Analog Devices Inc. MAX22210步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成了兩個(gè)36V、3.8AMAX半橋。H橋FET具有非常低的阻抗，可實(shí)現(xiàn)高驅(qū)動(dòng)效率并最大限度地減少產(chǎn)生的熱量。典型總R ON （高側(cè) + 低側(cè)）為0.25Ω。MAX22210集成了精確的電流驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)電路和由STEP/DIR接口控制的128級(jí)微步進(jìn)內(nèi)置分度器。高微步進(jìn)分辨率和先進(jìn)的控制技術(shù)確保平穩(wěn)、安靜運(yùn)行。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Analog Devices ， Maxim Integrated MAX22210步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊.pdf

流入兩個(gè)低側(cè)FET的電流通過非耗散集成電流檢測 (IC) 技術(shù)進(jìn)行檢測，然后將其與所需的步進(jìn)閾值電流進(jìn)行比較。當(dāng)橋電流超過設(shè)定值 (I TRIP )，器件強(qiáng)制按固定關(guān)斷時(shí)間 (T OFF ) 進(jìn)入倒計(jì)時(shí)。支持三種衰減模式：慢速、混合和自適應(yīng)模式。非耗散集成電流檢測消除了該功能通常所需的龐大外部功率電阻器，與基于外部檢測電阻器的主流應(yīng)用相比，可節(jié)省巨大空間和功耗。

內(nèi)部檢測到的相電流在兩個(gè)引腳 (ISENA、ISENB) 上i形成鏡像，允許外部控制器監(jiān)控電流并將這些信息用于診斷目的。每H橋最大輸出電流IMAX = 3.8AMAX 。該電流受過流保護(hù) (OCP) 的限制。假設(shè)是4層的PCB，在室溫條件下每個(gè)H橋的最大RMS電流IRMS = 2ARMS 。由于散熱方面的考慮因素限制了該電流，實(shí)際最大RMS電流取決于應(yīng)用的熱特性，例如PCB接地層、散熱片、通風(fēng)等。

Analog Devices Inc. MAX22210具有過流保護(hù) (OCP)、熱關(guān)斷 (TSD) 和欠壓閉鎖 (UVLO) 特性。每當(dāng)檢測到故障狀態(tài)時(shí)，即激活開漏低電平有效FAULT引腳。在熱關(guān)斷和欠壓閉鎖期間，驅(qū)動(dòng)器被禁用，直至恢復(fù)正常工作。MAX22210采用小型5mm x 5mm TQFN32和4.4mm x 9.7mm TSSOP28封裝。

特性

• 兩個(gè)半橋，額定電流為36V
  • 總RDS(ON) (HS + LS)：250mΩ（典型值，在TA = +25°C時(shí)）
• 每H橋額定電流（典型值，在TA = +25°C時(shí)）
  • IMAX = 3.8A MAX （驅(qū)動(dòng)小容性負(fù)載的脈沖電流）
  • IFS = 3A MAX （內(nèi)部電流驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)的滿量程電流設(shè)置）
  • IRMS = 2ARMS
• 集成電流控制
  • 滿量程電流，可配置為外部電阻
  • 一個(gè)邏輯輸入 (HFS)，可提高低電流值的電流控制精度
  • 內(nèi)部電流檢測 (IC) 消除了外部笨重電阻器，提高了效率
  • 內(nèi)置控制，具有128微步進(jìn)分度器
    • STEP/DIR接口
    • 集成DAC和查找表，用于微步進(jìn)
  • 多種衰減模式（慢速、混合、自適應(yīng)）
  • 具有外部電阻的可配置PWM關(guān)斷時(shí)間
• 電流檢測輸出（電流監(jiān)視器）(ISENA, ISENB)
• 故障指示燈引腳 (FAULT)
• 保護(hù)特性
  • 針對(duì)每個(gè)功率FET的過流保護(hù) (OCP)
  • UVLO
  • 熱關(guān)斷 (TSD) TJ=+165°C
• 采用5mm x 5mm TQFN32和4.4mm x 9.7mm TSSOP28封裝

應(yīng)用

• 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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