通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因為內(nèi)置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點，所以快充充電器比我們設(shè)想的要小、要薄。今天推薦的是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)氮化鎵快充icU8733L，特別適應(yīng)于快速充電器和適配器上！

氮化鎵快充ic U8733L采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8733L采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。

隨著負(fù)載的逐漸降低，系統(tǒng)導(dǎo)通的谷底個數(shù)逐漸增加，當(dāng)谷底數(shù)超過6個時，不再檢測谷底電壓，系統(tǒng)進(jìn)入降頻工作模式，通過進(jìn)一步降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。

氮化鎵快充icU8733L集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8733L通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaNFET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

U8733L系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當(dāng)芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應(yīng)力過沖。

GaN功率器件可以實現(xiàn)更高的功率密度和轉(zhuǎn)換效率，從而縮小充電器的體積和重量，并提高充電速度和安全性。深圳銀聯(lián)寶科技自推出各式各樣氮化鎵快充ic后，受到了越來越多充電器客戶和適配器客戶的關(guān)注，原廠直銷，供貨穩(wěn)定，更有一站式方案服務(wù)團(tuán)隊為您傾情服務(wù)，隨時提供技術(shù)支持和疑惑解答！