光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下，溶解度會發(fā)生變化，主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于光刻膠生產(chǎn)技術(shù)復(fù)雜、品種規(guī)格多樣，在電子工業(yè)集成電路制造中，對其有著極為嚴(yán)格的要求，而保證光刻膠產(chǎn)品的厚度便是其中至關(guān)重要的一環(huán)。

項(xiàng)目需求

本次項(xiàng)目旨在測量光刻膠厚度，光刻膠本身厚度處于 30μm-35μm 范圍，測量精度要求達(dá)到納米級。測量幅面為 135mm×135mm，按照客戶要求，需在光刻膠表面選取 13×13 個(gè)點(diǎn)進(jìn)行測量。

測量方案

針對客戶的需求，我們精心制定了測量方案，選用膜厚儀搭配位置移動平臺來完成測量工作。該膜厚儀基于白光干涉技術(shù)，其工作原理如下：光源發(fā)射的光經(jīng)過擴(kuò)束準(zhǔn)直后，由分光棱鏡分成兩束，一束經(jīng)被測表面反射，另一束經(jīng)參考鏡反射。這兩束反射光最終匯聚并發(fā)生干涉，隨經(jīng)處理器轉(zhuǎn)化為干涉條紋信號。憑借這一技術(shù)，膜厚儀能夠輕松應(yīng)對各種透明材質(zhì)，精準(zhǔn)計(jì)算分析各層薄膜的厚度

測試結(jié)果

在靜態(tài)測試環(huán)境下，如下圖所示，可測量2nm及以上的膜厚。而在在機(jī)構(gòu)抖動模擬測試情況下，可測量3.5nm及以上的膜厚。因此使用我公司膜厚儀檢測光刻膠30nm-35um的厚度是可實(shí)現(xiàn)的。

審核編輯 黃宇