概述
ADL8100是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、寬帶低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為0.01 GHz至20 GHz。ADL8100在0.01 GHz至6 GHz范圍內(nèi)提供20 dB典型增益，在6 GHz至14 GHz范圍內(nèi)提供2.5 dB典型噪聲系數(shù)，在0.01 GHz至6 GHz范圍內(nèi)提供38 dBm典型輸出三階交調(diào)點(OIP3)，采用5 V電源電壓時功耗僅為220 mA。可通過犧牲OIP3和輸出功率來降低功耗。ADL8100還具有內(nèi)部匹配50Ω的直流耦合輸入和輸出。
ADL8100采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2 mm × 2 mm、8引腳LFCSP封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.01GHz至20GHz技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 衛(wèi)星通信
• 電信
• 民用雷達
• 軍用雷達
• 氣象雷達
• 電子戰(zhàn)

特性

• 低噪聲系數(shù)：2.5 dB（典型值，6 GHz至14 GHz時）
• 單正電源（自偏置）
• 高增益：20 dB（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
• 高OIP3：38 dBm（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADL8100是一款GaAs、MMIC、pHEMT、寬帶LNA。圖104顯示了一個簡化框圖。RFIN和RFOUTpins引腳DC耦合，匹配至50歐姆。ADL8100采用單電源供電，IDo通過在RBIAS引腳與外部電源電壓之間連接一個電阻來設(shè)置。漏極偏置電壓通常由外部偏置三通提供。

操作ADL8100的基本連接如圖105所示。偏置電流通過在RBIAS和VDD引腳之間連接一個電阻來設(shè)置。使用5 V VDD時，建議使用560±2(R1)的電阻值，以實現(xiàn)220 mA的lpg。表9詳細(xì)列出了不同RBIAs值下的IDo，其中電阻連接到5 V。
漏極電壓通過外部連接的偏置三通(Marki BT-0040)施加于VDD引腳。有關(guān)該電路的更多信息，請參考EVAL-ADL8100用戶指南。

圖106顯示ADL8100采用由表貼元件組成的偏置三通工作。