我最開始看芯片，其實(shí)是從射頻微電子開始的，沒錯(cuò)，還是razavi的書。

這本書的前面4章，講解的是射頻系統(tǒng)的一些知識(shí)；從第6章，開始講各個(gè)部件的設(shè)計(jì)，包括LNA，mixer，oscillator等。

如果去看razavi的書，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，上面這些器件的設(shè)計(jì)，基本都是基于模電的。在計(jì)算的過程中，是參照模電的方式來進(jìn)行計(jì)算的。

比如說，LNA的設(shè)計(jì)，如下圖所示的CG stage的LNA，計(jì)算過程，就是按照模電中的CG stage來進(jìn)行相應(yīng)的計(jì)算。

再比如說，mixer的設(shè)計(jì)，如下圖左側(cè)所示；然后模電中講的差分電路，如下圖右側(cè)所示。兩者的結(jié)構(gòu)是不是基本一樣？

再比如說，oscillator的設(shè)計(jì)，如下圖左側(cè)所示，等同于反饋中的差分對(duì)。

也許會(huì)說，那低頻率的模電，怎么和高頻率的射頻聯(lián)系起來呢？應(yīng)該就是靠器件每個(gè)terminal之間的電容了。

在文獻(xiàn)[1]中，MOSFET中的高頻模型，如下圖左側(cè)所示；文獻(xiàn)[2]中，MOSFET中的高頻模型，如下圖右側(cè)所示。

初看上去，覺得為啥會(huì)有不一致。

仔細(xì)閱讀文獻(xiàn)[2]，發(fā)現(xiàn)這樣一段話：The gate-bulk capacitance is usually neglected in the triode and saturation regions because the inversionlayer acts as a “shield” between the gate and the bulk. In other words, if the gate voltage varies, the charge is supplied by the source and the drain rather than the bulk。

大體理解了，這個(gè)差別的來源。

也有朋友告訴我說，三五族化合物的設(shè)計(jì)，和我們做板級(jí)分立器件的設(shè)計(jì)思路很類似的，也是用ADS，也是同樣的匹配思路。

話說，我昨天因?yàn)橄肟纯碝ESFET和MOSFET之間的區(qū)別，機(jī)緣巧合下，才明白那個(gè)三五族化合物是個(gè)啥意思。

就如維基百科上所說，“三五族化合物（英語(yǔ)：Ⅲ-Ⅴ compounds，讀成three-five compound）是化學(xué)元素周期表中的13族元素（即ⅢA族，如硼、鋁、鎵、銦、鉈）和15族元素（即ⅤA族，包含氮、磷、砷、銻、鉍）組成化合物。由于它們通常是化合物半導(dǎo)體，故又稱三五族半導(dǎo)體英語(yǔ)：Ⅲ-Ⅴ semiconductors），比較知名的包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）。”

本文轉(zhuǎn)載自加油射頻工程師公眾號(hào)