不久前，央視報道了這樣的一則消息，中微半導(dǎo)體設(shè)備公司將在今年年底正式敲定5nm刻蝕機！而剛剛發(fā)布的蘋果A11芯片以及華為的麒麟970均是使用10nm工藝。

當所有的巨頭還在為10nm，7nm技術(shù)大肆進軍的時候，中國中微正式宣布掌握5nm技術(shù)，讓對手措手不及，難以置信！原來一直在這一領(lǐng)域沒有任何話語權(quán)的中國內(nèi)地半導(dǎo)體企業(yè)能夠彎道超車！

而在中微這個隱形的巨人背后，如今已年過七旬的尹志堯就是那個點燃星火的人。

在美國硅谷從事半導(dǎo)體行業(yè)20多年的尹志堯，曾任AppliedMaterials應(yīng)用材料公司的副總裁。91年，尹志堯來到應(yīng)用材料公司，負責(zé)同一領(lǐng)域的研究開發(fā)工作，先后獲得了60多個美國和國外的專利。尹志堯開發(fā)或參與開發(fā)的產(chǎn)品，現(xiàn)在在這個領(lǐng)域大概占了全世界的50％。另外，還幫助成立了硅谷中國工程師協(xié)會，并擔(dān)任了頭兩任的主席。被譽為硅谷最有成就的華人之一。

13年前（2004年），當時已經(jīng)60歲的尹志堯放棄了美國的百萬年薪，帶領(lǐng)三十多人的團隊，沖破美國政府的層層審查（所有人都承諾不把美國的技術(shù)帶回中國，包括所有工藝配方、設(shè)計圖紙，一切從零開始），回國創(chuàng)辦了中微半導(dǎo)體（以下簡稱中微），他要在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域與國際巨頭直接競爭，取得一席之地。

尹志堯帶著30多人的團隊回到中國，只因為一句話：「學(xué)成只為他日歸來，報效祖國」。

一切從零開始，憑著過去20多年的經(jīng)驗和基礎(chǔ)技術(shù)支持，尹志堯和他的團隊很快就開發(fā)出了第一臺國產(chǎn)的生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的設(shè)備——等離子體刻蝕機。

等離子體刻蝕機是在芯片上進行微觀雕刻，刻出又細又深的接觸孔或者線條，每個線條和深孔的加工精度是頭發(fā)絲直徑的幾千分之一到上萬分之一。

“在米粒上刻字的微雕技藝上，一般能刻200個字已經(jīng)是極限，而我們的等離子刻蝕機在芯片上的加工工藝，相當于可以在米粒上刻10億個字的水平。”尹志堯這樣形容到。

一個16nm的微觀邏輯器件有60多層微觀結(jié)構(gòu)，要經(jīng)過1000多個工藝步驟，要攻克上萬個技術(shù)細節(jié)才能加工出來。只看等離子體刻蝕這個關(guān)鍵步驟，它的加工尺度為普通人頭發(fā)絲的五千分之一，加工的精度和重復(fù)性要達到五萬分之一。

中微在剛剛涉足IC芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備時，就推出了65nm等離子介質(zhì)刻蝕機產(chǎn)品，隨著技術(shù)的進步一直做到45nm、32nm、28nm等，現(xiàn)在16nm的蝕機產(chǎn)品已經(jīng)在客戶的生產(chǎn)線上運行了。

據(jù)了解，在過去9個多月時間里，中微的反應(yīng)臺交付量已突破400臺；單反應(yīng)臺等離子體刻蝕設(shè)備已交付韓國領(lǐng)先的存儲器制造商；雙反應(yīng)臺介質(zhì)刻蝕除膠一體機研制成功，這是業(yè)界首次將雙反應(yīng)臺介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應(yīng)腔整合在同一個平臺上。

或許正是由于中微在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的突飛猛進，也引來了兩家國外競爭對手挑起的知識產(chǎn)權(quán)訴訟。不過，憑借過硬的自主技術(shù)專利，中微接連獲得的勝利。

2008年前后，正當中微公司自行開發(fā)12英寸芯片刻蝕機，準備進入國際一流芯片生產(chǎn)線時，兩家國際巨頭芯片設(shè)備公司找上門來。

2007年中微在美國被行業(yè)巨頭應(yīng)用材料公司起訴侵權(quán)，但卻始終舉證無力，中微則抓住機會適時反訴對方不正當競爭，應(yīng)用材料公司顯然對這一情況準備不足，最終不得不撤訴求和。

2009年另一巨頭美國科林研發(fā)又在***起訴中微侵犯其發(fā)明專利，由于中微半導(dǎo)體在前期已作了大量的知識產(chǎn)權(quán)預(yù)警分析和準備工作，所以，僅用不到一個月時間，公司就決定“以攻為守”，向法院提交了大量證據(jù)，采用“釜底抽薪”的做法，主張科林公司兩項專利無效。同時，企業(yè)還向***智慧財產(chǎn)局主張科林公司的專利無效。

2009年9月8日，***智慧財產(chǎn)法院一審判決科林公司專利無效。中微半導(dǎo)體很快接到了臺積電的訂單。此后，中微半導(dǎo)體又在科林公司上訴的二審中獲勝。在***智慧財產(chǎn)局的交鋒中，中微半導(dǎo)體以充足的證據(jù)，使得科林公司的聚焦環(huán)配置專利于2011年被宣布無效，密封環(huán)專利也被宣布無效，掃除了產(chǎn)品進入***市場的知識產(chǎn)權(quán)障礙。

如今，中微正在開發(fā)5納米芯片制造設(shè)備意欲打破德美壟斷。這個技術(shù)要求芯片上的均勻度達到0.5納米，相當于原子水平。目前世界上投入最先進的芯片是10納米，而中國能夠量產(chǎn)最新的芯片還在40納米和28納米，和國際最尖端的水平還差3代。在這個高度競爭的行業(yè)，誰能夠在技術(shù)上領(lǐng)先，誰就能占領(lǐng)市場。

最先進的像英特爾、臺積電、三星它們的14納米已經(jīng)成熟生產(chǎn)了，10納米隨著蘋果A11和華為麒麟970芯片的上市，臺積電率先進入到成熟量產(chǎn)期。

今年4月，尹志堯的中微半導(dǎo)體公司宣布，已經(jīng)掌握5納米技術(shù)，預(yù)計年底正式敲定5納米刻蝕機。無獨有偶，兩周后，IBM也宣布掌握5納米技術(shù)。因此，尹志堯這一宣布，意味著中微在核心技術(shù)上突破了外企壟斷，中國半導(dǎo)體技術(shù)第一次占領(lǐng)至高點。

同時，中微一些基礎(chǔ)的研發(fā)也不斷地跟進尖端技術(shù)，以保證產(chǎn)品的研發(fā)能夠緊緊跟上甚至領(lǐng)先于國際上的技術(shù)發(fā)展水平。據(jù)尹志堯透露，5nm工藝的這代設(shè)備已經(jīng)攻堅5年時間，中微計劃年內(nèi)對5nm工藝進行測試。尹志堯要求工程師們務(wù)必今年底推向市場。

尹志堯表示，“設(shè)備的研發(fā)比芯片新技術(shù)的研發(fā)至少要提前5年。5納米估計5年以后用戶才能夠用的到，蘋果8是10納米技術(shù)。而且5納米芯片技術(shù)需要50個學(xué)科才能把它集成起來，它的復(fù)雜度要做到人的頭發(fā)絲萬分之一這么小的結(jié)構(gòu)?！?。

目前尹志堯的團隊能研發(fā)生產(chǎn)10nm到7nm的設(shè)備已經(jīng)與世界最前沿技術(shù)比肩。這些團隊精英中，上百人都曾是美國和世界一流的芯片和設(shè)備企業(yè)的技術(shù)骨干，大都有著20到30多年半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造的經(jīng)驗。而且這些工程師們必須有著物理、化學(xué)、機械、工程技術(shù)等50多種專業(yè)知識背景。

2013年至2017年，中國多晶硅進口從8萬多噸攀升至14萬多噸，其中電子級多晶硅年需求達4500噸。不過，今年5月24日，中國國家電力投資集團公司「黃河水電新能源分公司」正式推出大陸國產(chǎn)高純電子級多晶硅，終于打破國外壟斷。

尹志堯的刻蝕機解決了芯片制造前端的關(guān)鍵性難題，但芯片制造是一個完整的產(chǎn)業(yè)鏈，涉及到的環(huán)節(jié)很多，只有當這些關(guān)鍵環(huán)節(jié)形成合力才能真正打破國外的技術(shù)壟斷。

而眾多海外學(xué)人陸續(xù)歸國，更帶領(lǐng)中國芯片技術(shù)不斷向前突破，除了尹志堯以外，還有兩位愛國科學(xué)家最為關(guān)鍵。

他們分別是在芯片制造關(guān)鍵材料-----高純度濺射金屬靶材上取得突破的姚立軍，以及實現(xiàn)國產(chǎn)研磨液替代進口的王淑敏，他們分別在各自的領(lǐng)域打破了國外企業(yè)長期壟斷的局面。

雖然芯片制造涉及數(shù)百種技術(shù)、上千種材料，但在尹志堯、姚力軍、王淑敏等一批海外歸國學(xué)人的努力下，中國在芯片制造技術(shù)上的突破如今已經(jīng)正式開始。