近期我們使用DriveMaster對幾款NVMe SSD進行了功耗測試，具體步驟如下：

設(shè)置SSD的Power State

格式化SSD

Idle 10分鐘，并測量其工作電流

進行隨機寫 盤容量的20%，并測量其工作電流

Idle 1分鐘，并測量其工作電流 （時間可調(diào)）

切換到下一個Power State再進行以上測試

PS：測試的Power State為0~2

從log截圖可以看到，DriveMaster會統(tǒng)計測試過程中各種數(shù)據(jù)，包括：

電流

IOPS

SSD的溫度 – 通過抓SMART獲得

截至該時刻的總功耗

當(dāng)前寫入1G數(shù)據(jù)所需的功耗

我們選取了幾款SSD進行測試，分別是：

Kingston KC1000

LiteOn T11

Plextor M8

Samsung 960EVO

Kingston KC1000結(jié)果

KC1000的Idle功耗和Active功耗在不同Power State下，基本上沒有差別

KC1000的IOPS在不同Power State下，基本上沒有差別，在Power State 2下抖動略有增加

KC1000的每GB寫入功耗在不同Power State 0,1下差別不大，在Power State 2下抖動有明顯增加

LiteON T11結(jié)果

T11不同Power State下的IOPS，功耗和每GB寫入功耗沒有太大差別；

T11的IOPS，功耗和每GB寫入功耗抖動非常劇烈；

Plextor M8結(jié)果

Plextor M8的Idle功耗和Active功耗，從Power State 0到Power State 2逐漸下降；

Plextor M8的IOPS，從Power State 0到Power State 2逐漸下降；

Plextor M8的每GB寫入功耗，從Power State 0到Power State 2逐漸上升；（IOPS下降的幅度超過功耗下降，從而導(dǎo)致單位數(shù)據(jù)寫入需要更多的功耗）

Samsung 960EVO結(jié)果

Samsung 960EVO的Idle功耗和Active功耗，從Power State 0到Power State 1差別不大，到Power State2有所下降；

Samsung 960EVO的IOPS，從Power State 0到Power State 1差別不大，到Power State2明顯下降；

Samsung 960EVO的每GB寫入功耗，從Power State 0到Power State 1差別不大，到Power State2明顯上升；（IOPS下降的幅度超過功耗下降，從而導(dǎo)致單位數(shù)據(jù)寫入需要更多的功耗）

因為SSD的類型，配置有所差異，以下的橫向?qū)Ρ葍H供參考。

IOPS橫向?qū)Ρ?/p>

功耗橫向?qū)Ρ?/p>