晶圓芯片存放于氮?dú)夤駮r(shí)需遵循嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，涵蓋氮?dú)饧兌?、露點(diǎn)溫度、柜體潔凈度、溫濕度控制及氣流均勻性等方面。那么下面就來(lái)具體給大家揭曉一個(gè)行業(yè)內(nèi)默認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)吧！

晶圓芯片存放氮?dú)夤駱?biāo)準(zhǔn)一覽

氮?dú)饧兌?/p>

常規(guī)要求：一般要求氮?dú)饧兌冗_(dá)到99.99%以上（即4個(gè)9的純度）。高純度的氮?dú)饪梢杂行Х乐咕A芯片表面發(fā)生氧化反應(yīng)，避免因氧化而對(duì)芯片性能造成影響。例如，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，即使是微量的氧氣也可能導(dǎo)致芯片表面的金屬層氧化，從而改變芯片的電學(xué)性能，影響其正常工作。

特殊要求：對(duì)于一些對(duì)環(huán)境要求極為苛刻的高端芯片制造，氮?dú)饧兌瓤赡苄枰_(dá)到99.999%甚至更高（5個(gè)9的純度），以確保芯片在存儲(chǔ)和運(yùn)輸過(guò)程中的穩(wěn)定性和可靠性。

露點(diǎn)溫度

常規(guī)范圍：露點(diǎn)溫度通常應(yīng)低于-60℃。較低的露點(diǎn)溫度可以保證氮?dú)獾母稍镄裕乐顾衷谛酒砻婺Y(jié)。如果氮?dú)庵泻羞^(guò)多的水分，在低溫環(huán)境下這些水分可能會(huì)在芯片表面形成水汽，進(jìn)而引發(fā)芯片表面的腐蝕、短路等問(wèn)題。

特殊需求：在某些超精密芯片的存儲(chǔ)中，露點(diǎn)溫度可能需要控制在更低的水平，如低于-80℃，以滿(mǎn)足芯片對(duì)極端干燥環(huán)境的要求。

柜體潔凈度

顆粒度控制：氮?dú)夤駜?nèi)部的顆粒度應(yīng)符合相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，一般要求每立方米空氣中的粒徑大于0.5μm的塵埃粒子數(shù)量不超過(guò)35.2萬(wàn)個(gè)，粒徑大于5μm的塵埃粒子數(shù)量不超過(guò)293個(gè)。這樣可以防止灰塵顆粒附著在晶圓芯片表面，避免對(duì)芯片的光刻、蝕刻等精細(xì)加工過(guò)程產(chǎn)生影響。

化學(xué)污染物控制：柜內(nèi)環(huán)境中的化學(xué)污染物濃度應(yīng)嚴(yán)格控制在一定范圍內(nèi)，如揮發(fā)性有機(jī)化合物（VOC）的含量應(yīng)低于規(guī)定限值?；瘜W(xué)污染物可能會(huì)與芯片表面的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致芯片性能下降或失效。

溫濕度控制

溫度控制：氮?dú)夤駜?nèi)的溫度應(yīng)根據(jù)晶圓芯片的特性進(jìn)行合理設(shè)置和控制。一般來(lái)說(shuō)，溫度波動(dòng)范圍應(yīng)控制在±1℃以?xún)?nèi)。對(duì)于一些特殊的芯片材料和工藝，溫度控制要求可能更為嚴(yán)格，溫度波動(dòng)范圍可能需要控制在±0.5℃甚至更小。

濕度控制：除了通過(guò)氮?dú)獾牡吐饵c(diǎn)來(lái)控制濕度外，氮?dú)夤襁€應(yīng)具備良好的密封性能，以防止外界濕氣進(jìn)入柜內(nèi)。同時(shí)，可在柜內(nèi)安裝濕度傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)濕度變化，確保濕度始終處于穩(wěn)定且符合要求的狀態(tài)。

氣流均勻性

設(shè)計(jì)要求：氮?dú)夤駜?nèi)的氣流組織應(yīng)均勻，避免出現(xiàn)局部氣流過(guò)大或過(guò)小的情況。通過(guò)合理的通風(fēng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)和出風(fēng)口布局，使氮?dú)饽軌蚱椒€(wěn)、均勻地流經(jīng)晶圓芯片表面，確保芯片各個(gè)部位都能得到充分的保護(hù)。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：可通過(guò)風(fēng)速測(cè)試儀等設(shè)備對(duì)柜內(nèi)不同位置的氣流速度進(jìn)行檢測(cè)，要求各點(diǎn)風(fēng)速偏差不超過(guò)平均風(fēng)速的10%。

審核編輯 黃宇