Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊支持兩個LMG3650R025 650V GaN FET,具有集成驅(qū)動器和保護功能,采用半橋配置,具有所有所需的偏置電路和邏輯/功率電平轉換。該器件提供基本的功率級和柵極驅(qū)動,設有完全封閉在電路板上的高頻電流環(huán)路,可最大限度地降低功率環(huán)路寄生電感。TI LMG3650EVM設計用于插座式外部連接,可輕松連接外部功率級,從而在各種應用中運行LMG3650R025。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 兩個TI 650V GaN,采用TOLL封裝,采用半橋配置
- 用于高側故障信號的數(shù)字隔離器
- 隔離式偏置電源和自舉電源選項
- 隔離式柵極驅(qū)動器和用于布局兼容性的開路元件位置,用于評估集成式GaN TOLL和分立式GaN TOLL
- 散熱片,隨附風扇,用于測試期間散熱
- 過熱、過流和短路事件故障保護和報告
- 標準子卡引腳分配,兼容TI GaN主板
- 絕對最大額定電壓:650V
應用
規(guī)范
- 包含在LMG3650EVM子卡中
- 兩個LMG3650R025 GaN IC
- 兩個隔離式柵極驅(qū)動器,實現(xiàn)與分立式GaN in TOLL的布局兼容性和測試
- 兩個數(shù)字隔離器,用于氮化鎵IC故障信號
- 隔離式偏置電源和自舉電源
框圖
布局
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