這份文件是?GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)介紹?，主要介紹了GaN（氮化鎵）功率器件的原理、特性及其相較于傳統(tǒng)硅基器件的優(yōu)勢。

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*附件：GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù).pdf

以下是詳細(xì)內(nèi)容：

1. ?GaN器件原理?：
   • ?增強型GaN器件?：基于GaN增強型高電子遷移率晶體管(E-HEMT)，利用AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中的二維電子氣(2DEG)實現(xiàn)高電荷密度和遷移率。通過p型摻雜門極耗盡2DEG，實現(xiàn)常斷型器件。
   • ?工作原理?：類似于MOSFET，但具有更優(yōu)良的開關(guān)性能。
2. ?GaN器件特性?：
   • ?門極偏置等級?：最大額定值為-20/+10V，典型門偏置值為0或-3/+5V，與硅MOSFET驅(qū)動芯片兼容。
   • ?低驅(qū)動損耗?：極低的柵極電荷(Qg)，導(dǎo)致更低的驅(qū)動損耗和更快的開關(guān)速度。
   • ?高跨導(dǎo)與低Vgs?：僅需+5-6V柵極偏置電壓即可接通元件，Vgs(th)典型值為1.5V。
3. ?GaN與其他技術(shù)對比?：
   • ?與D-mode GaN (Cascode)對比?：D-mode技術(shù)開關(guān)速度不可控，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，存在可靠性問題，且難以擴展和并聯(lián)。
   • ?與GaN門極注入晶體管(GIT)對比?：GIT門極特性復(fù)雜，電流型驅(qū)動，并聯(lián)穩(wěn)定性差，開關(guān)速度慢。
   • ?GaN Systems E-mode HEMT優(yōu)勢?：真正的增強型器件，無附加結(jié)構(gòu)，最佳品質(zhì)因數(shù)(FOM)，無反向恢復(fù)損耗，易并聯(lián)。
4. ?GaN器件性能優(yōu)勢?：
   • ?FOM優(yōu)勢?：相比Si和SiC MOSFETs，GaN器件具有極優(yōu)的FOM(Rds(on)*Qg)。
   • ?反向?qū)ㄌ匦?/strong>?：無體二極管，但2DEG可在第三象限內(nèi)傳導(dǎo)，無需反向并聯(lián)二極管。
   • ?零反向恢復(fù)損耗?：可降低開關(guān)損耗和EMI噪聲。
5. ?開關(guān)過程與損耗?：
   • ?更快的開關(guān)過程?：與同等Rds(on)的SiC MOSFET相比，GaN的開通速度快約4倍，關(guān)斷速度快約2倍。
   • ?開關(guān)損耗低?：GaN HEMT的開關(guān)損耗遠(yuǎn)低于同等Rds(on)的650V SiC MOSFET。
6. ?設(shè)計資源與工具?：
   • ?設(shè)計中心?：提供大量技術(shù)文檔，易于查找和使用。
   • ?應(yīng)用手冊?：涵蓋Layout、驅(qū)動設(shè)計、器件并聯(lián)、熱設(shè)計、仿真和焊接等方面。
   • ?在線仿真工具?：基于PLECS的在線仿真，涵蓋所有GaN器件模型，提供八種常用拓?fù)洹?/li>
7. ?評估板與快速評估工具?：
   • ?650V test kit?：用于快速評估GaN器件特性。
   • ?多種評估板?：包括音頻放大器、SMPS評估板、無線功率放大器、PD QR & ACF充電器等，滿足不同應(yīng)用需求。

總結(jié)：該文件詳細(xì)介紹了GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件的技術(shù)原理、特性、優(yōu)勢以及設(shè)計資源和評估工具。通過與傳統(tǒng)硅基器件的對比，突出了GaN器件在開關(guān)速度、損耗、反向恢復(fù)等方面的顯著優(yōu)勢，為開發(fā)者提供了全面的技術(shù)參考和設(shè)計支持。