隨著現(xiàn)代電源的復(fù)雜度和效率要求不斷增加，數(shù)字電源擁有高穩(wěn)定性，精準(zhǔn)可調(diào)及高轉(zhuǎn)換效率的特性，在多個市場開花結(jié)果。瑞薩電子深耕工業(yè)和電源市場多年，推出多種適合于數(shù)字電源應(yīng)用的嵌入式產(chǎn)品。

芯干線科技深耕于功率半導(dǎo)體Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)和銷售。產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)、光伏、儲能、汽車、Ai服務(wù)器、工業(yè)自動化等能源電力轉(zhuǎn)換與應(yīng)用領(lǐng)域。

本次瑞薩聯(lián)合芯干線推出了基于RA6T2及GaN HEMT的3KW CLLC DCDC解決方案，極大地加速項(xiàng)目的研發(fā)進(jìn)程。

系統(tǒng)構(gòu)架圖

方案實(shí)物展示

方案功率部分

芯干線功率器件

隔離信號與驅(qū)動

GaN器件的驅(qū)動

MCU部分

方案軟件算法

2P2Z環(huán)路補(bǔ)償控制

RA6T2 產(chǎn)品特色

RA6T2 特色模塊：高速片上Flash

算力加速單元

通用PWM輸出單元

高速ADC

事件鏈接控制器

方案問答部分精選

Q1：TOLT散熱需要導(dǎo)熱硅脂之類的，需要外部散熱器?

· 回復(fù)：需要導(dǎo)熱硅脂和外部散熱器，關(guān)于參考TOLT封裝的器件與外部散熱器問題，可以參考TO247封裝與散熱器接觸的方式。

Q2：在EMC開關(guān)頻率上怎么規(guī)避，減少EMC的影響?

· 回復(fù)：EMC與開關(guān)頻率關(guān)系不是強(qiáng)相關(guān)，主要看dv/dt的頻段點(diǎn)，關(guān)于開關(guān)頻率上規(guī)避EMC，建議工作頻率避開EMC測試頻點(diǎn)，例如使用135KHz的頻率避開150KHz的傳導(dǎo)測試，此外建議使用抖頻，這一點(diǎn)數(shù)字電源有獨(dú)特的優(yōu)勢。

Q3：數(shù)字電源具有過載保護(hù)嗎?響應(yīng)時間是多少?用戶可以調(diào)節(jié)過載保護(hù)點(diǎn)嗎?

· 回復(fù)：具有過載保護(hù)，響應(yīng)實(shí)際ms級，用戶可以根據(jù)需求靈活調(diào)整。

Q4：輸出PWM波形誤差是多少?輸出高頻時抗干擾能力如何?

· 單看MCU，4個高精度GPT通道最高分辨率可達(dá)156 ps，有內(nèi)部測試結(jié)果支撐。但是實(shí)際系統(tǒng)，易受驅(qū)動器，低噪聲等整體電磁環(huán)境影響，抗干擾性，需根據(jù)具體設(shè)計分析。

Q5：雙二階濾波器在時間上能提升多少運(yùn)算時間?對CPU資源節(jié)約多少?

· 實(shí)際運(yùn)行時間和濾波器模型，處理數(shù)據(jù)量有關(guān)。如下是我們內(nèi)部測試，執(zhí)行陷波濾波器和二階低通濾波器測試結(jié)果，請參考

Q6：ADC多通道一起使用時可以到多少M(fèi)SPS?支持DMA采集嗎?

· 多路采樣時，可合理分配到兩個unit進(jìn)行同時采樣。

對于同一個unit，時間可按如下方式計算

AD采樣時間=觸發(fā)時間+采樣時間+轉(zhuǎn)換時間+結(jié)束時間

具體請參看數(shù)據(jù)手冊36.9章節(jié)計算

Q7：三角函數(shù)是私有優(yōu)化的嗎?還是使用C庫的?

· 目前三角函數(shù)硬件單元提供如下四種運(yùn)算sin(θ), cos(θ), arctan(y/x), sqrt(x2+y2)。其他的可用庫運(yùn)算

Q8：如何實(shí)現(xiàn)輸出電壓的軟啟動?有什么需要注意的?

· 回復(fù)：本方案的做法是，閉環(huán)啟動，輸出目標(biāo)電壓從0V累加到目標(biāo)值。

Q9：這么大電流對PCB走線怎么安排?需要走多粗的PCB走線?

· 回復(fù)：本方案輸出電路250A，輸出端使用的是銅排

Q10：待機(jī)功耗可以做到多低?關(guān)于待機(jī)有什么注意事項(xiàng)?

· 回復(fù)：待機(jī)功耗大概5-8W。

關(guān)于芯干線

芯干線科技是一家由功率半導(dǎo)體資深海歸博士、電源行業(yè)市場精英和一群有創(chuàng)業(yè)夢想的年輕專業(yè)人士所創(chuàng)建寬禁帶功率器件原廠。2022年被評為規(guī)模以上企業(yè)，2023年國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術(shù)企業(yè)，通過了ISO9001生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。在2024年通過了IATF16949汽車級零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。

公司自成立以來，深耕于功率半導(dǎo)體Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)和銷售。產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)、光伏、儲能、汽車、Ai服務(wù)器、工業(yè)自動化等能源電力轉(zhuǎn)換與應(yīng)用領(lǐng)域。

公司總部位于南京，分公司遍布深圳、蘇州、江蘇等國內(nèi)多地，并延伸至北美與臺灣地區(qū)，業(yè)務(wù)版圖不斷拓展中。