DRAM、NAND型快閃存儲(chǔ)近來(lái)報(bào)價(jià)走勢(shì)超優(yōu)，科技市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights為此決定將今(2018)年的全球IC市場(chǎng)成長(zhǎng)預(yù)估值拉高近一倍，從原本的8%一口氣上修至15%。

IC Insights 14日發(fā)表研究報(bào)告指出，今年DRAM均價(jià)遠(yuǎn)優(yōu)于預(yù)期，估計(jì)將較去年跳增36%，延續(xù)去年大漲81%的上升走勢(shì)，而去年均價(jià)跳漲45%的NAND，今年報(bào)價(jià)也有望續(xù)增10%。相較之下，DRAM、NAND今年的位元出貨量成長(zhǎng)率則只將達(dá)到1%、6%。

基于上述預(yù)測(cè)，IC Insights認(rèn)為，今年DRAM的全球市場(chǎng)規(guī)模有望成長(zhǎng)37%，遠(yuǎn)優(yōu)于先前估計(jì)的13%，而NAND則將成長(zhǎng)17%、也高于先前估計(jì)的10%。

報(bào)告稱，2018年DRAM市場(chǎng)的整體規(guī)模預(yù)料會(huì)達(dá)到996億美元，比NAND的621億美元大幅超出375億美元，成為IC業(yè)界規(guī)模最大的產(chǎn)品類別。從該機(jī)構(gòu)制作的圖表可以看出(見(jiàn)左圖)，過(guò)去五年來(lái)，DRAM已成為左右全球IC成長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。

美國(guó)存儲(chǔ)大廠美光(Micron Technology)受惠DRAM報(bào)價(jià)看俏、NAND型快閃存儲(chǔ)毛利增加，去年股價(jià)狂飆87.57%后，今年以來(lái)又續(xù)漲45.38%。

barron`s.com、CNBC、路透社等外電報(bào)導(dǎo)，Nomura Instinet分析師Romit Shah 3月12日發(fā)表研究報(bào)告指出，年初以來(lái)，存儲(chǔ)報(bào)價(jià)僅下滑3%，跌幅遠(yuǎn)不如過(guò)去三年的Q1平均跌幅(10~20%)，預(yù)估未來(lái)六個(gè)月報(bào)價(jià)有望上揚(yáng)10%。研究顯示，供應(yīng)商應(yīng)該會(huì)在Q2、Q3開(kāi)始漲價(jià)，跟市場(chǎng)原本預(yù)測(cè)的「未來(lái)四季報(bào)價(jià)每季會(huì)跌5-6%」大相徑庭。

Shah認(rèn)為，美光股價(jià)順利突破3-4個(gè)月的盤整期，目前正處于另一波大漲行情的初始階段。他提出了幾項(xiàng)對(duì)美光有利的因素，當(dāng)中包括DRAM報(bào)價(jià)有望自第2季起恢復(fù)揚(yáng)升走勢(shì)、公司將在5月首度宣布股利發(fā)放和庫(kù)藏股計(jì)劃、NAND的毛利率持續(xù)擴(kuò)張，以及有關(guān)整并的討論增多等。

DRAM缺貨一整年價(jià)格逐季漲

全球最大存儲(chǔ)廠韓國(guó)三星電子正在進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)能大挪移，以提升產(chǎn)能運(yùn)用效率，三星雖然決定在韓國(guó)華城Line 17及平澤Line 18擴(kuò)大先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)能，但三星同時(shí)卻將華城Line 11及Line 13的舊制程DRAM產(chǎn)能，移轉(zhuǎn)生產(chǎn)CMOS影像感測(cè)器，有意擠下日本索尼、搶占CMOS影像感測(cè)器龍頭寶座。

業(yè)界認(rèn)為，三星在增加DRAM新制程產(chǎn)能之際，同時(shí)縮減舊制程產(chǎn)能，總投片量今年及明年都不會(huì)增加太多，只利用制程轉(zhuǎn)換至1y/1z納米來(lái)提高位元出貨成長(zhǎng)率。由此來(lái)看，DRAM市場(chǎng)今年恐將缺貨一整年，價(jià)格逐季調(diào)漲已無(wú)可避免。

業(yè)界指出，今年總投片量增加幅度十分有限，DRAM價(jià)格3月見(jiàn)到明顯漲勢(shì)，季度漲幅可望上看5～10％，優(yōu)于先前預(yù)期的5％，第二季價(jià)格可望再續(xù)漲5～10％。法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）將直接受惠。

根據(jù)韓國(guó)外電報(bào)導(dǎo)，韓系存儲(chǔ)廠三星以及SK海力士已調(diào)漲第一季DRAM報(bào)價(jià)，漲幅約達(dá)5～10％，包括標(biāo)準(zhǔn)型、伺服器、利基型、行動(dòng)式等DRAM價(jià)格都全面上漲。

第一季是傳統(tǒng)淡季，DRAM價(jià)格在淡季調(diào)漲，代表市場(chǎng)供不應(yīng)求情況未獲紓解，其中又以伺服器DRAM缺貨最為嚴(yán)重。

業(yè)界人士透露，資料中心需求強(qiáng)勁，搭載的伺服器DRAM價(jià)格比智慧型手機(jī)采用的行動(dòng)式DRAM高出2成，所以三大DRAM廠上半年產(chǎn)能都移轉(zhuǎn)到伺服器DRAM。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM則在英特爾、超微的新平臺(tái)推出后，帶動(dòng)需要搭載8GB以上高容量DRAM的電競(jìng)PC熱賣，PC DRAM需求強(qiáng)勁且價(jià)格持續(xù)上漲，目前價(jià)格幾乎是去年同期的2倍。

為解決DRAM缺貨問(wèn)題，龍頭大廠三星已宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫。三星將利用位于韓國(guó)平澤Line 18的2樓空間擴(kuò)增DRAM產(chǎn)能，設(shè)備已完成裝機(jī)并準(zhǔn)備啟動(dòng)生產(chǎn)，華城Line 17的部份產(chǎn)線也由NAND Flash轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM，下半年將啟動(dòng)生產(chǎn)。三星的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫一度讓市場(chǎng)擔(dān)憂DRAM市場(chǎng)好日子是不是快過(guò)去了，但事實(shí)上，三星卻同時(shí)縮減舊制程DRAM產(chǎn)能。

外電報(bào)導(dǎo)指出，三星已將原本用來(lái)生產(chǎn)DRAM的華城Line 11舊制程生產(chǎn)線，在去年底改為生產(chǎn)CMOS影像感測(cè)器，預(yù)計(jì)今年底改裝完畢，隨后華城Line 13舊制程DRAM生產(chǎn)線也會(huì)跟著移轉(zhuǎn)成為CMOS影像感測(cè)器生產(chǎn)線。而值得注意之處，在于三星的CMOS影像感測(cè)器將用來(lái)投產(chǎn)堆疊DRAM及類比邏輯芯片的三層（3-layer stacked）影像感測(cè)器。