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64層第二代3D NAND存儲產(chǎn)品及解決方案

Micron美光科技 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2018-04-08 08:56 ? 次閱讀
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全新64層第二代3D NAND存儲產(chǎn)品,這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(UFS) 2.1標準。全新美光移動3D NAND產(chǎn)品提供256GB、128GB和64GB三種容量選擇。

該全新移動解決方案基于美光業(yè)界領(lǐng)先的三級單元(TLC) 3D NAND技術(shù),可幫助智能手機制造商通過人工智能(AI)、虛擬現(xiàn)實和面部識別等新一代移動功能來增強用戶體驗。AI在旗艦級手機中的出現(xiàn)推動了對能更快速高效地訪問數(shù)據(jù)的更先進的存儲解決方案的需求。分析機構(gòu)Gartner預(yù)測,到2022年,80%的智能手機將具有AI功能,這會增加在本地處理和存儲更多數(shù)據(jù)的需求。1

此外,由于智能手機已然成為攝影和多媒體共享的首選設(shè)備,存儲容量需求將繼續(xù)顯著增加,目前旗艦級手機的容量最高為256GB,預(yù)計到2021年容量將增長到1TB。全新美光64層TLC 3D NAND存儲解決方案利用針對移動設(shè)備進行了優(yōu)化的架構(gòu)滿足了這些需求,在更小的空間內(nèi)提供更多容量的同時,提供一致的高性能和低延遲。

“我們都希望智能手機提供大膽的新功能,而存儲對此起到了日益關(guān)鍵的作用?!泵拦饪萍家苿赢a(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Gino Skulick表示,“美光科技獨家提供移動DRAM和3D NAND,并且我們的尖端設(shè)計將繼續(xù)實現(xiàn)最先進的智能手機所需要的性能。”

64層TLC 3D NAND:助力移動領(lǐng)域的未來發(fā)展

該移動3D NAND產(chǎn)品將更多的存儲單元集中到更小的芯片區(qū)域內(nèi),并利用美光陣列下的CMOS (CuA)設(shè)計,提供一流的芯片區(qū)域。美光獨有的方法將所有閃存層置于邏輯陣列之上,最大限度地利用智能手機設(shè)計中的空間。

美光第二代TLC3D NAND移動技術(shù)具有多項競爭優(yōu)勢,包括以下新功能:

  • 美光針對移動設(shè)備進行了優(yōu)化的架構(gòu)提供一致的高性能和低延遲,能夠增強用戶體驗,同時通過使用高效的峰值功率管理系統(tǒng)將功耗降至最低。

  • 全新美光64層TLC 3D NAND產(chǎn)品比上一代TLC 3D NAND快50%。

  • 美光64層3D NAND技術(shù)比上一代TLC 3D NAND的存儲密度高一倍,封裝尺卻未變。

  • UFS 2.1 G3-2L接口規(guī)范為移動應(yīng)用提供極具吸引力的性能,并且?guī)挶萫.MMC 5.1高出多達200%,同時還提供同步讀寫功能。這為提供在捕獲高分辨率照片的突發(fā)數(shù)據(jù)或?qū)?K視頻記錄到存儲時所需的數(shù)據(jù)訪問速度奠定了基礎(chǔ)。

  • 該新產(chǎn)品基于32GB芯片,尺寸為59.341mm2——是業(yè)界市場上最小的32GB TLC 3D NAND芯片。2

1Gartner市場見解:支持AI的智能手機產(chǎn)生新商機的10個使用案例。(gartner.com/newsroom/id/3842564)

2資料來源:美光科技。基于美光B16A 32GB TLC 3D NAND芯片的內(nèi)部測量結(jié)果與具有競爭力的32GB TLC 3D NAND芯片的對比。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:美光科技宣布推出適用于旗艦級智能手機的尖端移動3D NAND 解決方案

文章出處:【微信號:gh_195c6bf0b140,微信公眾號:Micron美光科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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