該產(chǎn)品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能，在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)超快切換

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會(huì)議（APEC 2018）的Littelfuse展位亮相。

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，分別僅為120毫歐姆和160毫歐姆。這些碳化硅MOSFET可在各種電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中用作電源半導(dǎo)體開關(guān)，其在阻斷電壓、特征導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面的性能顯著優(yōu)于其他硅MOSFET。其還兼具高工作電壓和超高切換速度，這是具有類似額定電流和封裝的硅IGBT等傳統(tǒng)功率晶體管方案所無法企及的。

這些新型碳化硅MOSFET的典型應(yīng)用包括：

電動(dòng)汽車
工業(yè)機(jī)械
可再生能源（如太陽能逆變器）
醫(yī)療設(shè)備
開關(guān)式電源
不間斷電源（UPS）
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
感應(yīng)加熱

“這些新型碳化硅MOSFET為電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師提供了傳統(tǒng)硅基晶體管的先進(jìn)替代選擇。”Littelfuse電源半導(dǎo)體產(chǎn)品營銷經(jīng)理Michael Ketterer表示， “其固有的材料特性和超快速切換能力提供了各種優(yōu)化設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性?！?br />
新型1200V碳化硅MOSFET具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢：

從系統(tǒng)層面減少的無源濾波器組件數(shù)量有助于提高功率密度，為高頻高效應(yīng)用打造優(yōu)化設(shè)計(jì)。

極低的柵極電荷和輸出電容結(jié)合超低導(dǎo)通電阻可最大限度地減少功率耗散，提高效率并降低所需冷卻技術(shù)的規(guī)模和復(fù)雜性。