電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，5月28日，浙江力積存儲科技股份有限公司（以下簡稱"力積存儲"）向港交所提交上市申請書，獨家保薦人為中信證券（香港）有限公司。

力積存儲是中國領先的內(nèi)存芯片設計公司及AI存算解決方案供應商。憑借深厚的技術(shù)積累、國際化的研發(fā)佈局、全面的產(chǎn)品矩陣以及產(chǎn)業(yè)鏈深度合作伙伴關係，擁有廣泛的客戶群體并實現(xiàn)產(chǎn)品及解決方案的大規(guī)模商業(yè)化。

2022年、2023年及2024年的收入分別為人民幣609.9百萬元、人民幣580.3百萬元及人民幣646.4百萬元。2022年、2023年及2024年錄得凈虧損分別為人民幣139.0百萬元、人民幣244.3百萬元及人民幣108.9百萬元。于2023年凈虧損增加，主要是由于年內(nèi)產(chǎn)生大量股份支付費用。



四大產(chǎn)品線

根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，按2024年利基DRAM收入計，力積存儲在全球利基DRAM市場的中國內(nèi)地公司中排名第四。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，公司是中國AI存算行業(yè)的先
行者，掌握了WoW 3D異構(gòu)集成核心技術(shù)，在積極推進并力爭成為率先實現(xiàn)高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品量產(chǎn)的中國內(nèi)地公司之一。為多種應用提供完整的定制化存儲解決方案，包括消費電子及網(wǎng)絡通信（如Wi-Fi路由器及智能家用電器）、物聯(lián)網(wǎng)設備、汽車電子、能源及工業(yè)控制設備。

? 內(nèi)存芯片：自主設計的內(nèi)存芯片，經(jīng)過嚴格的封裝和測試，廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)，在商業(yè)級與工業(yè)級領域有廣泛應用。其中，商業(yè)級內(nèi)存芯片主要應用于消費電子和網(wǎng)絡通信（如機器人、智能音響及Wi-Fi設備等），而工業(yè)級內(nèi)存芯片則專為更高要求的工業(yè)控制應用服務，尤其能夠滿足極低溫環(huán)境下的可靠性要求，確保在極端使用條件下的穩(wěn)定性和長壽命。

? 內(nèi)存模組：由存儲芯片顆粒與PCB主板經(jīng)過精密封裝工藝整合而成，廣泛應用于高端運算產(chǎn)品，如行業(yè)級PC和企業(yè)級服務器等。通過高效的封裝與模塊化設計，內(nèi)存模組能夠提供卓越的性能和穩(wěn)定性，滿足不同應用場景對存儲密度、速度及可靠性的嚴苛要求。

? 內(nèi)存KGD晶圓：主要為SoC廠商提供定制化內(nèi)存KGD晶圓。在芯片設計階段，針對客戶需求進行精準的晶圓測試，并將合格的晶圓交付給下游廠商用于后續(xù)封裝加工。通過與客戶深度合作，晶圓都符合客戶的高標準技術(shù)要求。

? AI存算解決方案：開發(fā)中的AI存算解決方案涵蓋AI存算用存儲芯片、AI存算用高帶寬WoW 3D堆疊產(chǎn)品、以及AI存算用新型存儲器周邊產(chǎn)品及服務，產(chǎn)品及解決方案可以廣泛應用于人工智能推理、邊緣計算、智能駕駛等前沿領域，預計可有效紓緩數(shù)據(jù)密集型AI應用的存儲瓶頸，尤其是在邊緣運算和AI推理等場景中，提升計算效率和存算一體化性能。

2025年4月，公司與力積電簽署了基于19納米及以下制程開發(fā)內(nèi)存產(chǎn)品的合作協(xié)議。該項目達成后，預計將為中國國內(nèi)芯片設計公司目前可用的最先進制程，這也將使其成為少數(shù)擁有該等先進工藝能力的中國內(nèi)地芯片設計公司之一。2025年5月，已實現(xiàn)專為高密度互連應用設計的硅中介層解決方案的商業(yè)化。

客戶方面，所在的行業(yè)包括消費電子、網(wǎng)絡通信、汽車電子、能源及工業(yè)控制設備。截至2024年12月31日止三個年度，來自五大客戶的收入分別約為人民幣390.2百萬元、人民幣387.6百萬元及人民幣336.1百萬元，分別占相應年度總收入的約64.0%、66.8%及52.0%。
截至2024年12月31日止三個年度，向前五大供應商采購的金額分別約為人民幣672.8百萬元、人民幣475.9百萬元及人民幣451.1百萬元，分別占相應年度采購總額約97.0%、88.6%及76.2%。

力積電一直是公司唯一的第三方代工供應商。截至2022年、2023年及2024年12月31日止年度，從力積電的采購價值分別占相應期間總采購額的34.4%、49.1%及42.4%。此外，亦從有限數(shù)量的外包半導體封裝和測試公司采購封裝、測試及組裝服務，包括福懋科技及南茂科技。

混合堆疊內(nèi)存HSM 2026年量產(chǎn)

高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品是未來AI應用突破存儲壁壘的重要助力，正在逐漸成為GPU主流內(nèi)存解決方案。力積存儲自主研發(fā)了基于“Wafer-on-Wafer 3D異構(gòu)集成技術(shù)”的“1層邏輯晶圓+1層內(nèi)存晶圓”解決方案，將邏輯晶圓與內(nèi)存晶圓在垂直方向上使用TSV硅通孔技術(shù)，通過混合鍵合技術(shù)封裝在一起，形成了領先的高帶寬3D堆疊內(nèi)存解決方案。

傳統(tǒng)方法是利用TSV和微凸塊技術(shù)垂直堆疊多片內(nèi)存晶圓，再輔以邏輯控制晶圓進行運作管理。該等堆疊式內(nèi)存芯片再透過CoWoS封裝與邏輯芯片互連。這種設計范例可有效滿足AI工作負載的高速資料處理需求和帶寬需求。例如，最新的DDR5產(chǎn)品可提供約5,600 Mbps的資料傳輸速率及約50 GB/s的帶寬，而領先的以HBM為中心的解決方案則可達到超過9.6Gbps的傳輸速率和超過每秒1TB的帶寬。預計在2026年將以存儲為中心的高帶寬內(nèi)存芯片（稱為“混合堆疊內(nèi)存HSM）”）商業(yè)化。HSM芯片代表了多層堆疊技術(shù)的一大進步。透過采用混合接合技術(shù)進行芯片裸片堆疊，其于TSV間距、熱分佈和整體性能方面都優(yōu)于現(xiàn)有的解決方案。



堆疊存儲的優(yōu)點在于可降低每比特能耗。然而，這種方法伴隨著大量的輸入╱輸出介面，通常會導致大量的總功耗。因此，其可能會引起熱管理的挑戰(zhàn)。為解決這個問題，從熱源到散熱器的有效散熱至關重要。

在采用微凸塊的堆疊方案中，熱量擴散主要局限于凸塊與晶圓之間的鍵合面。此外，諸如非導電薄膜(NCF)這類底部填充材料具有較高的熱阻，這進一步阻礙了熱量傳遞。相比之下，無凸塊混合鍵合的WoW方案展現(xiàn)出卓越的熱擴散性能。由于不存在凸塊，熱傳導面積得以增加，而且采用極薄拋光晶圓能顯著加快熱量在多層結(jié)構(gòu)中的擴散速度。

根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，從2025年至2029年，全球算力規(guī)模預計將增長2倍、AI服務器出貨量將增長1倍，預計將成為推動高帶寬堆疊DRAM市場增長的核心因素。2024年全球高帶寬堆疊內(nèi)存產(chǎn)品市場規(guī)模達到人民幣1,189億元，預計2024年至2029年將保持超過25.2%的復合年增長率?，F(xiàn)有高帶寬堆疊內(nèi)存產(chǎn)品供應遠不能滿足市場需求。

國產(chǎn)AI芯片的加速推出和應用，正推動市場對高帶寬堆疊內(nèi)存產(chǎn)品國產(chǎn)化的需求。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，2024年國產(chǎn)芯片在中國AI芯片市場份額為20%以上，2025年預計進一步提升至逾30%。預計力積存儲將于2026年正式推出HSM產(chǎn)品，成為國內(nèi)高帶寬3D堆疊內(nèi)存芯片生產(chǎn)和商業(yè)化的先驅(qū)。憑借強大的政策支持、不斷擴展的下游應用以及對創(chuàng)新的承諾，有望在未來幾年持續(xù)增長并引領市場。