機(jī)并聯(lián)誤差≤0.05°、動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間<10ms,助力企業(yè)突破功率瓶頸。 做測(cè)試時(shí)你是否遇到以后困擾? 1、 環(huán)流損耗 :相位不同步導(dǎo)致設(shè)備間環(huán)流,輕則效率下降5%
發(fā)表于 03-12 17:22
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隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵)關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設(shè)計(jì)指南。本文將繼續(xù)講解
發(fā)表于 02-28 15:50
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【節(jié)能學(xué)院】充電樁運(yùn)營(yíng)解決方案
發(fā)表于 02-07 08:03
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在充電的時(shí)候切斷CC1和CC2才能充進(jìn)去,這個(gè)時(shí)候手機(jī)通信就斷開了,不知道有沒(méi)有什么聯(lián)系?求助求方案啊,到時(shí)候加聯(lián)系方式給一些資金補(bǔ)償都行,求大神相助。用的是小米手機(jī)。
發(fā)表于 12-11 08:44
。本文將從專業(yè)的角度,詳細(xì)探討MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的原理、挑戰(zhàn)、解決方案和實(shí)際應(yīng)用。隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體
發(fā)表于 12-04 01:07
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各位大俠,
電池并聯(lián)的充電電路,一直困擾我,網(wǎng)上看到很多關(guān)于串聯(lián)的很多成熟的解決方法,但是關(guān)于并聯(lián)的很少,我能想到的是,給每個(gè)電池單獨(dú)配置一個(gè)充電芯片,不知道我的這個(gè)方法是不是太直接,
發(fā)表于 10-27 18:47
充電樁是向電動(dòng)汽車提供能源補(bǔ)給的設(shè)備。充電樁的功能類似于加油站中的加油機(jī),其輸入端直接連接到交流電網(wǎng),輸出端則通過(guò)充電插頭為電動(dòng)汽車的電池充電。充電
發(fā)表于 09-28 08:07
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難以滿足這些應(yīng)用的需求。因此,大功率IGBT和SiCMOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)成為了一種有效的解決方案。本文將介紹并聯(lián)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要點(diǎn),并推薦安森美(onsemi)的幾款相應(yīng)產(chǎn)品。
發(fā)表于 08-01 15:27
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濾波作用,但是又和一般的RC低通濾波電路原理不一樣,由電容特性原理可知,電容兩端電壓不突變,信號(hào)加在阻容并聯(lián)結(jié)構(gòu)上邊,對(duì)電容充電電容電壓慢慢升高,電容鉗制了電阻電壓的上升。但是能不能像低通濾波器那樣,給出一個(gè)傳遞方程呢?從量的角度分析這種電路結(jié)構(gòu)濾波的原理?
發(fā)表于 07-26 23:38
評(píng)論