99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

閃存的價(jià)格轉(zhuǎn)為下跌,NAND閃存將進(jìn)入調(diào)整期

jXID_bandaotigu ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李建兵 ? 2018-03-15 09:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

日前,日經(jīng)新聞報(bào)道稱(chēng),由于美國(guó)蘋(píng)果對(duì)iPhoneX進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)整以及中國(guó)廠商的智能手機(jī)銷(xiāo)售減速,部分存儲(chǔ)器的價(jià)格轉(zhuǎn)為下跌,NAND閃存將進(jìn)入調(diào)整期......

報(bào)道稱(chēng),由于美國(guó)蘋(píng)果對(duì)iPhoneX進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)整以及中國(guó)廠商的智能手機(jī)銷(xiāo)售減速,部分存儲(chǔ)器的價(jià)格轉(zhuǎn)為下跌。此前以存儲(chǔ)器為中心半導(dǎo)體需求持續(xù)增長(zhǎng),市場(chǎng)行情保持堅(jiān)挺,包括材料和制造設(shè)備領(lǐng)域在內(nèi),半導(dǎo)體行業(yè)正欲弄清行情是否進(jìn)入了調(diào)整階段。

在用于智能手機(jī)記憶裝置的NAND型閃存方面,對(duì)需求反映敏感的現(xiàn)貨價(jià)格較3個(gè)月前下跌1成左右,從2016年下半年開(kāi)始持續(xù)的漲價(jià)局面發(fā)生了變化。

另?yè)?jù)鉅亨網(wǎng)報(bào)道,財(cái)經(jīng)部落格《Seeking Alpha》專(zhuān)欄作家Robert Castellano也表示,根據(jù) Korea Investment & Securities提供的資料,統(tǒng)整2016年至2018年NAND和DRAM平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASPs),數(shù)據(jù)顯示三星電子SK海力士的NAND和DRAM平均銷(xiāo)售價(jià)格變化,在最近幾季呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。

日經(jīng)新聞表示,自2016年iPhone搭載了可容納幾十部高清電影的閃存之后,全球智能手機(jī)的容量紛紛變大。此外,IT企業(yè)將個(gè)人信息保存于數(shù)據(jù)中心的需求也出現(xiàn)擴(kuò)大,以容量計(jì)算的閃存市場(chǎng)規(guī)模被認(rèn)為將在中長(zhǎng)期內(nèi)保持高速增長(zhǎng)。

然而,蘋(píng)果iPhoneX傳出在1~3月減產(chǎn)5成,上海研究公司CINNO的分析師Sean Yang指出,蘋(píng)果為這些芯片的最大消費(fèi)者,2017 年占全球總需求量的1.6%,約為 1.6 億千兆位組 (gigabytes)。iPhone X 的產(chǎn)量減少,意味著內(nèi)存芯片的消費(fèi)者減少,將使 NAND 和 DRAM 和平均售價(jià)上升幅度減緩。

此外,OPPO、vivo等快速成長(zhǎng)的中國(guó)手機(jī)廠商也陷入苦戰(zhàn),IDC數(shù)據(jù)顯示2017年全球智能手機(jī)銷(xiāo)量同比下滑0.1%,智能手機(jī)市場(chǎng)的變化直接導(dǎo)致閃存的供需趨緩。

據(jù)悉,三星原先預(yù)計(jì)在韓國(guó)平澤的工廠,開(kāi)辟樓層建立新的NAND閃存生產(chǎn)線,但在價(jià)格下降后,三星將計(jì)劃改為在二樓部份區(qū)域建立DRAM生產(chǎn)線。據(jù)JP摩根證券估算,三星2018年的設(shè)備投資中,投向閃存的金額將同比減少3成。

DRAMexchange 預(yù)計(jì) 2018 年DRAM供給位預(yù)計(jì)成長(zhǎng) 22.5%,高于2017年的約19.5%,而2018年DRAM的收入預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)30%,遠(yuǎn)低于2017年的76%營(yíng)收成長(zhǎng)。

中國(guó)大陸存儲(chǔ)器的成長(zhǎng)也對(duì)NAND、DRAM的供需情況產(chǎn)生影響。中國(guó)大陸半導(dǎo)體廠商的內(nèi)存工廠可能最快在2019年下旬即可開(kāi)始營(yíng)運(yùn),位于福建的晉華集成電路公司指出,工程進(jìn)度加快,預(yù)計(jì)在今年10月將完成主要工廠的結(jié)構(gòu)建設(shè),而總部位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司將投資24億美元建設(shè)3座大型 3D NAND閃存制造工廠,一號(hào)工廠預(yù)計(jì)將于2018年正式開(kāi)始生產(chǎn),月產(chǎn)能約為30萬(wàn)片晶圓;最后,位于合肥的睿力集成電路公司,也購(gòu)買(mǎi)了一批DRAM生產(chǎn)設(shè)備。

Robert Castellano認(rèn)為,內(nèi)存平均售價(jià)呈現(xiàn)下滑、大陸發(fā)改委和三星簽署備忘錄、三星 NAND 閃存擴(kuò)充產(chǎn)能量減少、中國(guó)大陸廠商完成內(nèi)存生產(chǎn)工廠設(shè)置、蘋(píng)果下修iPhone X 產(chǎn)量等五大跡象據(jù)顯示內(nèi)存芯片的“超級(jí)循環(huán)”將結(jié)束。

日經(jīng)新聞引援JP摩根證券的執(zhí)行董事森山久史表示,“NAND型閃存將進(jìn)入調(diào)整期”。森山認(rèn)為,伴隨各家制造商良品率提高,NAND型閃存的供應(yīng)量出現(xiàn)增加,與2017年相比供應(yīng)短缺的情況將有所緩解。

DIGITIMES則指出,雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)認(rèn)為,全球儲(chǔ)存設(shè)備需求持續(xù)成長(zhǎng),NAND存儲(chǔ)器市場(chǎng)目前只是進(jìn)行短期調(diào)整,中長(zhǎng)期還是會(huì)止跌回升,但存儲(chǔ)器市場(chǎng)是先前漲得越兇、后面就跌得越深,加上新產(chǎn)品良率總不易拉高,如果又與市場(chǎng)景氣下滑重迭,2018年的業(yè)績(jī)實(shí)不容樂(lè)觀。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1845

    瀏覽量

    115962
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1722

    瀏覽量

    138121

原文標(biāo)題:價(jià)格下跌 閃存市場(chǎng)將進(jìn)入調(diào)整期?

文章出處:【微信號(hào):bandaotiguancha,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    NAND 文章目錄 NAND 一、FLASH閃存是什么? 二、SD NAND Flash 三、STM32例程 一、FLASH閃存是什么? 簡(jiǎn)
    發(fā)表于 07-03 14:33

    拯救NAND/eMMC:延長(zhǎng)閃存壽命

    隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文探討其損壞的軟件原因,并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMM
    的頭像 發(fā)表于 03-25 11:44 ?1369次閱讀
    拯救<b class='flag-5'>NAND</b>/eMMC:延長(zhǎng)<b class='flag-5'>閃存</b>壽命

    NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

    NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤(pán)、USB閃存盤(pán)和手機(jī)存儲(chǔ)中,具有高速讀寫(xiě)和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:21 ?2057次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>閃存</b>的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

    NAND閃存價(jià)格預(yù)測(cè):2025年呈V型走勢(shì)

    市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日對(duì)2025年NAND閃存價(jià)格走勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)全年價(jià)格呈現(xiàn)V型波動(dòng)。 據(jù)TrendForce分析,2
    的頭像 發(fā)表于 02-18 11:03 ?1469次閱讀

    DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

    TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 02-08 16:41 ?605次閱讀

    DRAM與NAND閃存市場(chǎng)表現(xiàn)分化

    。這一趨勢(shì)直接導(dǎo)致了DDR4現(xiàn)貨價(jià)格下跌,給相關(guān)供應(yīng)商帶來(lái)了不小的壓力。盡管業(yè)界普遍期待隨著市場(chǎng)需求的逐步恢復(fù),DRAM價(jià)格能夠有所反彈,但目前來(lái)看,這一期望似乎還需要一段時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)。 與此同時(shí),
    的頭像 發(fā)表于 02-07 17:08 ?636次閱讀

    三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

    近日,三星電子已做出決定,減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND
    的頭像 發(fā)表于 01-14 14:21 ?560次閱讀

    EMMC和NAND閃存的區(qū)別

    在現(xiàn)代電子設(shè)備中,存儲(chǔ)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展,存儲(chǔ)解決方案也在不斷進(jìn)步,以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。EMMC(嵌入式多媒體卡)和NAND閃存是兩種廣泛使用的存儲(chǔ)技術(shù),它們?cè)?/div>
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:37 ?3324次閱讀

    三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

    的廣泛關(guān)注。 然而,三星電子并未對(duì)這一傳聞進(jìn)行正面回應(yīng),反而強(qiáng)調(diào)市場(chǎng)傳言不實(shí),并表示未來(lái)持續(xù)生產(chǎn)MLC NAND閃存。盡管如此,多家供應(yīng)鏈業(yè)者仍指出,三星在年底進(jìn)行的人事大改組后,產(chǎn)線規(guī)劃很可能也會(huì)有所
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:16 ?1054次閱讀

    NAND閃存啟動(dòng)DaVinci EVM

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《從NAND閃存啟動(dòng)DaVinci EVM.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 10-16 10:15 ?0次下載
    從<b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>閃存</b>啟動(dòng)DaVinci EVM

    DRAM與NAND閃存價(jià)格大幅下跌

    近期,DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,DRAM價(jià)格尤其受到重創(chuàng),近一個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 10-09 17:08 ?889次閱讀

    NAND閃存的發(fā)展歷程

    NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿(mǎn)創(chuàng)新與突破的歷程,它自誕生以來(lái)就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理,全面且深
    的頭像 發(fā)表于 08-10 16:32 ?2388次閱讀

    NAND閃存和NOR閃存有什么區(qū)別

    NAND閃存和NOR閃存是兩種常見(jiàn)的閃存存儲(chǔ)器技術(shù),它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
    的頭像 發(fā)表于 08-10 16:14 ?6246次閱讀

    NAND閃存是什么意思

    NAND閃存,又稱(chēng)之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND
    的頭像 發(fā)表于 08-10 15:57 ?8542次閱讀