據(jù)外媒報(bào)道，今天，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來(lái)處理器的性能和功耗都能會(huì)獲得巨大進(jìn)步。

多年以來(lái)，技術(shù)的發(fā)展都在遵循摩爾定律，即當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買(mǎi)到的電腦性能，將每隔18-24個(gè)月翻一倍以上。眼下，我們使用的主流芯片制程為14nm，而明年，整個(gè)業(yè)界就將開(kāi)始向10nm制程發(fā)展。

不過(guò)放眼未來(lái)，摩爾定律開(kāi)始有些失靈了，因?yàn)閺男酒闹圃靵?lái)看，7nm就是物理極限。一旦晶體管大小低于這一數(shù)字，它們?cè)谖锢硇螒B(tài)上就會(huì)非常集中，以至于產(chǎn)生量子隧穿效應(yīng)，為芯片制造帶來(lái)巨大挑戰(zhàn)。因此，業(yè)界普遍認(rèn)為，想解決這一問(wèn)題就必須突破現(xiàn)有的邏輯門(mén)電路設(shè)計(jì)，讓電子能持續(xù)在各個(gè)邏輯門(mén)之間穿梭。

此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來(lái)制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔(dān)起原本半導(dǎo)體的職責(zé)，而納米碳管則負(fù)責(zé)控制邏輯門(mén)中電子的流向。

眼下，這一研究還停留在初級(jí)階段，畢竟在14nm的制程下，一個(gè)模具上就有超過(guò)10億個(gè)晶體管，而要將晶體管縮小到1nm，大規(guī)模量產(chǎn)的困難有些過(guò)于巨大。

不過(guò)，這一研究依然具有非常重要的指導(dǎo)意義，新材料的發(fā)現(xiàn)未來(lái)將大大提升電腦的計(jì)算能力。

據(jù)白宮官網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)東部時(shí)間22日，2015年美國(guó)最高科技獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)名單公布，包括9名國(guó)家科學(xué)獎(jiǎng)獲得者（National Medal of Science）和8名國(guó)家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)（National Medal of Technology and Innovation）獲得者。其中美籍華人科學(xué)家胡正明榮獲年度國(guó)家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)。

胡正明教授是鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）的發(fā)明者，如今三星、臺(tái)積電能做到14nm/16nm都依賴(lài)這項(xiàng)技術(shù)。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在***長(zhǎng)大，后來(lái)考入加州大學(xué)伯克利分校。

在華為海思麒麟950的發(fā)布會(huì)上，胡正明教授曾現(xiàn)身VCR，據(jù)他介紹，F(xiàn)inFET的兩個(gè)突破，一是把晶體做薄后解決了漏電問(wèn)題，二是向上發(fā)展，晶片內(nèi)構(gòu)從水平變成垂直。

胡認(rèn)為，F(xiàn)inFET的真正影響是打破了原來(lái)英特爾對(duì)全世界宣布的將來(lái)半導(dǎo)體的限制，這項(xiàng)技術(shù)現(xiàn)在仍看不到極限。

2010年后，Bulk CMOS工藝技術(shù)在20nm走到盡頭，胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發(fā)明得以使摩爾定律在今天延續(xù)傳奇。