概述

HMC8401是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)。HMC8401是一款寬帶低噪聲放大器，工作頻率范圍為DC至28 GHz.該放大器提供14.5 dB增益、1.5 dB噪聲系數(shù)、26 dBm輸出IP3和16.5 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮），同時(shí)功耗為60 mA（采用7.5 V電源時(shí)）。HMC8401還具有增益控制選項(xiàng)VGG2。HMC8401放大器輸入/輸出內(nèi)部匹配50 Ω，可方便地集成至多芯片模塊(MCM)。所有數(shù)據(jù)均由通過最短0.31 mm (12 mils)的兩條0.025 mm (1 mil)線焊連接的芯片獲取。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC8401-DIE DC至28GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 測(cè)試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍事與航天
• 電信基礎(chǔ)設(shè)施
• 光纖產(chǎn)品

特性

• 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率：16.5 dBm（典型值）
• 飽和輸出功率(PSAT)：19 dBm（典型值）
• 增益：14.5 dB（典型值）
• 噪聲系數(shù)：1.5 dB
• 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)：26 dBm（典型值）
• 電源電壓：7.5 V (60 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸：2.55 mm × 1.5 mm × 0.05 mm

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型性能特征

HMC8401是一款GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器。它的基本架構(gòu)是共源共柵分布式放大器，漏極集成電阻。共源共柵分布式架構(gòu)使用由兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)堆疊而成的基本單元，其中上FET的源極連接到下FET的漏極。然后，用互連下部fet的柵極的RFIN傳輸線和互連上部fet的漏極的RFOUT傳輸線將基本單元復(fù)制幾次。
每個(gè)單元都采用額外的電路設(shè)計(jì)技術(shù)來優(yōu)化整體帶寬和噪聲系數(shù)。這種架構(gòu)的主要優(yōu)勢(shì)在于，在比單個(gè)基本單元提供的帶寬大得多的帶寬范圍內(nèi)，可以保持低噪聲系數(shù)。這種架構(gòu)的簡(jiǎn)化原理圖如圖42所示。