這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗。
*附件：CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 低 RDS（開啟）
• Low-Thermal Resistance
• 雪崩評級
• 邏輯電平
• 無鉛端子電鍍
• 符合 RoHS 標準
• 無鹵素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品特性

• ? 低導通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時，導通電阻僅為0.79 mΩ，有助于減少功率損耗。
• ?低熱阻?：結(jié)到殼熱阻（R_θJC）僅為0.8°C/W，有助于散熱。
• ?邏輯電平兼容?：適用于標準邏輯電平驅(qū)動。
• ?無鉛和環(huán)保?：符合RoHS標準，且不含鹵素。
• ?小尺寸封裝?：采用5 mm × 6 mm的SON塑料封裝，適合空間受限的應用。

2. 應用領(lǐng)域

• ?DC-DC轉(zhuǎn)換?：適用于各種需要高效率DC-DC轉(zhuǎn)換的電路。
• ?次級側(cè)同步整流?：在開關(guān)電源中，作為次級側(cè)的同步整流器，提高電源效率。
• ?電機控制?：適用于各種電機驅(qū)動和控制電路。

3. 產(chǎn)品描述

CSD18510Q5B是一款40V、0.79 mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，采用5 mm × 6 mm的SON塑料封裝。該器件專為最小化功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗而設(shè)計，具有低導通電阻、低熱阻和邏輯電平兼容的特性。

4. 電氣特性

• ?靜態(tài)特性?：包括漏源擊穿電壓（BV_DSS）、漏源泄漏電流（I_DSS）、柵源泄漏電流（I_GSS）、閾值電壓（V_GS(th)）等。
• ?動態(tài)特性?：涵蓋輸入電容（C_ISS）、輸出電容（C_OSS）、反向傳輸電容（C_RSS）、柵極電荷（Q_g）等，影響開關(guān)速度和效率。
• ?二極管特性?：包括體二極管正向電壓（V_SD）和反向恢復電荷（Q_rr），對整流和續(xù)流應用至關(guān)重要。

5. 熱信息

• ?熱阻?：提供了結(jié)到殼（R_θJC）和結(jié)到環(huán)境（R_θJA）的熱阻信息，有助于設(shè)計有效的散熱系統(tǒng)。

6. 機械、包裝和訂購信息

• ?封裝尺寸?：詳細列出了CSD18510Q5B的封裝尺寸和引腳配置。
• ?推薦PCB布局?：提供了推薦的PCB布局和焊盤圖案，以確保良好的電氣和熱性能。
• ?訂購選項?：包括可訂購的設(shè)備型號、封裝類型、每卷數(shù)量等信息。

7. 文檔和支持

• ?文檔更新通知?：用戶可通過TI官網(wǎng)注冊接收產(chǎn)品文檔的更新通知。
• ?社區(qū)資源?：提供了TI的E2E在線社區(qū)鏈接，方便用戶獲取技術(shù)支持和與其他工程師交流。
• ?商標和靜電放電警告?：指出了NexFET?是TI的商標，并提醒用戶注意靜電放電保護。