應(yīng)用于高密度電源設(shè)計(jì)的GaN半導(dǎo)體材料
GaN 半導(dǎo)體材料有二種基本結(jié)構(gòu)：纖鋅礦（Wurtzite， WZ）和閃鋅礦（Zinc blende， ZB）。常溫常壓下惟有纖鋅礦結(jié)構(gòu)為穩(wěn)定相。纖鋅礦結(jié)構(gòu)由兩套六角密堆積子格子沿c 軸方向平移3c/8 套構(gòu)而形成，所屬空間群為或P63mc。
視頻中介紹了氮化鎵（GaN）功率器件的概述， 以及深入地討論了如何利用GaN產(chǎn)品進(jìn)行可靠， 高密度GaN電路的設(shè)計(jì)， 特別針對(duì)99%效率的PFC以及1MHz的LLC電路設(shè)計(jì)。
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