99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

jf_14507239 ? 來源:jf_14507239 ? 作者:jf_14507239 ? 2025-05-28 09:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言

半導(dǎo)體制造、微納加工等領(lǐng)域,光刻膠剝離是光刻工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一,直接影響后續(xù)工藝的進行和最終產(chǎn)品的質(zhì)量。而對光刻圖形的精確測量,能夠有效監(jiān)控光刻工藝和光刻膠剝離效果,白光干涉儀為此提供了可靠的技術(shù)手段。

光刻膠剝離方法

濕法剝離

濕法剝離是目前應(yīng)用較為廣泛的方法,其原理是利用化學(xué)試劑與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),使光刻膠溶解或溶脹,從而實現(xiàn)剝離。常用的剝離液包含有機溶劑、堿性溶液等。有機溶劑如丙酮、N - 甲基吡咯烷酮(NMP),能溶解光刻膠中的樹脂成分;堿性溶液則通過與光刻膠中的酸性基團反應(yīng),破壞光刻膠的分子結(jié)構(gòu) 。在實際操作中,將帶有光刻膠的基片浸入剝離液中,經(jīng)過一定時間的浸泡和超聲輔助,可加速剝離過程。濕法剝離具有設(shè)備簡單、成本低、處理效率高的優(yōu)點,但存在環(huán)境污染、對某些敏感材料可能造成腐蝕等問題。

干法剝離

干法剝離主要借助等離子體技術(shù),在真空環(huán)境下,通過射頻電源激發(fā)氣體產(chǎn)生等離子體。等離子體中的活性粒子(離子、原子、自由基等)與光刻膠發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng),將光刻膠分解為揮發(fā)性氣體排出。常見的氣體有氧氣、氟基氣體等,氧氣等離子體常用于去除有機光刻膠,通過氧化反應(yīng)將光刻膠轉(zhuǎn)化為二氧化碳和水等揮發(fā)性物質(zhì);氟基氣體則適用于去除含硅光刻膠。干法剝離具有刻蝕選擇性好、對基片損傷小、環(huán)境友好等優(yōu)勢,但設(shè)備成本較高,且可能產(chǎn)生等離子體誘導(dǎo)損傷。

其他新興方法

隨著技術(shù)發(fā)展,一些新興的光刻膠剝離方法也逐漸受到關(guān)注。例如,激光剝離利用高能量激光束照射光刻膠,使其瞬間氣化或分解實現(xiàn)剝離;熱剝離則通過加熱基片,使光刻膠因熱分解或熱膨脹而脫離基片。這些方法在特定場景下展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢,為光刻膠剝離提供了更多選擇。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉的基本原理,將白光光源發(fā)出的光經(jīng)分光鏡分為兩束,一束投射到待測光刻圖形表面反射回來,另一束作為參考光,兩束光相遇產(chǎn)生干涉。由于不同位置的光刻圖形高度不同,導(dǎo)致反射光的光程差存在差異,進而形成不同的干涉條紋。通過分析干涉條紋的形狀、間距和強度等信息,結(jié)合光程差與表面高度的關(guān)系,能夠精確計算出光刻圖形的高度、深度、線寬等參數(shù)。

測量優(yōu)勢

白光干涉儀具有高精度、非接觸、快速測量等顯著優(yōu)勢。其測量精度可達納米級別,能夠準(zhǔn)確捕捉光刻圖形細微的尺寸變化;非接觸式測量避免了對光刻圖形的物理損傷,尤其適用于脆弱或精細的光刻結(jié)構(gòu);同時,測量過程快速高效,可實現(xiàn)實時在線檢測,并通過專業(yè)軟件對測量數(shù)據(jù)進行可視化處理,直觀呈現(xiàn)光刻圖形的形貌特征,便于工藝優(yōu)化和質(zhì)量控制。

實際應(yīng)用

在光刻膠剝離前后,白光干涉儀都發(fā)揮著重要作用。剝離前,可用于測量光刻膠的厚度、光刻圖形的初始形貌,評估光刻工藝的質(zhì)量;剝離過程中,能夠?qū)崟r監(jiān)測光刻膠的去除情況,判斷剝離是否完全;剝離完成后,精確測量殘留光刻膠的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻圖形的最終尺寸,為后續(xù)工藝提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)支持,確保產(chǎn)品符合設(shè)計要求。

一款可以“實時”動態(tài)/靜態(tài) 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問題,實現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描,亞納米精度下實現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù),Z向測量范圍高達100mm,不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率,為復(fù)雜形貌測量提供全面解決方案。

3)可搭載多普勒激光測振系統(tǒng),實現(xiàn)實現(xiàn)“動態(tài)”3D輪廓測量。

wKgZPGg1E4qAL_HFAARvp34FlPU512.png

實際案例

wKgZO2gv0bOAb-LqAAKthx97NjQ082.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

1,優(yōu)于1nm分辨率,輕松測量硅片表面粗糙度測量,Ra=0.7nm

wKgZO2gv0bSAcmzXAAmXI7OHZ9E354.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

2,毫米級視野,實現(xiàn)5nm-有機油膜厚度掃描

wKgZO2gv0bWAWE0_AAR0udw807c853.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

3,卓越的“高深寬比”測量能力,實現(xiàn)深蝕刻槽深槽寬測量。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 測量
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    5246

    瀏覽量

    113549
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    339

    瀏覽量

    30956
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    行業(yè)案例|膜厚應(yīng)用測量光刻膠厚度測量

    光刻膠生產(chǎn)技術(shù)復(fù)雜、品種規(guī)格多樣,電子工業(yè)集成電路制造中,對其有著極為嚴(yán)格的要求,而保證光刻膠產(chǎn)品的厚度便是其中至關(guān)重要的一環(huán)。 項目需求? 本次項目旨在測量
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:53 ?52次閱讀
    行業(yè)案例|膜厚<b class='flag-5'>儀</b>應(yīng)用<b class='flag-5'>測量</b>之<b class='flag-5'>光刻膠</b>厚度<b class='flag-5'>測量</b>

    改善光刻圖形線寬變化的方法白光干涉儀光刻圖形測量

    引言 半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善
    的頭像 發(fā)表于 06-30 15:24 ?126次閱讀
    改善<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>線寬變化的<b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    改善光刻圖形垂直度的方法白光干涉儀光刻圖形測量

    深入探討白光干涉儀光刻圖形測量中的應(yīng)用。 改善光刻
    的頭像 發(fā)表于 06-30 09:59 ?121次閱讀
    改善<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>垂直度的<b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法白光干涉儀光刻圖形測量

    干涉儀光刻圖形測量中的應(yīng)用。 針對晶圓上芯片工藝的光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?221次閱讀
    針對晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b><b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀光刻圖形測量

    物的應(yīng)用,并探討白光干涉儀光刻圖形測量中的作用。 金屬低蝕刻率
    的頭像 發(fā)表于 06-24 10:58 ?154次閱讀
    金屬低蝕刻率<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b>液組合物應(yīng)用及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀光刻圖形測量

    至關(guān)重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液,并探討白光干涉儀光刻
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?228次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b>液及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法白光干涉儀光刻圖形測量

    測量對工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關(guān)重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法,并介紹白光干涉
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?243次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b>液和制備<b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀光刻圖形測量

    介紹白光干涉儀光刻圖形測量中的作用。 金屬低刻蝕的光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:31 ?141次閱讀
    金屬低刻蝕的<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b>液及其應(yīng)用及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法白光干涉儀光刻圖形測量

    干涉儀光刻圖形測量中的應(yīng)用。 ? 減少光刻膠剝離
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?302次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b>工藝對器件性能影響的<b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    光刻膠剝離液及其制備方法白光干涉儀光刻圖形測量

    引言 半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?242次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b>液及其制備<b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    Micro OLED 陽極像素定義層制備方法白光干涉儀光刻圖形測量

    ? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù),微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中,陽極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果,而光刻圖形的精準(zhǔn)測量是確保制備質(zhì)量的關(guān)鍵。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 09:39 ?140次閱讀
    Micro OLED 陽極像素定義層制備<b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?2327次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性

    白光干涉儀測量原理及干涉測量技術(shù)的應(yīng)用

    白光干涉儀利用干涉原理測光程差,測物理量,具高精度。應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)加工、汽車零部件制造及科研等領(lǐng)域,雙重防撞保護保障測量安全。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 16:42 ?1362次閱讀
    <b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>測量</b>原理及<b class='flag-5'>干涉</b><b class='flag-5'>測量</b>技術(shù)的應(yīng)用

    一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠

    共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章:收藏!常用光刻膠型號資料大全,幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球,領(lǐng)取公眾號資料
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?2495次閱讀

    光刻膠的使用過程與原理

    本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
    的頭像 發(fā)表于 10-31 15:59 ?1591次閱讀