樣品切割和拋光

配溫控液氮冷卻臺，去除熱效應(yīng)對樣品的損傷，有助于避免拋光過程中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化，

氬離子切割制樣原理

氬離子切割制樣是利用氬離子束（?1mm）來切割樣品，以獲得相比FIB制樣（通常十幾微米）面積更大的電子顯微分析區(qū)域。

其制樣原理是用一個堅(jiān)固的擋板遮擋住樣品的非目標(biāo)區(qū)域，有效的遮蔽了下半部分的離子束，創(chuàng)造出一個側(cè)切割平面，去除樣品表面的一層薄膜。

氬離子拋光技術(shù)又稱CP截面拋光技術(shù)，是對樣品表面進(jìn)行拋光，去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優(yōu)點(diǎn)

相比較下氬離子拋光/CP截面拋光的優(yōu)點(diǎn)

1.對由硬材料和軟材料組成的復(fù)合材料樣品, 能夠很精細(xì)地制作軟硬接合部的截面, 而使用傳統(tǒng)方法制樣是很困難的。

寄樣要求

1. 送樣前需要對樣品進(jìn)行預(yù)處理：樣品預(yù)磨拋，樣品要磨平，樣品的上下表面要平行，樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平，在顯微鏡下看起來光滑，不粗糙。

2. 樣品的尺寸要求：

• 塊狀樣品：以待拋光區(qū)域?yàn)?a target="_blank">中心點(diǎn)，樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）
• 粉末樣品：10g以上。
  

案例分析
1.金屬結(jié)合面

2.鋰電池石墨電極截面觀

3.鋰電池石墨顆粒平面拋

4.線路板截面拋光

5.芯片N極截面拋光

6.支架鍍層二焊點(diǎn)截面拋光

7.支架鍍層結(jié)構(gòu)截面拋

8.頁巖拋光

9.樣品拋光后顯示出高度孿

10.拋光后的鋯合金的菊池花樣

11.EBSD歐拉角分布圖

12.IPFZ 面分布