漏極電流（Id）

漏極電流是指在特定柵極電壓（Vgs）和漏極電壓（Vds）下，通過晶體管的電流。它是衡量晶體管導(dǎo)通能力的重要參數(shù)。

閾值電壓（Vth）

閾值電壓是指使晶體管開始導(dǎo)通的柵極電壓。對于MOSFET，當(dāng)Vgs達到Vth時，溝道開始形成，漏極電流開始顯著增加。

導(dǎo)通電阻（Ron）

導(dǎo)通電阻是指在晶體管完全導(dǎo)通時，漏極和源極之間的電阻。它直接影響晶體管的功耗和效率。

跨導(dǎo)（gm）

跨導(dǎo)是指漏極電流隨柵極電壓變化的比率，通常表示為gm = ΔId / ΔVgs。跨導(dǎo)越高，晶體管的放大能力越強。

輸出電導(dǎo)（gds）

輸出電導(dǎo)是指漏極電流隨漏極電壓變化的比率，通常表示為gds = ΔId / ΔVds。它反映了晶體管輸出端的電阻特性。

飽和電流（Idss）

飽和電流是指在特定柵極電壓下，漏極電壓增加到一定程度后，漏極電流不再顯著增加的值。它通常用于描述JFET和耗盡型MOSFET的特性。

擊穿電壓（BV）

擊穿電壓是指晶體管在反向偏置下，能夠承受的最大電壓。超過此電壓，晶體管可能會發(fā)生擊穿，導(dǎo)致器件損壞。

漏電流（Ioff）

漏電流是指在晶體管關(guān)閉狀態(tài)下，通過漏極和源極的微小電流。它是衡量晶體管關(guān)斷特性的重要參數(shù)。

柵極電容（Cgs, Cgd, Cds）

柵極電容包括柵源電容（Cgs）、柵漏電容（Cgd）和漏源電容（Cds）。這些電容影響晶體管的開關(guān)速度和頻率響應(yīng)。

體效應(yīng)參數(shù)（γ）

體效應(yīng)參數(shù)描述了體電壓對閾值電壓的影響。在MOSFET中，體效應(yīng)會導(dǎo)致閾值電壓隨體電壓的變化而變化。

這些參數(shù)共同決定了半導(dǎo)體器件在電路中的表現(xiàn)，是設(shè)計和優(yōu)化電子電路的重要依據(jù)。

審核編輯 黃宇