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2018年世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)估將首度超過1000億美元

集成電路園地 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-06-16 16:57 ? 次閱讀
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據(jù)IC Insights預(yù)測,2018年世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)估將首度超過1000億美元,預(yù)計可達到1026億美元,較2017年增長14%,較2016年增長53—54%左右。

其他一些主要廠商如聯(lián)電(2018年支出20億美元)、東芝(繼續(xù)有意進行單獨的晶圓制程)、德儀、意法、閃迪/西數(shù)等等,2018年將有所加大投入。

據(jù)集邦拓璞產(chǎn)研院數(shù)據(jù)評估,2018年將是中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)建線安裝的熱潮期,如中芯國際投資19億美元提升至23億美元(約150億元人民幣)用于14nmFinFET風(fēng)險試產(chǎn),2020年試用EUV推進7nm研制。上海華力第二工廠(Fab6)首臺ASML制造的NXT1980Di光刻機首臺入廠,其他設(shè)備緊緊跟入;上海華虹集團在2018年規(guī)劃總投入387億元人民幣,建12英寸4萬片/月,工藝技術(shù)為28-14nm,預(yù)期在2022年達產(chǎn),主產(chǎn)邏輯芯片,年前可進入安裝調(diào)試,可實現(xiàn)產(chǎn)線流片(華力二廠);華虹無錫工廠12吋生產(chǎn)線投資近100億美元,現(xiàn)進入基建工程。長江存儲總投資240億美元,2020年達月產(chǎn)30萬片,現(xiàn)193nm浸潤式光刻機入廠,用于20-14nm工藝,2018年3D NAND試產(chǎn),2019年64層(128GB)量產(chǎn)。

另有福建晉華集成(投資370億元人民幣)、中芯國際北方(投資40億美元)、合肥長鑫(投資72億美元)、德淮半導(dǎo)體(投資150億元人民幣)、江蘇時代芯存(投入130億元)都進入設(shè)備安裝期和試產(chǎn)期,設(shè)備投資比重更大。同時國內(nèi)還有較多8吋線投資等。

在2018年世界集成電路制造設(shè)備投資中可看出,2018世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入力度正在加大,據(jù)SEMI報道,2018年世界集成電路制造設(shè)備市場規(guī)劃投資預(yù)計為600—630億美元(有報道稱可達700億美元左右),同比增長7.5%-11.0%。其中,晶圓制造設(shè)備投資規(guī)劃為506-510億美元(有報道稱可達520億美元)、封裝設(shè)備規(guī)劃投資為43-45億美元,測試設(shè)備市場投資規(guī)劃為51-55億美元,其他設(shè)備支出26-30億美元。從上述資料可看出,2018年世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資額預(yù)計將超過1000億美元,創(chuàng)歷史新高。


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原文標(biāo)題:2018年世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)測

文章出處:【微信號:cjssia,微信公眾號:集成電路園地】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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