UCC27288 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)渲锌刂苾蓚€(gè) N 溝道 MOSFET。其 3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使UCC27288能夠在 MOSFET 米勒平臺(tái)過渡期間以最小的開關(guān)損耗驅(qū)動(dòng)大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無關(guān)，因此 UCC27288 可以與模擬和數(shù)字控制器結(jié)合使用。兩個(gè)輸入彼此完全獨(dú)立，因此提供了更大的控制設(shè)計(jì)靈活性。
*附件：ucc27288.pdf

輸入引腳和 HS 引腳能夠承受顯著的負(fù)電壓，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。輸入彼此完全獨(dú)立。這允許控制靈活性，如果需要，兩個(gè)輸出可以通過重疊輸入重疊。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時(shí)間要求，從而提高了系統(tǒng)效率。

高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器級(jí)均提供欠壓鎖定 （UVLO），如果 VDD 電壓低于指定閾值，則強(qiáng)制輸出為低電平。沒有集成的自舉二極管允許用戶使用適合應(yīng)用的外部自舉二極管。UCC27288 采用 SOIC8 封裝，以提高系統(tǒng)在惡劣環(huán)境中的穩(wěn)健性。

特性

• 在高側(cè)低側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 16ns 典型傳播延遲
• 12 ns 上升，10 ns（典型下降時(shí)間，負(fù)載為 1800 pF 時(shí)）
• 1ns 典型延遲匹配
• 可配置的外部自舉二極管
• 8V 典型欠壓鎖定
• 輸入上的絕對(duì)最大負(fù)電壓處理能力 （–5 V）
• HS 上的絕對(duì)最大負(fù)電壓處理能力 （–14 V）
• ±3A 峰值輸出電流
• 絕對(duì)最大啟動(dòng)電壓 120 V
• 輸入彼此獨(dú)立，VDD 獨(dú)立
• 兩個(gè)通道的欠壓鎖定
• 額定結(jié)溫范圍為 –40°C 至 140°C

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC是一款-A、-V半橋驅(qū)動(dòng)器，專為控制兩個(gè)N通道MOSFET設(shè)計(jì)，適用于高邊和低邊配置。它具備低傳播延遲、快速開關(guān)時(shí)間、可配置外部自舉二極管和-V欠壓鎖定（UVLO）等特性，適用于太陽能功率優(yōu)化器、商用網(wǎng)絡(luò)及服務(wù)器電源、商用電信整流器、DC輸入BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及測試測量設(shè)備等領(lǐng)域。

二、主要特性

• ?驅(qū)動(dòng)能力?：-A峰值源和漏電流，適用于大功率MOSFET。
• ?開關(guān)性能?：-ns典型傳播延遲，-ns上升時(shí)間，-ns典型下降時(shí)間（-pF負(fù)載）。
• ?電壓范圍?：最大開關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS）電壓額定值為 V，絕對(duì)最大負(fù)電壓處理能力（輸入端- V，HS端- V）。
• ?靈活性?：輸入獨(dú)立，允許TTL和CMOS控制信號(hào)；可配置外部自舉二極管。
• ?保護(hù)特性?：-V典型UVLO，雙通道UVLO保護(hù)。
• ?溫度范圍?：指定工作溫度范圍從-°C至°C。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 太陽能功率優(yōu)化器
• 商用網(wǎng)絡(luò)及服務(wù)器電源
• 商用電信整流器
• DC輸入BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)
• 測試測量設(shè)備

四、功能描述

• ?獨(dú)立輸入?：兩個(gè)輸入信號(hào)完全獨(dú)立，允許控制靈活性。
• ?電平移位?：高速、低功耗的電平移位器，提供從控制邏輯到高邊柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。
• ?UVLO保護(hù)?：高邊和低邊驅(qū)動(dòng)級(jí)均包含UVLO保護(hù)電路，確保在電源電壓不足時(shí)不會(huì)開啟外部MOSFET。
• ?輸出級(jí)?：具備高擺率、低電阻和高峰值電流能力的輸出級(jí)，適用于高效開關(guān)MOSFET。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC的典型應(yīng)用電路，包括設(shè)計(jì)要求和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟，如選擇自舉電容和VDD電容、估計(jì)驅(qū)動(dòng)器功率損耗、選擇外部柵極電阻、考慮延遲和脈沖寬度、VDD和輸入濾波、瞬態(tài)保護(hù)等。

六、電源推薦

推薦VDD電源電壓范圍為 V至 V，并建議使用低ESR陶瓷表面貼裝電容作為旁路電容，以支持高峰值電流并最小化電壓波動(dòng)。

七、布局指南

• ?電容放置?：低ESR電容應(yīng)盡可能靠近VDD和HB引腳放置，以支持高峰值電流。
• ?最小化寄生電感?：最小化高邊MOSFET源極和低邊MOSFET源極（同步整流器）之間的寄生電感。
• ?熱管理?：將熱焊盤連接到大型重銅平面以改善熱性能。