在涉及浪涌防護時，傳統(tǒng)瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）具有成本低廉和應(yīng)用方便等特點，工程師通常會將其作為熱門選擇。然而傳統(tǒng)TVS存在不可忽視的缺點，從而導(dǎo)致系統(tǒng)設(shè)計面臨挑戰(zhàn)，例如TVS二極管的特性對溫度變化敏感、鉗位電壓特性低效以及封裝體積大,導(dǎo)致需要對受保護電路進行過度設(shè)計。為了產(chǎn)品在惡劣環(huán)境中運行維持更長的使用壽命，因此必須開發(fā)更為可靠的浪涌保護解決方案。

湖南靜芯突破浪涌控制（SurgeControl）技術(shù)，推出瞬態(tài)分流抑制器（TransientDivertingSuppressors，簡稱TDS）產(chǎn)品系列，用來保護電路的靜電放電ESD（Electro-Static Discharge）和電氣過壓EOS（Electrical Over Stress）。TDS與傳統(tǒng)TVS二極管的結(jié)構(gòu)以及工作機理不同，其不再基于傳統(tǒng)的PN結(jié)作為擊穿機制與浪涌電流泄放路徑。TDS產(chǎn)品系列具有精準(zhǔn)且恒定的觸發(fā)電壓、優(yōu)異的鉗位性能、低導(dǎo)通電阻以及穩(wěn)定的溫度特性，可為系統(tǒng)提供更全面和更可靠的保護，避免系統(tǒng)的過度設(shè)計。

由于采用IC技術(shù)，因此TDS體積小巧，其可以適應(yīng)更加緊湊的封裝。TDS的2mm×2mm×0.68mm 6引腳封裝比傳統(tǒng)TVS二極管的SOD-123封裝縮小60%，有效降低PCB面積，并且兼顧防護性能。

圖1封裝尺寸對比	圖2帶有銅散熱片的封裝示意圖

TDS晶圓放置在緊湊的封裝中可以降低面積而又不影響熱性能。在8/20μs IEC 61000-4-5事件中，材料的熱擴散長度約為32μm。由于32μm遠小于典型硅芯片的厚度（約120μm-280μm，見圖2），因此8/20μs浪涌脈沖的熱能在硅芯片內(nèi)部即可消散。因此，封裝尺寸和熱特性與非重復(fù)性8/20μs浪涌事件中的功率耗散無關(guān)。

在10/1000μs浪涌事件期間，熱擴散長度約為224μm，接近典型硅芯片的厚度。對于10/1000μs浪涌事件，熱量可以達到硅與封裝的邊界，封裝熱阻開始在浪涌性能中發(fā)揮作用。

靜芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想狀況的ESD和EOS保護特性，可以廣泛應(yīng)用于USB/雷電接口、工業(yè)機器人、IO-Link接口、工業(yè)傳感器、IIoT設(shè)備、可編程邏輯控制器(PLC)和以太網(wǎng)供電(PoE)等領(lǐng)域，可為系統(tǒng)提供更全面以及更可靠的保護。目前公司推出來ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等封裝型號，歡迎客戶前來咨詢選購。

湖南靜芯是一家專門從事高可靠性器件與芯片設(shè)計的高新技術(shù)企業(yè)，為客戶提供面向汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)等高可靠性傳感器及相關(guān)芯片、半導(dǎo)體器件和應(yīng)用系統(tǒng)等產(chǎn)品和服務(wù)。

審核編輯 黃宇