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IGBT模塊上橋臂驅(qū)動(dòng)電路原理詳解

青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 ? 來源:青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 ? 2025-07-03 10:46 ? 次閱讀
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IGBT模塊上橋臂的驅(qū)動(dòng)

上橋臂和下橋臂:

IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動(dòng)。開關(guān)動(dòng)作時(shí),上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中,要開通上橋臂IGBT時(shí),需要對(duì)門極施加300V加15V,合計(jì)315V的母線電壓。因此,需要不受開關(guān)噪聲干擾影響的上橋臂驅(qū)動(dòng)電路。

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上橋臂驅(qū)動(dòng)可以使用了光耦合器和高壓驅(qū)動(dòng)集成電路。

使用光耦合器的上橋臂驅(qū)動(dòng):在大容量電路中,使用光耦合器進(jìn)行絕緣,此外還添加離散緩沖器的輸出端。在中容量以下的電路中,使用將上述功能集成為一體的混合集成電路。圖示為后者的例子。

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● 使用去除高共模電壓的類型

● 為了盡量縮短空載時(shí)間以減少損耗,使用傳遞延遲時(shí)間tPLH和tPHL小的類型。tPLH和tPHL是相對(duì)于輸入信號(hào),輸出從L變?yōu)镠、或從H變?yōu)長的延遲時(shí)間差。

使用驅(qū)動(dòng)集成電路的上橋臂的驅(qū)動(dòng):

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驅(qū)動(dòng)集成電路中有:上橋臂用,半橋路用,上、下橋臂用,3相橋路用等產(chǎn)品。大多數(shù)是600V耐壓產(chǎn)品,也有1200V耐壓產(chǎn)品。

● 自舉二極管應(yīng)該使用高速類型,耐壓應(yīng)該與IGBT相同。

● 自舉電容器應(yīng)該使用高頻特性良好的類型,或如薄膜電容器和陶瓷電容器進(jìn)行并聯(lián)連接。

● 盡量降低電源(Vcc)的電阻抗。

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原文標(biāo)題:IGBT模塊上橋臂的驅(qū)動(dòng)

文章出處:【微信號(hào):JNsemi,微信公眾號(hào):青島佳恩半導(dǎo)體有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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