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TPS22959 具有輸出放電的 5.5V、15A、4.4mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-12 13:49 ? 次閱讀
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TPS22959 是一個小的、超低的 R 、單通道負(fù)載 開關(guān)與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,支持最大 15 A 的連續(xù)電流。
*附件:tps22959.pdf

超低 R 的組合以及 該器件非常適合驅(qū)動具有非常嚴(yán)格的壓降容差的處理器軌。 該器件的受控上升時間大大降低了大批量負(fù)載引起的浪涌電流 電容,從而減少或消除電源上的電壓下降。開關(guān)可以是 通過 ON 引腳獨立控制,該引腳能夠直接與低壓連接 來自微控制器或低壓分立邏輯的控制信號。該設(shè)備進一步 通過集成一個 224 Ω 下拉電阻器以實現(xiàn)快速輸出,減小了整體解決方案的尺寸 開關(guān)關(guān)閉時的放電 (QOD)。

TPS22959采用小型 3.00 mm x 3.00 mm WSON-8 封裝 (DNY)。The DNY 封裝集成了一個導(dǎo)熱墊,可在大電流和高電流下實現(xiàn)高功率耗散 溫度應(yīng)用。該設(shè)備的特點是在自然通風(fēng)溫度下運行 溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

  • 集成單通道負(fù)載開關(guān)
  • VBIAS 電壓范圍:2.5 V 至 5.5 V
  • VIN 電壓范圍:0.8 V 至 5.5 V
  • 超低 R電阻
    • RV 時 = 4.4 mΩ = 5 V (V 偏見 = 5 V)
  • 15 A 最大連續(xù)開關(guān)電流
  • 低靜態(tài)電流
    • (V 為 20 μA 偏見 = 5 V)
  • 低關(guān)斷電流
    • (V 為 1 μA 偏見 = 5 V)
  • 低控制輸入閾值允許使用 1.2 V 或更高的 GPIO
  • V寬的受控和固定轉(zhuǎn)換速率偏見和 V
    • tRV 時 = 2663 μs = 5 V (V 偏見 = 5 V)
  • 快速輸出放電 (QOD)
  • 帶導(dǎo)熱墊的 SON 8 引腳封裝
  • ESD 性能測試符合 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)
    • 2kV 人體模型 (HBM)
    • 1kV 充電器件模型 (CDM)

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS22959是一款小型、超低導(dǎo)通電阻(R ON)的單通道負(fù)載開關(guān),適用于驅(qū)動高電流電壓軌,具有嚴(yán)格的電壓降容差。該設(shè)備集成了N溝道MOSFET,可在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并支持最大連續(xù)電流達15A。

2. 主要特性

  • ?超低導(dǎo)通電阻?:R ON = 4.4mΩ(在V IN = 5V,V BIAS = 5V時)
  • ?高電流能力?:最大連續(xù)開關(guān)電流15A
  • ?寬輸入電壓范圍?:0.8V至5.5V
  • ?低靜態(tài)電流?:20μA(在V BIAS = 5V時)
  • ?低控制輸入閾值?:支持1.2V或更高的GPIO電壓
  • ?受控上升時間?:有助于減少大容性負(fù)載引起的浪涌電流
  • ? 快速輸出放電(QOD) ?:集成224Ω下拉電阻,實現(xiàn)快速輸出放電
  • ?小型封裝?:3.00mm x 3.00mm的8引腳WSON封裝

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 服務(wù)器
  • 醫(yī)療設(shè)備
  • 電信系統(tǒng)
  • 計算設(shè)備
  • 工業(yè)系統(tǒng)

4. 功能描述

  • ?開關(guān)控制?:通過ON引腳獨立控制,ON引腳為高電平時使能開關(guān)。
  • ?過壓和欠壓保護?:集成保護功能,防止電壓異常損壞設(shè)備。
  • ?熱關(guān)斷?:在結(jié)溫超過125°C時自動關(guān)斷,保護設(shè)備免受過熱損害。
  • ?輸出下拉電阻?:集成224Ω下拉電阻,當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時實現(xiàn)快速輸出放電。

5. 電氣特性

  • ?導(dǎo)通電阻?:在V IN = 5V,V BIAS = 5V時,R ON 典型值為4.4mΩ,最大值為5.8mΩ。
  • ?靜態(tài)電流?:在V BIAS = 5V時,I Q 典型值為26.0μA,最大值為27.0μA。
  • ?上升時間?:在V IN = 5V,V BIAS = 5V時,t R 典型值為2663μs,最大值為3000μs。

6. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:8引腳WSON封裝(DNY)
  • ?尺寸?:3.00mm x 3.00mm

7. 布局指南

  • ?輸入和輸出電容?:建議在VIN和VOUT引腳附近放置低ESR陶瓷旁路電容,以減小電壓波動和浪涌電流。
  • ?熱管理?:使用通孔將暴露的熱焊盤連接到PCB的接地平面,以提高熱性能。
  • ?組件布局?:將輸入、輸出和偏置電壓的旁路電容放置在盡可能靠近TPS22959引腳的位置。

8. 設(shè)計資源

  • 提供PSPICE模型,可在TI產(chǎn)品頁面獲取,用于設(shè)計驗證和仿真。
  • TI社區(qū)資源:包括TI E2E在線社區(qū)和設(shè)計支持,可獲取設(shè)計幫助和解答問題。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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